集成电路制程设计与工艺仿真

图书标准信息

• 作者 刘睿强 著
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2011-03
• 版次 1
• ISBN 9787121120220
• 定价 29.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 220页
• 字数 364千字
• 正文语种 简体中文
• 丛书 电子信息与电气学科规划教材·电子科学与技术专业

【内容简介】

《集成电路制程设计与工艺仿真》介绍当代集成电路设计的系统级前端、布局布线后端及工艺实现三大环节所构成的整体技术的发展，重点着眼于集成电路工艺过程的计算机仿真和计算机辅助设计，以及具体的工具软件和系统的使用。全书共12章，主要内容包括：常规集成平面工艺、集成工艺原理概要、超大规模集成工艺、一维工艺仿真综述、工艺仿真交互设置、工艺仿真模型设置、工艺仿真模拟精度、一维工艺仿真实例、集成工艺二维仿真、二维工艺仿真实现、现代可制造性设计、可制造性设计理念，并提供电子课件和习题解答。
《集成电路制程设计与工艺仿真》可作为高等学校电子科学与技术、微电子、集成电路设计等专业的教材，也可供集成电路芯片制造领域的工程技术人员学习参考。

【目录】

绪论
0-1半导体及半导体工业的起源
0-2半导体工业的发展规律
0-3半导体技术向微电子技术的发展
0-4当代微电子技术的发展特征
本章小结
习题
第1章半导体材料及制备
1.1半导体材料及半导体材料的特性
1.1.1半导体材料的特征与属性
1.1.2？导体材料硅的结构特征
1.2半导体材料的冶炼及单晶制备
1.3半导体硅材料的提纯技术
1.3.1精馏提纯sicl4技术及其提纯装置
1.3.2精馏提纯sicl4的基本原理
1.4半导体单晶材料的制备
1.5半导体单晶制备过程中的晶体缺陷
本章小结
习题
第2章集成工艺及原理
2.1常规集成电路制造技术基础
2.1.1常规双极性晶体管的工艺结构
2.1.2常规双极性晶体管平面？艺流程
2.1.3常规pn结隔离集成电路平面工艺流程
2.2外延生长技术
2.3常规硅气相外延生长过程的动力学原理
2.4氧化介质制备技术
2.5半导体高温掺杂技术
2.6常规高温热扩散的数学描述
2.6.1恒定表面源扩散问题的数学分析
2.6.2有限表面源扩散问题的数学分析
2.7杂质热扩散及热迁移工艺模型
2.8离子注入低温掺杂技术
本章小结
习题
第3章超大规模集成工艺
3.1当代微电子技术的技术进步
3.2当代超深亚微米级层次的技术特征
3.3超深亚微米层次下的小尺寸效应
3.4典型超深亚微米cmos制造工艺
3.5超深亚微米cmos工艺技术模块简介
本章小结（5）
习题
第4章一维工艺仿真综述
4.1集成电路工艺仿真技术
4.2一维工艺仿真系统suprem-2
4.3suprem-2的建模
本章小结
习题（5）
第5章工艺仿真交互设置
5.1suprem-2工艺仿真输入卡的设置规范
5.2suprem-2工艺模拟卡的卡序设置
5.3suprem-2仿真系统的卡语句设置
5.4输出/输入类卡语句的设置
5.5工艺步骤类卡语句的设置
5.6工艺模型类卡语句的设置
本章小结
习题
第6章工艺模拟系统模型设置
6.1系统模型的类型及参数分类
6.1.1元素模型
6.1.2氧化模型
6.1.3外延模？
6.1.4特殊用途模型
6.2suprem-2工艺模拟系统所设置的默认参数值
本章小结
习题
第7章工艺模拟精度的调试
第8章一维工艺仿真实例
第9章集成电路工艺二维仿真
第10章二维工艺仿真实例
第11章可制造性设计工具
第12章可制造性设计理念
参考文献