• 集成电路制程设计与工艺仿真
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集成电路制程设计与工艺仿真

15 5.0折 29.9 九五品

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北京通州
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作者刘睿强 袁勇 林涛

出版社电子工业出版社

ISBN9787121120220

出版时间2011-03

版次1

装帧平装

开本16开

纸张胶版纸

页数220页

字数99999千字

定价29.9元

上书时间2024-04-06

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品相描述:九五品
商品描述
基本信息
书名:集成电路制程设计与工艺仿真
定价:29.90元
作者:刘睿强 袁勇 林涛
出版社:电子工业出版社
出版日期:2011-03-01
ISBN:9787121120220
字数:364800
页码:220
版次:1
装帧:平装
开本:12开
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内容提要
本书介绍当代集成电路设计的系统级前端、布局布线后端及工艺实现三大环节所构成的整体技术的发展,重点着眼于集成电路工艺过程的计算机仿真和计算机辅助设计,以及具体的工具软件和系统的使用。本书共12章,主要内容包括:常规集成平面工艺、集成工艺原理概要、超大规模集成工艺、一维工艺仿真综述、工艺仿真交互设置、工艺仿真模型设置、工艺仿真模拟精度、一维工艺仿真实例、集成工艺二维仿真、二维工艺仿真实现、现代可制造性设计、可制造性设计理念,并提供电子课件和习题解答。  本书可作为高等学校电子科学与技术、微电子、集成电路设计等专业的教材,也可供集成电路芯片制造领域的工程技术人员学习参考。
目录
绪论 0-1 半导体及半导体工业的起源 0-2 半导体工业的发展规律 0-3 半导体技术向微电子技术的发展 0-4 当代微电子技术的发展特征 本章小结 习题章 半导体材料及制备 1.1 半导体材料及半导体材料的特性  1.1.1 半导体材料的特征与属性  1.1.2 半导体材料硅的结构特征 1.2 半导体材料的冶炼及单晶制备 1.3 半导体硅材料的提纯技术  1.3.1 精馏提纯sicl4技术及其提纯装置  1.3.2 精馏提纯sicl4的基本原理 1.4 半导体单晶材料的制备 1.5 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷 本章小结 习题第2章 集成工艺及原理 2.1 常规集成电路制造技术基础  2.1.1 常规双极性晶体管的工艺结构  2.1.2 常规双极性晶体管平面工艺流程  2.1.3 常规pn结隔离集成电路平面工艺流程 2.2 外延生长技术 2.3 常规硅气相外延生长过程的动力学原理 2.4 氧化介质制备技术 2.5 半导体高温掺杂技术 2.6 常规高温热扩散的数学描述  2.6.1 恒定表面源扩散问题的数学分析  2.6.2 有限表面源扩散问题的数学分析 2.7 杂质热扩散及热迁移工艺模型 2.8 离子注入低温掺杂技术 本章小结 习题第3章 超大规模集成工艺 3.1 当代微电子技术的技术进步 3.2 当代超深亚微米级层次的技术特征 3.3 超深亚微米层次下的小尺寸效应 3.4 典型超深亚微米cmos制造工艺 3.5 超深亚微米cmos工艺技术模块简介 本章小结 (5) 习题第4章 一维工艺仿真综述 4.1 集成电路工艺仿真技术 4.2 一维工艺仿真系统 suprem-2 4.3 suprem-2的建模 本章小结 习题 (5)第5章 工艺仿真交互设置 5.1 suprem-2工艺仿真输入卡的设置规范 5.2 suprem-2工艺模拟卡的卡序设置 5.3 suprem-2仿真系统的卡语句设置 5.4 输出/输入类卡语句的设置 5.5 工艺步骤类卡语句的设置 5.6 工艺模型类卡语句的设置 本章小结 习题第6章 工艺模拟系统模型设置 6.1 系统模型的类型及参数分类  6.1.1 元素模型  6.1.2 氧化模型  6.1.3 外延模型  6.1.4 特殊用途模型 6.2 suprem-2工艺模拟系统所设置的默认参数值 本章小结 习题第7章 工艺模拟精度的调试第8章 一维工艺仿真实例第9章 集成电路工艺二维仿真0章 二维工艺仿真实例1章 可制造性设计工具2章 可制造性设计理念参考文献
作者介绍

序言

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