• 集成电路制程简论
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集成电路制程简论

183 33 九五品

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天津武清
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作者田民波 编著

出版社清华大学出版社

ISBN9787302209591

出版时间2009-12

版次1

装帧平装

开本16开

纸张胶版纸

页数244页

字数99999千字

定价33元

上书时间2024-04-22

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品相描述:九五品
商品描述
基本信息
书名:集成电路制程简论
定价:33元
作者:田民波 编著
出版社:清华大学出版社
出版日期:2009-12-01
ISBN:9787302209591
字数:309000
页码:244
版次:1
装帧:平装
开本:16开
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编辑推荐

内容提要
本书以通俗生动的语言、图文并茂的形式,简要介绍了集成电路制程。以特征线宽130nm以下为重点,涉及集成电路制作工艺的各个方面,特别是包括短波长光源、步进与扫描照相曝光系统、CMP平坦化、双大马士革Cu布线、低-k介质材料、SoC与SiP等。不仅便于读者入门,特别是指明问题的关键和发展方向。对于与集成电路(IC)制程、材料、设备以及微电子应用相关的科技工作者和工程技术人员,本书具有极为难得的参考价值,也可以作为相关专业本科生、研究生用教材和参考书。
目录
章 半导体IC的构造——既神奇又不可思议的半导体 1.1 何谓半导体——导电的难易性 1.2 神奇的硅一在地球表面的元素中储量排行第二 1.3 集成电路中集成的是什么——三极管、电阻、电容 1.4 半导体元件与集成电路——集成电路面面观 1.5 二极管的功能——3种类型的二极管 1.6 三极管的功能——可以比作通过水闸的水路 1.7 MOS与双极性晶体管的比较—÷按Ic的材料分类 1.8 存储器、各种类型的CPU——从MPU、ASIC到系统LSl 1.9 存储器的种类——从DRAM到快闪存储器 1.10 CISC与RISC——MPU的两个发展系列 1.11 半导体器件的用途与特征——各具特色的半导体器件大显身手 1.12 存储器的大小对比——压缩技术 1.13 DRAM的技术先导作用——从DRAM到CPU 1.14 摩尔定律继续有效——山穷水尽疑无路,柳暗花明又一村 1.15 集成电路发明50周年历史回眸——两人一小步人类一大步 1.16 微处理器发展历程——IC技术插上腾飞的翅膀 专题栏:半导体IC工厂厂址应具备哪些条件第2章 IC如何进行计算与存储——CPU与存储器的工作原理 2.1 双极性晶体管集成电路的结构——比CMOS速度更快 2.2 N型与P型MOS的区别——电压和电流的正负号变化一下即可 2.3 何谓CMOS——为普及的LSl 2.4 电荷的积蓄方法——向DRAM“写入” 2.5 DRAM的重写——从DRAM“读出” 2.6 快闪存储器之一——不易失存储器中电荷的积蓄方法 2.7 快闪存储器之二——半永久数据的存储 2.8 加法计算——二进制法计算 2.9 减法计算——利用“负数相对于2的补数表现” 2.10 乘法计算——如何实现乘法器 2.11 何谓NAND型——CMOS逻辑电路 2.12 NOR型、AND型、0R型——各种类型的逻辑电路 2.13 半导体的动力和功耗——IC内的电压以5V为中心 专题栏:存储器更新换代的标志是出现“比特剪刀差”第3章 半导体集成电路的制作工艺——IC工厂的实际体验 3.1 半导体集成电路制作鸟瞰——开发顺序与制作工程 3.2 IC制造的全工程——涉及前工程和后工程的五大工序 3.3 “前”工程——制作带有电路的芯片 3.4 G/W(Good—chip/Wafer,合格芯片/硅圆片)检测工程——判定芯片是否合格 3.5 如何定义成品率——对综合实力的检验 3.6 “后”工程——从划片到成品检验 3.7 IC设计图的制作——要做到技术先进性与市场需求兼顾 专题栏:计算机模拟第4章 硅圆片的制作——前工程之一:闪闪发光的单晶硅圆片 4.1 高纯硅的制作——99.999999999%的超高纯 4.2 拉制单晶硅——CZ法与FZ法 4.3 硅圆片的制作——从单晶硅棒切成硅圆片 4.4 研磨成闪闪发光的单晶硅圆片——决定形状和品质的重要关口 4.5 硅圆片直径与有效芯片——以6~8英寸硅圆片为中心 ……第5章 薄膜的制作——前工程之二:重要的扩散工艺第6章 电路图形的制作|——前工程之本:掩模刻蚀第7章 IC组装——后工程之一:从划片到塑封第8章 检验与测量——后工程之二:多重检验第9章 包罗万象的半导体——从非晶态到光集成电路0章 的半导体技术——下一代的IC和LSI附录 IC制程常用缩略语注释参考文献
作者介绍

序言

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