基于ANSYS的信号和电源完整性设计与分析
￥ 187 ￥ 68 九五品
仅1件
作者周润景 著
出版社电子工业出版社
ISBN9787121397356
出版时间2020-10
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数304页
字数99999千字
定价68元
上书时间2024-04-14
商品详情
- 品相描述：九五品
- 商品描述
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基本信息
书名:基于ANSYS的信号和电源完整性设计与分析
定价：68.00元
作者:周润景 著
出版社：电子工业出版社
出版日期：2020-10-01
ISBN：9787121397356
字数：486400
页码：304
版次：2
装帧：平装
开本：16开
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内容提要
本书主要介绍信号完整性（Signal Integrity，SI）、电源完整性（Power Integrity，PI）和电磁兼容性（Electromagnetic Compatibility，EMC）等的基础知识和设计要点，并结合实例详细介绍了利用ANSYS 2019仿真平台完成相关仿真与分析的方法，使读者不仅能深入了解高速电路设计的理念，还能掌握ANSYS 2019仿真操作流程和分析技巧，并运用类似的设计方法去解决相关的问题。 本书适合从事芯片封装、PCB设计及数字电路硬件研发的工程技术人员阅读使用，也可作为高等学校相关专业的教学用书。
目录
章 信号完整性1．1 信号完整性的要求及问题的产生1．1．1 信号完整性的要求1．1．2 信号完整性问题产生的原因1．2 信号完整性问题的分类1．2．1 反射1．2．2 串扰1．2．3 轨道塌陷1．2．4 电磁干扰1．3 传输线基础理论1．3．1 传输线1．3．2 特性阻抗的计算1．3．3 传输线的分类1．3．4 传输线效应1．3．5 避免传输线效应的方法1．4 端接电阻匹配方式1．4．1 并联终端匹配1．4．2 串联终端匹配1．4．3 戴维南终端匹配1．4．4 AC终端匹配1．4．5 肖特基二极管终端匹配1．4．6 多负载的端接1．5 仿真模型1．5．1 IBIS模型1．5．2 验证IBIS模型1．6 S参数1．6．1 集总电路和分布电路1．6．2 S参数的作用和含义1．6．3 S参数在电路仿真中的应用1．6．4 S参数的优/缺点1．7 电磁场求解器1．7．1 2D电磁场求解器1．7．2 2．5D电磁场求解器1．7．3 3D电磁场求解器第2章 HDMI的仿真与测试2．1 HDMI简介2．2 HDMI信号完整性前仿真分析2．3 HDMI信号完整性后仿真分析2．3．1 切割TMDS差分线2．3．2 频域分析2．3．3 时域分析2．3．4 差分对匹配2．3．5 实测对比2．4 本章小结第3章 PCIE仿真与测试3．1 PCIE简介3．2 SIwave提取传输线S参数3．2．1 运行SIwave 3．2．2 确认检查3．2．3 分割差分线区域3．2．4 自动生成端口3．2．5 全局设置及仿真3．2．6 计算S参数3．2．7 导出S参数3．3 差分对建模仿真分析3．3．1 创建项目3．3．2 设置求解类型3．3．3 设置模型单位3．3．4 创建差分线模型3．4 在Designer中联合仿真3．5 PCIE的仿真与实测对比3．5．1 测试环境与仪器介绍3．5．2 仿真与实测对比第4章 SFP+高速通道的仿真与测试4．1 SFP+简介4．2 SFP+通道仿真4．2．1 转换Brd文件到ANF文件4．2．2 切割开发板4．2．3 使用SIwave创建端口4．2．4 模型检查4．2．5 仿真参数设置4．2．6 查看仿真结果4．2．7 查看差分参数4．2．8 导出S4P参数模型4．3 系统级频域S参数仿真4．3．1 添加S参数模型4．3．2 添加频率扫描4．3．3 查看仿真结果4．4 TDR仿真4．4．1 添加参数模型4．4．2 建立瞬态分析4．4．3 创建结果报告4．5 时域眼图仿真4．5．1 输入AMI模型4．5．2 设置AMI模型4．5．3 仿真设置4．5．4 查看眼图4．5．5 添加眼罩4．6 SFP+通道实际测试4．7 本章小结第5章 并行通道DDR仿真与分析5．1 DDR相关特点的简介5．2 使用SIwave提取DDR的S参数5．2．1 添加端口5．2．2 生成端口5．2．3 提取S参数5．2．4 导出TouchstoneR File (．snp) 5．3 基于Designer的SI仿真5．3．1 新建工程5．3．2 选择元器件5．3．3 运行分析5．4 DDR的SI+PI仿真5．4．1 眼图分析5．4．2 SSN分析5．4．3 选取更多频率点的分析5．5 IR压降仿真5．5．1 SIwave IR 压降检查5．5．2 IR 压降仿真5．6 2．5D模型与3D模型在信号完整性中的对比分析5．6．1 提取S参数5．6．2 导出TouchstoneR文件5．6．3 在Desiner中创建工程5．6．4 添加SIwave模型5．6．5 添加IBIS模型5．6．6 时域仿真5．6．7 差分对导入HFSS中5．6．8 2．5D及3D时域仿真与实测结果对比5．7 本章总结第6章 电源完整性6．1 电源完整性概述6．2 电源噪声形成机理及危害6．3 VRM6．4 电容去耦原理6．4．1 从储能角度6．4．2 从阻抗角度6．5 PDN 阻抗分析6．5．1 PDN简介6．5．2 PCB PDN仿真6．6 PCB 谐振仿真6．6．1 谐振简介6．6．2 PCB谐振仿真6．6．3 去耦电容值的估算6．6．4 放置去耦电容的方法6．6．5 优化PCB谐振特性6．7 传导干扰和电压噪声测量6．8 直流压降分析6．9 串行通道的SSN分析6．9．1 仿真前准备工作6．9．2 创建信号差分网络和电源网络6．9．3 创建SSN的仿真电路6．10 DDR3 的同步开关噪声分析6．10．1 Stratix IV GX FPGA开发板简介6．10．2 SIwave提取传输线S参数6．10．3 在Designer中进行DDR的SSN分析6．11 本章小结第7章 辐射分析7．1 电磁兼容概述7．2 电磁兼容标准7．3 电磁干扰方式7．3．1 差模辐射7．3．2 共模辐射7．4 辐射仿真与分析7．5 本章小结第8章 信号完整性问题的场路协同仿真8．1 SMA仿真8．1．1 Stratix V GX信号完整性开发板简介8．1．2 从Cadence导入SIwave 8．1．3 在SIwave中进行SMA 通道仿真8．2 SMA建模8．2．1 PCB的切割8．2．2 建立基座和同轴线缆8．2．3 添加波端口8．2．4 仿真设置8．2．5 查看仿真结果8．3 Designer对整个高速串行通道进行系统级仿真8．3．1 导入参数模型8．3．2 设置仿真参数和查看仿真结果8．3．3 TDR仿真8．3．4 时域眼图分析8．4 本章小结第9章 PCB级电热耦合对信号完整性的影响分析9．1 电热耦合与信号完整性基础理论9．1．1 PCB级电热耦合分析方法9．1．2 介质材料的介温特性9．1．3 基于相对介电常数的信号完整性理论9．2 相对介电常数对PCB稳定工作时温度分布的影响9．2．1 研究对象的设计9．2．2 电热耦合仿真分析9．2．3 结果分析9．3 温度变化对PCB相对介电常数的影响分析9．3．1 实测样品制作9．3．2 基于分离式介电谐振器测量技术的相对介电常数测试9．3．3 研究结果与分析9．4 温度变化对通道信号完整性的影响分析9．4．1 电磁模型的建立9．4．2 基于相对介电常数的信号完整性分析9．4．3 研究结果与分析9．5 本章小结
作者介绍
序言
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【封面】
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