晶体硅太阳电池物理
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作者陈哲艮编著
出版社电子工业出版社
ISBN9787121401046
出版时间2020-12
版次1
装帧精装
开本16开
纸张胶版纸
页数552页
字数773千字
定价188元
货号SC:9787121401046
上书时间2024-11-27
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商品详情
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内容简介:
本书作者在参考国内外相关科技文献资料、了解前人研究成果的基础上，结合自己的研究和思考，应用量子力学基础理论、固体能带理论和半导体载流子运行规律，系统介绍了晶体硅太阳电池的电能产生机理。本书主要内容包括绪论、晶体硅的结构和基本物理化学性质、半导体中的能带与态密度、半导体中的载流子、半导体中载流子的输运、半导体pn结、晶体硅pn结太阳电池、金属-半导体（MS）结构与MS太阳电池、金属-绝缘体-半导体（MIS）结构与MIS太阳电池、晶体硅异质pn结太阳电池、硅基太阳电池的计算物理、太阳电池的光电转换效率、聚光太阳电池与叉指式背接触（IBC）太阳电池、晶体硅太阳电池的优化设计、纳米硅/硅异质结太阳电池、钙钛矿/硅串联太阳电池、太阳电池热物理分析。
目录:
第1章 绪论
第2章 晶体硅的结构和基本物理化学性质
2.1 硅的晶体结构
2.1.1 化学键
2.1.2 晶体结构
2.1.3 表面与界面结构
2.2 晶体硅的基本物理化学性质
第3章 半导体中的能带与态密度
3.1 自由电子的运动状态
3.2 半导体的能带
3.2.1 晶体能带的形成
3.2.2 k空间的量子态分布
3.2.3 硅晶体的能带结构
3.3 半导体中的量子态
3.3.1 自由电子的能量与动量之间的关系
3.3.2 半导体中电子的能量与动量之间的关系
3.3.3 半导体中电子的平均速度和加速度
3.3.4 间接带隙材料与直接带隙材料
3.3.5 半导体能带中的量子态密度
第4章 半导体中的载流子
4.1 波矢空间半导体载流子
4.1.1 波矢空间半导体载流子的统计分布
4.1.2 波矢空间半导体的载流子浓度和电流密度
4.2 平衡状态下的载流子
4.2.1 本征半导体硅与非本征半导体硅
4.2.2 本征半导体中载流子浓度的统计分布
4.2.3 掺杂半导体的能带结构
4.2.4 n型半导体硅和p型半导体硅
4.2.5 掺杂半导体的多子浓度
4.2.6 掺杂半导体的少子浓度
4.2.7 重掺杂简并半导体及其载流子浓度
4.3 准平衡状态下的载流子
4.3.1 准费米能级
4.3.2 准平衡状态下载流子的统计分布
4.3.3 准平衡状态下载流子浓度
4.
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