绝缘体上硅（SOI）技术——制造及应用

图书标准信息

• 作者 [法]Oleg,Kononchuk,ich-Yen,Nguyen 著,刘忠立,宁瑾,赵凯 译
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 2018-12
• 版次 1
• ISBN 9787118116366
• 定价 128.00元
• 装帧 其他
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 385页
• 字数 473千字

【内容简介】

　　《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的目的是对SOI CMOS新技术的进展进行全面介绍。全书分为两部分：*部分介绍SOI晶圆片的制造工艺、表征及SOI器件物理；第二部分介绍相关的各种应用。全书既涉及部分耗尽SOI这样已成熟的技术，也包括全耗尽平面SOI技术、FinFET、射频、光电子、MEMS以及超低功耗应用这样一些新发展的技术。晶体管级和电路级解决方案也均有涉及。我们将这《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的解决方案限定在32~14nm技术节点的范围，并将应用限定在技术成熟到足以实现批量生产的范围。

【目录】

  
部分绝缘体上硅材料及制造


章绝缘体上硅晶圆片材料及制造技术


1.1引言


1.2soi的晶圆片制造技术概述


1.3soi量产制造技术


1.4soi晶圆片结构及表征


1.5晶圆片直接键合：湿表面清洗技术


1.6直接键合机理的表征


1.7si和sio2直接键合的其他表面制备工艺


1.8利用离子注入、键合及剥离量产soi衬底的智能剥离技术


1.9更复杂的soi结构制造


1.10异质结构的制造


1.11结论


1.12致谢


1.13参文献


第2章优选的绝缘体上硅材料及晶体管电学质的表征


2.1引言


2.2常用的表征技术


2.3利用赝金属氧化物半导体场效应晶体管技术表征soi晶圆片


2.4赝-mosfet技术的发展


2.5fdmosfet的常用表征方法


2.6优选的fdmosfet表征方法


2.7超薄soimosfet的表征


2.8多栅mosfet的表征


2.9纳米线fet的表征


2.10结论


2.11致谢


2.12参文献


第3章短沟fdsoimosfet特的建模


3.1引言


3.2soimosfet建模的发展


3.3soimosfet的二维紧凑电容模型


3.4soimosfet的二维解析模型


3.5双栅及其他类型soimosfet结构的建模


3.6参文献


第4章部分耗尽绝缘体上硅技术：电路解决方案


4.1引言


4.2pdsoi技术与器件


4.3电路解决方案：数字电路


4.4电路解决方案：静态存储器电路


4.5sram容限：pdsoi的例子


4.6结论


4.7参文献


第5章面全耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体技术


5.1引言


5.2面fdsoi技术


5.3fdsoi的阈值调节：沟道掺杂、栅堆叠工程和接地面


5.4fdsoicmos器件对衬底的要求：box和沟道的厚度


5.5fdsoi的应变选项


5.6背偏置对特的影响


5.7结论


5.8致谢


5.9参文献


第6章绝缘体上硅无结晶体管


6.1引言


6.2器件物理


6.3无结晶体管的模型


6.4同三栅场效应晶体管的能比较


6.5经典的soi纳米线结构


6.6结论


6.7致谢


6.8参文献


第7章soifinfet


7.1引言


7.2soifinfet的能


7.3soifinflet衬底的优化


7.4finfet的工艺及统计波动


7.5结论


7.6参文献


第8章利用soi技术制造cmos的参数波动


8.1引言


8.2面fdsoi器件的统计参数波动


8.3可靠的统计问题


8.4soifinfet


8.5结论


8.6参文献


第9章soicmos集成电路的esd保护


9.1引言


9.2soi器件的esd表征：soi晶体管


9.3soi器件中的esd表征：soi二极管


9.4soi器件的esd表征：finfet及fin二极管


9.5soi器件的esd表征：fdsoi器件


9.6soi器件中esd网络的优化


9.7结论


9.8参文献


第二部分soi器件及应用


0章频及模拟应用的soimosfet


10.1引言


10.2目前的频器件能


10.3mosfet能的因素


10.4肖特基势垒mosfet


10.5超薄体超薄埋氧化层mosfet


10.6多栅mosfei、的频特：finfet


10.7soi技术中的高电阻率硅衬底


10.8结论


10.9致谢


10.10参文献


1章超低功耗应用的soicmos电路


11.1引言


11.2cmos电路功耗的小化


11.3降低vdd改善cmos电路能量效率的问题


11.4利用减小波动及适应偏压控制发展soi器件


11.5参数波动的建模


11.6超低电压工作的器件设计


11.7fdsoi器件参数波动的评估


11.8fdsoi器件可靠的评估


11.9fdsoi器件的电路设计


11.10结论


11.11致谢


11.12参文献


2章改善能的3ds01集成电路


12.1引言


12.2利用cu-cu键合的3dic：工艺流程


12.3利用cu-cu键合实现3d集成：面对面的硅层堆叠


12.4利用cu-cu键合实现3d集成：背面对正面的硅层堆叠


12.5利用氧化硅键合的3d集成：mit林肯实验室的表面向下堆叠技术


12.6利用氧化硅键合的3d集成：ibm的“面朝上”堆叠技术


12.7利用氧化硅键合实现3d集成：3d后续工艺


12.8优选的键合技术：cu-cu键合


12.9优选键合技术：介质键合


12.10结论


12.11致谢


12.12参文献


3章光子集成电路的soi技术


13.1引言


13.2绝缘体上硅光子学


13.3soi光学模块


13.4器件容差与补偿技术


13.5用于硅光子器件的优选堆叠结构


13.6硅光子器件的应用


13.7结论


13.8参文献


4章用于mems和nems传感器的soi技术


14.1引言


14.2soimems／nems器件结构和工作


14.3soimems／nems设计


14.4soimems／nems工艺技术


14.5soimems／nems制备


14.6结论


14.7参文献