晶体生长手册1晶体生长剂缺陷形成概(英)
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作者(英)德哈纳拉,等 编 著作
出版社哈尔滨工业大学出版社
ISBN9787560333861
出版时间2013-01
装帧平装
开本16开
定价48元
货号1200412856
上书时间2024-12-01
商品详情
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目录
缩略语
Part A晶体生长基础及缺陷形成
1.晶体生长技术和表征：综述
1.1发展历史
1.2晶体生长理论
1.3晶体生长技术
1.4晶体缺陷及表征
参考文献
2.表面成核
2.1晶体环境相平衡
2.2晶核形成及工作机理
2.3成核率
2.4饱和晶核密度
2.5在同质外延中的第二层成核
2.6异质外延中的聚集机理
2.7表面活性剂对成核的影响
2.8结论与展望
参考文献
3.溶液中的晶体生长形态
3.1相平衡
3.2晶体的生长相理论
3.3影响晶体特性的因素
3.4表面结构
3.5晶体缺陷
3.6成核动力学一一过饱和
3.7溶剂
3.8杂质
3.9其他因素
3.10晶体特性变化过程
3.11小结
3.A附录
参考文献
4.晶体生长过程中缺陷的生长及演变
4.1综述
4.2包晶
4.3条纹和生长区
4.4位错
4.5孪晶
4.6溶液中快速生长完整晶体
参考文献
5.没有约束条件下的单晶生长
5.1背景
5.2光滑和粗糙的接触面：生长机理和形态学
5.3表面微形貌
5.4多面体材料晶体的生长形貌
5.5内部形态
5.6完整单晶
参考文献
6.熔体生长晶体期间缺陷的形成
6.1综述
6.2点缺陷
6.3位错
6.4第二相粒子
6.5面缺陷
6.6孪晶
6.7总结
参考文献
内容摘要
多年以来，有很多探索研究已经成功地描述了晶体生长的生长工艺和科学，有许多文章、专著、会议文集和手册对这一领域的前沿成果做了综合评述。这些出版物反映了人们对体材料晶体和薄膜晶体的兴趣日益增长，这是由于它们的电子、光学、机械、微结构以及不同的科学和技术应用引起的。实际上，大部分半导体和光器件的现代成果，如果没有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶体的发展则是不可能的。这些文章致力于生长机制的基本理解、缺陷形成、生长工艺和生长系统的设计，因此数量是庞大的。
本手册针对目前备受关注的体材料晶体和薄膜晶体的生长技术水平进行阐述。我们的目的是使读者了解经常使用的生长工艺、材料生产和缺陷产生的基本知识。为完成这一任务，我们精选了50多位很好科学家、学者和工程师，他们的合作者来自于22个不同国家。这些作者根据他们的专业所长，编写了关于晶体生长和缺陷形成共计52章内容：从熔体、溶液到气相体材料生长；外延生长；生长工艺和缺陷的模型；缺陷特性的技术以及一些现代的特别课题。
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