中国集成电路与光电芯片2035发展战略

图书标准信息

• 作者 “中国学科及前沿领域发展战略研究(2021-2035)”项目组
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2023-06
• 版次 1
• ISBN 9787030751836
• 定价 198.00元
• 装帧 其他
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 460页
• 字数 450千字

【内容简介】

当前和今后一段时期将是我国集成电路和光电芯片技术发展的重要战略机遇期和攻坚期，加强自主集成电路和光电芯片技术的研发工作，布局和突破关键技术并拥有自主知识产权，实现集成电路产业的高质量发展是我国当前的重大战略需求。《中国集成电路与光电芯片 2035发展战略》面向 2035年探讨了国际集成电路与光电芯片前沿发展趋势和中国从芯片大国走向芯片强国的可持续发展策略，围绕上述相关方向开展研究和探讨，并为我国在未来集成电路和光电芯片发展中实现科技与产业自立自强，在国际上发挥更加重要作用提供战略性的参考和指导意见。

【目录】

序 i

前言 vii

摘要 

abstract ii

绪论 1

节 科学意义和战略价值 1

第二节 产业发展规律与特点 4

第三节 发展现状与挑战 6

第四节 发展趋势与本书安排 9

章 优选 cmos器件与工艺 12

节 科学意义与战略价值 12

第二节 技术创新与挑战 13

一、堆叠纳米线/纳米片环栅晶体管器件 13

二、3d垂直集成器件 18

三、新机制、新材料半导体器件 21

第三节 工艺技术创新与挑战 23

一、光刻领域技术发展与挑战 23

二、器件互连寄生问题与挑战 27

三、器件可靠与挑战 31

第四节 协同优化设计 35

一、dtco技术发展现状及形成 35

二、dtco关键技术和发展方向 36

第二章 fd-soi技术 38

节 科学意义与战略价值 38

第二节 技术比较 39

第三节 技术现状 40

一、fd-soi技术产业链 41

二、优选工艺厂商对fd-soi工艺技术的推进 41

三、fd-soi技术的应用领域 42

第四节 技术发展方向 44

一、应变soi 44

二、绝缘层上的锗硅（sigeoi） 44

三、绝缘层上的锗（geoi） 45

四、绝缘体上的ⅲ-ⅴ族半导体（ⅲ-ⅴ族oi） 45

五、xoi 46

六、离子刀技术 46

第五节 技术路线与对策 47

第三章 半导体存储器技术 49

节 存储器概述 49

一、半导体存储器产业发展现状 49

二、dram技术及发展趋势 52

三、flash技术及发展趋势 54

四、面临的问题与挑战 57

第二节 新型存储器技术 59

一、阻变式存储器 59

二、磁存取存储器 63

三、相变存储器 68

四、铁电存储器 73

第三节 结与展望 77

一、dram发展展望 79

二、flash发展展望 80

三、rram发展展望 81

四、mram发展展望 81

五、pcm发展展望 82

六、铁电存储器发展展望 82

第四章 集成电路设计 84

节 科学意义与战略价值 84

第二节 通用处理器 85

一、重要意义及发展现状 85

二、处理器关键技术及展望 86

三、技术展望 88

四、技术及产业发展建议 89

第三节 智能处理器 89

一、战略地位与发展规律 89

二、发展现状与特点 90

……