宽禁带化合物半导体材料与器件（第二版）

图书标准信息

• 作者 朱丽萍
• 出版社 浙江大学出版社
• 出版时间 2023-02
• 版次 2
• ISBN 9787308229159
• 定价 49.00元
• 装帧 其他
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 224页
• 字数 341千字

【内容简介】

随着信息技术的飞速发展，半导体材料的应用逐渐从集成电路拓展到微波、功率和光电等应用领域。传统元素半导体硅材料不再能满足这些多元化需求，化合物半导体应运而生并快速发展。本书以浙江大学材料科学工程学系“宽禁带化合物半导体材料与器件”课程讲义为基础，参照全国各高等院校半导体材料与器件相关教材，结合课题组多年的研究成果编写而成。此书的编写目的是为高等院校学生提供一本学习和掌握化合物半导体材料与器件的参考书。
  全书共10章，主要内容为：绪论；化合物半导体材料基础；化合物半导体中的缺陷；宽带隙半导体发光；化合物半导体器件基本原理，包括pn结、超晶格与量子阱；宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用，主要介绍 SiC、GaN、ZnO和Ga2O3的研究现状。

【作者简介】

朱丽萍，女，浙江大学教授，博士生导师。主要从事宽带隙化合物半导体材料及器件、半导体纳米材料与器件以及节能薄膜材料的研究。

【目录】

章 绪论

1.1 宽带隙半导体概念

1.2 常见宽禁带化合物半导体

思题

参文献

第2章 化合物半导体材料基础

2.1 半导体

2.2 半导体材料的分类

2.2.1 元素半导体

2.2.2 化合物半导体

2.2.3 半导体固溶体

2.3 化合物半导体的特

2.3.1 化合物半导体的晶体结构和化合键

2.3.2 化合物半导体的能带结构

思题

参文献

第3章 固化合物半导体中的缺陷

3.1 缺陷理论基础

3.1.1 点缺陷的分类

3.1.2 点缺陷的符号表示方法

3.1.3 点缺陷在半导体中的施主或受主作用及它们的能级位置

3.2 zno中的杂质与缺陷

3.2.1 zno中的本征点缺陷

3.2.2 zno中绿发光起源

3.2.3 zno中的故意掺杂

思题

参文献

第4章 宽带隙半导体发光

4.1 半导体中的光跃迁

4.1.1 半导体吸收跃迁

4.1.2 半导体中的带间跃迁辐复合发光

4.2 激子

4.3 半导体发光光谱和辐复合

4.4 激子复合

4.5 深能级中心相关的发光跃迁

4.6 时间分辨发光光谱

4.7 宽带隙半导体材料发光研究实例

思题

参文献

第5章 pn结

5.1 同质结

5.1.1 热衡下的pn结

5.1.2 pn结的伏安特

5.2 异质结

5.2.1 异质结的能带图

5.2.2 异型异质结的电学特

思题

参文献

第6章 超晶格与量子阱

6.1 超晶格和量子阱发展概况

6.2 量子阱

6.3 超晶格

6.3.1 复合超晶格

6.3.2 掺杂超晶格

6.3.3 应变超晶格

6.3.4 多维超晶格

6.4 量子阱与超晶格的实验制备方法

6.5 超晶格和量子阱中的物理基础

6.5.1 半导体中的两类载流子：电子(n)与空穴(p)

6.5.2 超晶格和量子阱的能带结构

6.5.3 量子阱与超晶格中的电子态

6.5.4 超晶格中的电子

6.6 超晶格和量子阱中的物理效应

6.6.1 量子约束效应

6.6.2 量子阱中的激子效应

6.6.3 量子受限的斯塔克效应(qcse)

6.6.4 电场下超晶格中的wannier-stark局域态

6.6.5 二维电子气

6.7 超晶格和量子阱器件

6.7.1 量子阱激光器发展历程

6.7.2 垂直腔面发激光器

6.7.3 新型的量子阱激光器

6.7.4 主要应用

思题

参文献

第7章 sic

7.1 sic的基本质

7.1.1 物理质和化学质

7.1.2 晶体结构

7.1.3 电学能和能带结构

7.2 sic材料生长、掺杂与缺陷

7.2.1 sic体单晶生长

7.2.2 sic薄膜生长

7.2.3 sic纳米结构

7.2.4 sic的掺杂

7.2.5 sic材料中的缺陷

7.3 sic电子器件

7.3.1 sic肖特基接触理论

7.3.2 肖特基势垒二极管(sbd)及其改进结构器件(jbd、m)

7.3.3 sic场效应晶体管

7.3.4 sic双极型晶体管(bjt)

7.4 sic传感器件

7.4.1 sic的压阻效应

7.4.2 sic材料在气敏传感器中的应用

7.4.3 sic材料在光电探测器中的应用

思题

参文献

第8章 gan

8.1 概述

8.2 gan的基本质

8.2.1 物理和化学特

8.2.2 晶体结构

8.2.3 电学质和掺杂

8.2.4 光学质

8.2.5 gan与其他ⅲa族氮化物合金

8.3 gan材料制备

8.3.1 gan体单晶的生长

8.3.2 gan薄膜外延生长衬底材料的选择

8.3.3 gan外延生长技术

8.4 gan光电器件

8.4.1 gan基led

8.4.2 gan基ld

8.4.3 gan基紫外探测器

8.4.4 gan基电子器件

思题

参文献

第9章 zno

9.1 zno材料概述

9.1.1 zno的基本质和能带工程

9.1.2 zno中的杂质与缺陷

9.1.3 zno的电学能及p型掺杂

9.1.4 zno的p型掺杂研究现状

9.2 传统及新颖的zno制备技术

9.2.1 zno体单晶

9.2.2 zno薄膜

9.2.3 zno纳米结构

9.3 zno基光电器件

9.3.1 纳米结构的掺杂与接触

9.3.2 同质结led

9.3.3 异质结led

9.3.4 激光二极管(ld)

9.3.5 光电探测器(pd)

9.3.6 光伏太阳能电池

9.4 zno基透明导电薄膜和场效应器件

9.5 zno基压电器件

9.6 zno基传感器件

9.7 zno基自旋器件

9.8 zno基光催化材料

9.9 小结

思题

参文献

0章 ga2o3

10.1 概述

10.2 ga2o3的基本质

10.2.1 物理和化学质

10.2.2 晶体结构

10.2.3 电学质和掺杂

10.2.4 光学质

10.3 ga2o3的制备丁艺

10.3.1 单晶

10.3.2 薄膜

10.4 ga2o3功率器件

10.5 ga2o3光电器件

10.5.1 光电探测器

10.5.2 光电晶体管

10.6 ga2o3气敏传感器

10.7 ga2o3其他器件应用

思题

参文献

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