存储器工艺与器件技术
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作者编者:霍宗亮//夏志良//靳磊//王颀//洪培真|责编:王芳
出版社清华大学
ISBN9787302623182
出版时间2023-08
装帧其他
开本其他
定价99元
货号31840515
上书时间2024-11-18
商品详情
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目录
第1章 半导体存储器概述
1.1 半导体存储器的市场状况
1.1.1 市场需求
1.1.2 全球存储芯片供给情况
1.1.3 中国存储器市场情况
1.2 半导体存储器器件简介
1.2.1 半导体存储器分类
1.2.2 存储器的存储单元
1.2.3 NAND Flash产品简介
本章小结
习题
参考文献
第2章 Flash存储器技术简介
2.1 Flash的历史
2.2 2D NAND Flash技术发展
2.2.1 2D NAND Flash架构及操作
2.2.2 2D NAND F1ash技术发展及尺寸缩小
2.2.3 2D NAND Flash面临的技术挑战
2.3 3D NAND Flash技术发展
2.3.1 3D NAND Flash的技术优势及器件原理
2.3.2 3D NAND CTF的结构发展
2.3.3 3D浮栅型NAND Flash的结构发展
2.4 NAND Flash未来发展趋势
2.4.1 3D NAND Flash未来发展方向
2.4.2 非冯·诺依曼架构简介
2.5 NOR Flash技术
2.5.1 NOR F1ash基本操作
2.5.2 NOR Flash存储阵列结构
本章小结
习题
参考文献
第3章 3D NAND Flash存储器工艺集成技术
3.1 半导体基本单步工艺
3.1.1 光刻工艺
3.1.2 刻蚀工艺
3.1.3 外延生长工艺
3.1.4 离子注入/快速热处理
3.1.5 炉管工艺
3.1.6 其他薄膜工艺
3.1.7 湿法工艺
3.1.8 化学机械平坦化
3.2 3D存储器工艺集成
3.2.1 外围电路模块
3.2.2 NO叠层模块
3.2.3 台阶模块
3.2.4 沟道孑L模块
3.2.5 栅隔离槽模块
3.2.6 接触孑L模块
3.2.7 后段模块
本章小结
内容摘要
本书根据中国科学院大学“存储器工艺与器件技术”课程讲义整理而来。在撰写的过程中，本书以中国科学院大学办学方针为指导，“科教融合、育人为本、协同创新、服务国家”，明确了注重基础知识建设，培养创新精神的教学目标。本书共12章，包括半导体存储器分类、NANDFlash技术、3DNANDFlash制造工艺、3DNANDFlash器件单元特性、3DNANDFlash模型模拟
技术、3DNANDFlash阵列及操作、3DNANDFlash可靠性特性与测试、NANDFlash电路设计和系统应用、DRAM技术以及新型存储器技术等内容。为帮助读者深入掌握有关内容，每章还给出了适量的习题。
本书适合作为高等院校微电子学及集成电路等相关学科的高年级本科生和研究生的教材或教学参考书，也
可作为广大从事半导体存储器产业的科研工作者和工程师的参考书。
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