• 4族、3-5和2-6族半导体材料的特性
21年品牌 40万+商家 超1.5亿件商品

4族、3-5和2-6族半导体材料的特性

100 八五品

仅1件

河北衡水
认证卖家担保交易快速发货售后保障

作者[日]Sadao Adachi 著;季振国 译

出版社科学出版社

出版时间2009-07

版次1

装帧平装

货号A05-04-2

上书时间2024-12-24

   商品详情   

品相描述:八五品
图书标准信息
  • 作者 [日]Sadao Adachi 著;季振国 译
  • 出版社 科学出版社
  • 出版时间 2009-07
  • 版次 1
  • ISBN 9787030250957
  • 定价 68.00元
  • 装帧 平装
  • 开本 16开
  • 纸张 胶版纸
  • 页数 356页
  • 字数 468千字
  • 正文语种 简体中文
【内容简介】
  以硅为基础的微电子技术在信息技术中仍占据着重要的地位,但是III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料因具有高的载流子迁移率和大的禁带宽度而在发光器件、高速器件、高温器件、高频器件、大功率器件等方面得到越来越广泛的应用。可以预见,光电集成或光子器件所用的材料将大量采用III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料。然而目前除了IV族的si材料外,其他半导体材料的数据资料比较零乱,缺少一本把这些材料的特性参数汇集到一起的专著。
  《4族、3-5和2-6族半导体材料的特性》对常见半导体材料的晶体结构、热学特性、机械特性、晶格动力学特性、电子能带结构、光学特性、载流子输运特性、压电特性以及电光效应等特性进行了比较全面的描述,并提供了大量的图表以及具体数据。
  《4族、3-5和2-6族半导体材料的特性》可以在作为相关领域材料和器件工程师的参考资料,也可以作为从事半导体材料、半导体器件与物理、半导体材料生长等相关领域教学和研究工作的教师和学生参考。
【作者简介】
  SadaoAdachi
  日本郡马大学电子工程系几乎所有具有实际应用价值的半导体材料都是IV族、III-V族和Il-Vl族材料,这些半导体材料的技术应用范围非常广泛。
【目录】
译者前言
丛书前言
原书前言
致谢与献辞
1结构特性
1.1电离度
1.1.1定义
1.1.2电离度值
1.2元素同位素丰度和分子量
1.2.1元素同位素丰度
1.2.2分子量
1.3晶体结构和空间群
1.3.1晶体结构
1.3.2空间群
1.4晶格常数和相关参数
1.4.1晶格常数
1.4.2分子和晶体密度
1.5结构相变
1.6解理
1.6.1解理面
1.6.2界面能
参考文献

2热学性能
2.1熔点及其相关参数
2.1.1相图
2.1.2熔点
2.2比热
2.3德拜温度
2.4热膨胀系数
2.5热导率和热扩散率
2.5.1热导率
2.5.2热扩散率
参考文献

3弹性性能
3.1弹性常数
3.1.1概述
3.1.2室温值
3.1.3外部微扰影响
3.2三阶弹性常数
3.3杨氏模量、泊松比及相关性质
3.3.1杨氏模量和泊松比:立方点阵
3.3.2体模量、切变模量及相关性质:立方点阵
3.3.3杨氏模量和泊松比:六方点阵
3.3.4体模量、剪切模量及相关性质:六方点阵
3.4显微硬度
3.5声速
参考文献

4晶格动力学性质
4.1声子色散关系
4.1.1布里渊区
4.1.2声子散射曲线
4.1.3声子态密度
4.2声子频率
4.2.1室温下的值
4.2.2外部微扰效应
4.3Grtineisen参数
4.4声子畸变势
4.4.1立方晶格
4.4.2六方晶格
参考文献

5集体效应和响应特性
5.1压电常数和机电系数
5.1.1压电常数
5.1.2机电耦合系数
5.2Frohlich耦合系数
参考文献

6能带结构:禁带宽度
6.1基本性质
6.1.1能带结构
6.1.2电子状态密度
6.2E0带隙区域
6.2.1有效г点哈密顿算符
6.2.2室温值
6.2.3外部扰动作用
6.2.4掺杂作用
6.3能量较大的直接带隙
6.3.1立方晶系半导体
6.3.2六方晶系和菱方晶系半导体
6.4最小间接带隙
6.4.1室温值
6.4.2外部扰动作用
6.5导带能谷间的能量差
6.6直接-间接带隙转变压力
参考文献

7能带结构:有效质量
7.1电子有效质量:г能谷
7.1.1概述
7.1.2数值
7.1.3极化子影响
7.1.4外部扰动和掺杂效应
7.2电子有效质量:卫星能谷
7.2.1“驼峰”结构
7.2.2数值
7.3空穴有效质量
7.3.1有效г价带哈密顿算符和Luttinger参数
7.3.2数值
7.3.3极化子影响
7.3.4外部扰动和掺杂影响
参考文献

8形变势
8.1谷内形变势:г点
8.1.1导带
8.1.2价带
8.1.3E0带隙
8.1.4光学声子形变势
8.2谷内形变势:高对称性点
8.2.1L点
8.2.2X点
8.3带间形变势
8.3.1概述
8.3.2数值
参考文献

9电子亲和势和肖特基势垒高度
9.1电子亲和势
9.1.1概述
9.1.2数值
9.2肖特基势垒高度
9.2.1理想的肖特基一莫特接触
9.2.2个案研究:金/半导体接触
9.2.3表面重构和外部扰动效应
9.2.4击穿电压
参考文献

10光学特性
10.1光色散关系总结
10.1.1介电常数
10.1.2光色散关系
10.1.3光学求和规则
10.1.4光谱
10.2余辉区
10.2.1静态和高频介电常数
10.2.2余辉区谱
10.2.3多声子光吸收谱
10.3本征吸收边及近边区域
10.3.1自由激子束缚能和相关参数
10.3.2折射率
10.3.3本征吸收边的光吸收
10.3.4Urbach带尾态
10.4带间跃迁区域
10.4.1介电函数模型
10.4.2本征光谱
……
11光弹、电光和非线性光学性能
12载流子的输运特性
参考文献
点击展开 点击收起

—  没有更多了  —

以下为对购买帮助不大的评价

此功能需要访问孔网APP才能使用
暂时不用
打开孔网APP