微电子工艺原理与技术
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浙江嘉兴
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作者田丽；王蔚；刘红梅；任明远
出版社哈尔滨工业大学出版社
ISBN9787560390673
出版时间2021-08
装帧其他
开本16开
定价78元
货号31249666
上书时间2024-09-14
商品详情
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目录
绪论
0.1 何谓微电子工艺
0.2 微电子工艺发展历程
0.3 微电子工艺特点
0.4 内容结构
第1篇 硅衬底
第1章 单晶硅特性
1.1 硅晶体的结构特点
1.2 硅晶体缺陷
1.3 硅晶体中的杂质
本章小结
第2章 硅片的制备
2.1 多晶硅的制备
2.2 单晶硅生长
2.3 切制硅片
本章小结
第3章 外延
3.1 概述
3.2 气相外延
3.3 分子束外延
3.4 其他外延方法
3.5 外延缺陷与外延层检测
本章小结
习题
第2篇 氧化与掺杂
第4章 热氧化
4.1 二氧化硅薄膜概述
4.2 硅的热氧化
4.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备
4.4 热氧化过程中杂质的再分布
4.5 氧化层的质量及检测
4.6 其他氧化方法
本章小结
第5章 扩散
5.1 扩散机构
5.2 晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程
5.3 杂质的扩散掺杂
5.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素
5.5 扩散工艺条件与方法
5.6 扩散工艺质量与检测
5.7 扩散工艺的发展
本章小结
第6章 离子注入
6.1 概述
6.2 离子注入原理
6.3 注入离子在靶中的分布
6.4 注入损伤
6.5 退火
6.6 离子注入设备与工艺
6.7 离子注入的其他应用
内容摘要
本书是哈尔滨工业大学“国家集成电路人才培养基地”教学建设成果，全书分5篇，系统地介绍了硅基芯片制造流程中普遍采用的各单项工艺技术的原理、问题、分析方法、主要设备及其技术发展趋势。第1篇硅衬底，主要介绍硅单晶的结构特点，单品硅锭的拉制及硅片(包含体硅片和外延硅片)的制造工艺及相关理论。第2～5篇介绍硅芯片制造基本单项工艺(氧化与掺杂、薄膜制备、光刻技术、工艺集成与封装测试)的原理、方法、设备，以及所依托的技
术基础及发展趋势。附录A介绍以制作双极型管为例的微电子生产实习，双极型晶体管的全部工艺步骤与检测技术；附录B介绍工艺模拟
知识和SUPREM软件。附录部分可帮助学生从理论走向生产实践，对微电子产品制造技术的原理与工艺全过程有更深入的了解。
本书可作为普通高等学校电子科学与技术、微电子学与固体电子学、微电子技
术、集成电路设计及集成系统等专业的专业课教材，也
可作为从事集成电路芯片制造的企业工程技术人员的参
考书。
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