清华大学信息科学技术学院教材·微电子光电子系列：集成电路导论

图书标准信息

• 作者 杨之廉 编
• 出版社 清华大学出版社
• 出版时间 2003-03
• 版次 1
• ISBN 9787302062622
• 定价 23.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 196页
• 字数 294千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

《清华大学信息科学技术学院教材·微电子光电子系列：集成电路导论》在简述集成电路的诞生、发展和未来后，首先介绍了半导体特性与晶体管工作原理，集成电路芯片制造技术的基本概念和步骤；然后重点讨论了基本门电路、存储器、微处理器、专用集成电路和可编程集成电路；最后介绍了芯片的设计流程、有关的设计工具以及集成电路的测试和封装。
《清华大学信息科学技术学院教材·微电子光电子系列：集成电路导论》说理清楚，内容深入浅出，与实际联系紧密，易于自学。可作为大专院校微电子学和半导体专业学生的概论课教材，也可作为各类理工科专业和部分文商科专业本科生的普及性教材，还可作为各类高级技术和管理人士学习集成电路知识的入门参考书。

【目录】

第1章绪论
1.1什么是集成电路和微电子学
1.2集成电路的诞生
1.3集成电路的发展
1.3.1应用的驱动
1.3.2集成度的提高
1.3.3摩尔定律
1.3.4专用集成电路和专用标准产品
1.3.5集成电路分类
1.4集成电路的未来
1.5微电子技术与其他学科相结合

第2章半导体基本特性与晶体管工作原理
2.1半导体的特性
2.1.1什么是半导体
2.1.2能级与能带
2.1.3电子与空穴
2.1.4N型半导体和P型半导体
2.2PN结
2.2.1平衡状态下的PN结
2.2.2正向状态下的PN结
2.2.3反向状态下的PN结
2.2.4PN结电容（空间电荷区电容）
2.3二极管
2.3.1二极管的电流与电压特性
2.3.2二极管工作时管内少数载流子的分布情况
2.3.3扩散电容
2.4双极型晶体管
2.4.1双极型晶体管的基本结构
2.4.2共基极接地方式
2.4.3共发射极接地方式
2.4.4三极管的简化大信号模型
2.4.5三极管的小信号放大效应
2.5金属—氧化物—半导体（MOS）场效应晶体管
2.5.1MOS场效应晶体管的基本结构
2.5.2反型层的形成与阈值电压
2.5.3MOS管中的电流与电压关系
2.5.4衬底偏置调制效应
2.5.5MOS管的简单模型
2.5.6MOS管的几种类型

第3章集成电路中的器件结构
3.1电学隔离的必要性和方法
3.2二极管的结构
3.3双极型晶体管的结构
3.4MOS场效应晶体管的结构
3.4.1场氧化层的作用
3.4.2CMOS电路的结构
3.5电阻的结构
3.6电容的结构
3.7接触孔、通孔和互连线

第4章集成电路芯片制造技术
4.1工艺制造中的核心步骤
4.2窗口、图形的确定与掩模版的作用
4.3各主要工艺技术
4.3.1热氧化
4.3.2热扩散掺杂
4.3.3快速热处理
4.3.4离子注入
4.3.5化学气相淀积
4.3.6光刻
4.3.7刻蚀
4.3.8选择性氧化
4.3.9金属化
4.4CMOS电路制造的主要工艺流程
4.5缺陷与成品率

第5章基本的门电路
第6章存储器类集成电路
第7章微处理器
第8章专用集成电路和可编程集成电路
第9章设计流程和设计工具
第10章集成电路的测试与封装
参考文献