宽禁带半导体电子材料与器件

图书标准信息

• 作者 沈波；唐宁
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2021-01
• 版次 1
• ISBN 9787030674401
• 定价 150.00元
• 装帧 精装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸

【内容简介】

宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的**选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种*重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。

【作者简介】

:
    沈波，江苏扬州人，长江学者、杰青、基金委创新群体带头人、973汁划项目首席科学家、863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、“战略性先进电子材料”重点研发计划总体专家组成员。分别在南京大学、中国科技大学和日本东北大学获学士、硕士和博士学位，现为北京大学宽禁带半导体研究中心主任。1995年至今一直从事GaN基宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基材料MOCVD外延生长、异质结构二维电子气输运性质、GaN基射频和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果，并先后与华为、京东方、彩虹集团等企业开展了研发合作，部分成果实现了产业化应用。迄今发表学术论文300多篇，论文被引用4000多次，获得，申请发明专利60多件，获1项国家技术发明奖二等奖、1项国家自然科学奖二等奖和多项省部级奖励。

【目录】

目录

丛书序

序

前言

第1章 绪论1

第2章 氮化物宽禁带半导体及其异质结构的物理性质6

2.1 氮化物半导体的基本物理性质6

2.2 氮化物半导体异质结构的基本物理性质10

2.3 氮化物半导体异质结构中2DEG的高场输运性质12

2.4 氮化物半导体异质结构中2DEG的量子输运性质18

2.5 氮化物半导体异质结构中2DEG的自旋性质23

参考文献27

第3章 氮化物半导体及其异质结构的外延生长34

3.1 氮化物半导体的外延生长方法概述34

3.2 氮化物半导体的同质外延生长57

3.3 氮化物半导体的异质外延生长61

参考文献79

第4章 氮化物半导体射频电子器件93

4.1 GaN基射频电子器件概述93

4.2 SiC衬底上GaN基微波功率器件94

4.3 Si衬底上GaN基射频电子器件104

4.4 GaN基超高频电子器件108

4.5 GaN基射频电子器件的应用113

参考文献119

第5章 氮化物半导体功率电子器件123

5.1 GaN基功率电子器件概述123

5.2 增强型GaN基功率电子器件及异质结构能带调制工程125

5.3 GaN基功率电子器件表面／界面局域态特性与调控136

5.4 GaN基垂直结构功率电子器件140

5.5 GaN基功率电子器件的可靠性147

5.6 GaN基功率电子器件的应用158

参考文献167

第6章 SiC半导体单晶衬底及外延材料176

6.1 SiC半导体的基本物理性质176

6.2 SiC半导体单晶衬底材料的生长179

6.3 SiC半导体材料的外延生长184

参考文献199

第7章 SiC半导体功率电子器件205

7.1 SiC基功率电子器件概述205

7.2 SiC基整流二极管206

7.3 SiC基功率开关器件216

7.4 SiC基功率电子器件的应用226

参考文献230

第8章 半导体金刚石材料与功率电子器件236

8.1 半导体金刚石的基本物理性质236

8.2 金刚石单晶材料的制备方法245

8.3 单晶金刚石衬底的制备251

8.4 高质量半导体金刚石薄膜的外延生长256

8.5 半导体金刚石的掺杂和电导调控257

8.6 金刚石基半导体功率电子器件261

参考文献269

第9章 氧化镓半导体功率电子材料与器件280

9.1 氧化镓半导体的基本物理性质280

9.2 氧化镓半导体单晶材料的生长282

9.3 氧化镓基半导体功率电子器件296

参考文献309