材料缺陷的先进计算电子结构方法
￥ 252.1 ￥ 88 九五品
仅1件
作者(瑞士)阿尔卡斯卡 等编,谌祺 等译
出版社国防工业出版社
ISBN9787118098808
出版时间2015-06
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数303页
字数99999千字
定价88元
上书时间2024-12-25
商品详情
- 品相描述：九五品
- 商品描述
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基本信息
书名:材料缺陷的先进计算电子结构方法
定价：88.00元
作者:(瑞士)阿尔卡斯卡 等编,谌祺 等译
出版社：国防工业出版社
出版日期：2015-06-01
ISBN：9787118098808
字数：382000
页码：303
版次：1
装帧：平装
开本：16开
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内容提要
本书探讨了改善运算的可能途径，运用更先进的电子结构方法以及作为修正和替代的超晶胞模型，将LDA U方法、混合及筛选函的优点与多种微扰和蒙特卡洛多体理论进行对比以进行评价，并运用基于GW和混合泛函计算的Bethe-Salpeter方程和时序密度泛函理论研究了激子效应。特别研究了如何克服有限元建模中的边界效应。本书对这些方法间的联系和基础做出了清晰的概述，介绍了特殊问题的算法选用标准。读者可以从中学到超晶胞模型的各种修正模型、作为替代品的嵌入技术以及能处理高层次复杂结构中的大量单元的改进计算方法。
目录
章 固体缺陷与杂质电子结构方法的研究进展第2章 量子蒙特卡罗方法对于固体点缺陷计算的准确性第3章 多体微扰理论下界面和缺陷的电子性质：近期的发展和应用第4章 极化基下GW计算的加速第5章 屏蔽交换密度泛函下半导体能带结构和缺陷的计算第6章 固体的HSE屏蔽杂化第7章 杂化密度泛函理论下的缺陷能级：理论和应用第8章 准确的带隙能级以及对其他缺陷性能计算可靠性的影响第9章 ZnO、SnO2和TiO2中缺陷的LDA U和杂化泛函计算0章 关于点缺陷计算中带隙修正的LDA U方法的客观评价：以ZnO中的氧空位为例1章 运用广义Koopmans定理的密度泛函计算预测极化子缺陷态2章 密度泛函理论下的其他方法SiO2的计算3章 克服宽带半导体中双极掺杂困难4章 超晶胞中带电缺陷间的静电相互作用5章 有限温度下点缺陷的形成能量6章 具有紧束速度的Kohn-Sham DFT:材料模拟当前技术和未来方向7章 半导体中浅层缺陷超精细相互作用的从头格林函数计算8章 半导体中点缺陷激发态光谱的含时密度泛函理论研究9章 选用何种电子结构研究缺陷问题：评注
作者介绍
序言
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【封面】
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