半导体集成电路制造手册
￥ 868 ￥ 268 九五品
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浙江杭州
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作者[美]Hwaiyu,Geng（耿怀渝）著,耿怀渝等 译
出版社电子工业出版社
ISBN9787121429408
出版时间2022-02
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数788页
定价268元
上书时间2024-12-21
商品详情
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基本信息
书名:半导体集成电路制造手册
定价：268.00元
作者:[美]Hwaiyu,Geng（耿怀渝）著,耿怀渝等 译
出版社：电子工业出版社
出版日期：2022-02-01
ISBN：9787121429408
字数：
页码：788
版次：2
装帧：平装
开本：16开
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内容提要
本书是一本综合性很强的半导体集成电路制造方面的参考手册，由70多位国际专家撰写，并在其前一版的基础上进行了全面的修订与更新。本书内容涵盖集成电路芯片、MEMS、传感器和其他电子器件的设计与制造过程，相关技术的基础知识和实际应用，以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。第二版新增了物联网、工业物联网、数据分析和智能制造等方面的内容，讨论了半导体制造基础、前道和后道工序、柔性复合电子技术、气体和化学品及半导体工厂的操作、设备和设施的完整细节。
目录
目 录部分 半导体制造基础章 可持续性的半导体制造――物联网及人工智能的核心t21．1 引言t21．2 摩尔定律t21．2．1 FinFET扩展了摩尔定律t31．3 集成电路与设计t31．4 微芯片的制造方法t41．4．1 晶圆制造t51．4．2 前道工序处理t51．4．3 后道工序处理t81．5 先进技术t91．5．1 IoT、IIoT和CPSt91．5．2 物联网要素系统或组织结构t91．5．3 物联网生态系统或使用者t101．5．4 物联网分类系统或合作伙伴t101．6 数据分析与人工智能t101．7 半导体的可持续性t111．8 结论t121．9 参考文献t131．10 扩展阅读t15第2章 纳米技术和纳米制造：从硅基到新型碳基材料及其他材料t172．1 引言t172．2 什么是纳米技术t172．3 为什么纳米技术如此重要t172．4 纳米技术简史t182．5 纳米尺度制造的基本方法t192．6 纳米计量技术t242．7 纳米技术制造t252．8 应用和市场t252．9 影响力和管理t262．10 结论t262．11 参考文献t272．12 扩展阅读t31第3章 FinFET的基本原理和纳米尺度硅化物的新进展t323．1 引言t323．2 FinFET的基本原理t323．3 纳米尺度硅化物的新进展t353．3．1 引言t353．3．2 纳米尺度FinFET的硅化物接触技术t363．3．3 Si纳米线中硅化物的外延生长t423．4 结论t513．5 参考文献t51第4章 微机电系统制造基础：物联网新兴技术t544．1 微机电系统和微系统技术的定义t544．2 微系统技术的重要性t544．3 微系统技术基础t554．3．1 微传感器技术t554．3．2 微驱动器技术t564．3．3 用于微系统的材料t574．3．4 MEMS的设计工具t584．4 MEMS制造原理t584．4．1 前段微机械制造工艺t584．5 展望t674．6 结论t684．7 参考文献t684．8 扩展阅读t70第5章 高性能、低功耗、高可靠性三维集成电路的物理设计t715．1 引言t715．1．1 晶体管缩小的根本限制因素t715．1．2 导线互连的延迟和功耗的上升t725．1．3 什么是三维芯片t725．2 三维芯片的设计流程t735．3 三维芯片的物理设计面临的挑战t735．3．1 三维布局问题t735．3．2 三维时钟树t745．3．3 三维热管理t745．3．4 三维电源管理t745．3．5 三维芯片的可靠性问题t755．4 三维芯片的物理设计方案t765．4．1 三维布局算法t765．4．2 三维时钟树综合t765．4．3 三维芯片的散热方案t775．4．4 三维芯片的电源网络设计t775．4．5 三维电路的可靠性预测和优化t785．5 结论和展望t785．6 参考文献t79第二部分 前 道 工 序第6章 外延生长t846．1 引言t846．1．1 外延生长基础t846．1．2 生长技术和设备t856．1．3 分子束外延t856．1．4 化学气相沉积t876．1．5 化合物半导体的MOCVD工艺t886．1．6 外延工艺：概述t886．1．7 氮化镓(GaN)的MOCVD工艺t916．1．8 GaN外延层材料的表征和分析t936．1．9 外延制造t966．1．10 管理程序t966．2 安全和环境健康t976．3 展望t976．4 结论t986．5 参考文献t986．6 扩展阅读t99第7章 热处理工艺――退火、RTP及氧化t1007．1 引言t1007．2 热处理t1007．2．1 热输运t1007．2．2 退火t1037．2．3 扩散t1037．2．4 致密/回流t1047．2．5 硅化物t1057．2．6 钝化t1057．2．7 缺陷t1057．3 快速热处理t1067．3．1 RTP装置t1067．3．2 辐射性t1077．3．3 加工效应t1077．4 氧化t1077．4．1 硅蚀坑t1097．4．2 SiO2薄膜质量t1097．4．3 湿氧氧化方法t1097．4．4 激子氧化t1097．4．5 缺陷t1107．5 制造要点t1117．5．1 拥有成本t1117．5．2 统计过程控制t1117．5．3 良率t1127．6 结论t1127．7 致谢t1127．8 参考文献t1137．9 扩展阅读t114第8章 光刻工艺t1158．1 光刻工艺t1158．1．1 衬底准备t1158．1．2 光刻胶旋涂t1168．1．3 涂胶后烘烤t1168．1．4 对准和曝光t1178．1．5 曝光后烘烤t1188．1．6 显影t1198．2 光学光刻中图像的形成t1198．2．1 衍射t1208．2．2 成像t1218．2．3 部分相干性t1228．2．4 像差与失焦t1238．2．5 浸没式光刻t1248．3 光刻胶化学t1258．3．1 曝光反应动力学t1258．3．2 化学增强胶t1258．3．3 溶解t1278．4 线宽控制t1298．5 套刻控制t1318．6 光学光刻的限制t1318．7 扩展阅读t134第9章 刻蚀工艺t1359．1 引言t1359．2 湿法刻蚀t1369．2．1 硅的各向同性湿法刻蚀t1369．2．2 硅的各向异性湿法刻蚀t1379．2．3 氧化硅和氮化硅的湿法刻蚀t1389．2．4 金属薄膜湿法刻蚀t1389．3 干法刻蚀t1389．3．1 基本等离子刻蚀系统t1389．3．2 等离子体刻蚀机制t1409．3．3 干法刻蚀系统t1419．3．4 与干法刻蚀有关的问题t1439．3．5 硅、氧化硅和氮化硅的干法刻蚀t1449．3．6 III-V族半导体的刻蚀t1459．3．7 其他材料的刻蚀t1459．4 结论t1469．5 致谢t1469．6 参考文献t1469．7 扩展阅读t1470章 离子注入t14810．1 综述t14810．1．1 离子注入定义t14810．1．2 历史t14810．1．3 离子注入设备基本部件t14810．2 现代离子注入设备综述t14910．2．1 大束流注入机t15010．2．2 中束流注入机t15010．2．3 高能注入机t15110．3 离子注入应用t15210．3．1 应用范围t15210．3．2 工艺挑战和测量t15410．4 展望t15410．5 参考文献t1551章 物理气相沉积t15811．1 使用动机和关键属性t15811．2 PVD工艺的基本原理t15811．3 真空蒸发t15911．4 蒸发设备t16111．4．1 余弦定律t16211．5 蒸发沉积层及其性质t16211．6 溅射t16311．6．1 定义t16311．6．2 原理t16411．6．3 薄膜的微观结构与力学性能t16411．7 溅射设备t16511．7．1 直流溅射t16611．7．2 高频/射频溅射t16711．7．3 自偏压效应t16711．7．4 偏压溅射t16711．7．5 反应溅射t16811．7．6 磁控溅射t16911．7．7 溅射系统的布局和部件t16911．8 溅射沉积层t17111．8．1 台阶覆盖t17111．8．2 脉冲激光沉积t17211．8．3 结论和展望t17311．9 参考文献t1732章 化学气相沉积t17412．1 引言t17412．1．1 同相成核和异相成核t17412．1．2 各种类型的CVDt17512．1．3 结论t17812．2 发展历程t17812．2．1 硅基微电子和其他领域中的CVD应用t17812．2．2 其他材料t17912．3 保形CVD薄膜及无空隙填充t17912．3．1 基本问题t17912．3．2 台阶覆盖率t18012．3．3 表面反应概率βt18112．4 热力学和动力学分析t18112．4．1 热力学机制t18112．4．2 动力学机制t18212．5 展望未来：新兴电子材料t18212．5．1 二维材料t18212．5．2 氧化物和氮化物薄膜t18312．5．3 结论t18412．6 参考文献t1843章 原子层沉积t19113．1 引言t19113．1．1 ALD的基本原理t19213．2 ALD的主要商业应用t19213．3 ALD在前沿半导体制造中的应用t19313．4 ALD的发展过程t19313．4．1 建立温度窗口t19313．4．2 确保足够的反应物输运到表面t19313．4．3 确保对反应区域进行充分的吹扫或抽离t19413．5 选择合适的ALD前驱体和反应物t19413．6 硬件和流程的创新以提高ALD的生长速率t19513．7 ALD过程中等离子体的应用t19513．8 ALD过程中的硬件要求t19613．9 原子层化学沉积的逆向过程：原子层刻蚀t19613．10 参考文献t19613．11 扩展阅读t1974章 电化学沉积t19814．1 引言t19814．2 ECD的基本原理t19814．2．1 电解沉积t19814．2．2 无电沉积t20014．3 电化学沉积的应用t20114．3．1 铜互连t20114．3．2 硅通孔t20214．3．3 透膜电镀t20314．3．4 无电沉积t20414．4 展望t20514．5 结论t20514．6 参考文献t2065章 化学机械抛光基础t20715．1 引言t20715．2 如何理解化学机械抛光基础的重要性t20715．3 化学机械抛光的诞生t20815．4 抛光和平坦化t20915．5 化学机械抛光工艺流程t20915．6 化学机械抛光工艺原理t21015．7 化学机械抛光耗材t21115．7．1 抛光液t21115．7．2 抛光垫t21415．7．3 抛光垫调节器t21515．8 化学机械抛光与互连t21615．9 化学机械抛光后道清洗t21715．9．1 过滤器t21815．9．2 工艺设备t21815．10 结论t21915．11 致谢t21915．12 参考文献t2196章 AFM计量t22216．1 引言t22216．2 计量：基础和原理t22316．2．1 测量系统的性能指标t22316．2．2 新的测量系统指标和Fleet测量不确定度t22416．2．3 混合计量t22416．3 AFM技术与基础t22516．3．1 AFM扫描仪t22516．3．2 形貌成像扫描模式t22516．3．3 其他扫描模式t22716．4 用于线上计量的自动化AFMt22716．4．1 用于CD计量的CD-AFMt22916．4．2 原子力轮廓仪t22916．4．3 自动缺陷审查t23016．4．4 用于掩模制造的线上AFMt23116．5 维护和校准t23116．6 结论t23216．7 参考文献t23216．8 扩展阅读t235第三部分 后 道 工 序7章 晶圆减薄和芯片切割t23817．1 引言t23817．2 减薄技术概要：研磨t23817．2．1 研磨磨轮t23917．2．2 研磨点t23917．2．3 工艺质量t23917．3 减薄工艺和设备t24017．3．1 研磨部分t24017．3．2 使用在线测量仪来控制厚度t24017．3．3 清洗t24017．4 减薄技术、应力释放和其他要求t24117．4．1 晶圆减薄t24117．4．2 应力释放t24117．4．3 吸杂t24217．4．4 非接触式测量t24217．4．5 在线系统t24317．4．6 晶圆支撑系统t24317．4．7 TAIKO工艺t24317．5 分割技术概论及刀片切割t24317．5．1 切割刀片t24417．5．2 刀片切割的工艺要点t24417．5．3 切割质量t24417．6 分割工艺和设备t24517．6．1 切割机类型t24517．6．2 全自动切割机的基本功能t24517．6．3 双轴系统的应用t24617．7 激光技术t24717．7．1 激光烧蚀t24717．7．2 低介电常数开槽t24717．7．3 激光全切割t24717．7．4 隐形切割t24817．7．5 激光切割的潜在应用t24817．8 先切割后研磨(DBG)和先隐形切割后研磨(SDBG)t24917．8．1 先切割后研磨t24917．8．2 先隐形切割后研磨t24917．9 基于TSV的三维集成t25017．9．1 三维集成的优势t25017．9．2 工艺集成t25017．9．3 减薄的相关主题：边缘修整、自动总厚度变化检测和高水准清洗t25117．9．4 TSV晶圆的分割方法t25217．9．5 晶圆减薄对元器件特性的影响t25317．10 参考文献t2548章 封装t25618．1 引言t25618．1．1 电子封装与组装基础t25618．1．2 电子封装预测t26018．1．3 电子封装行业t26318．2 封装技术t26318．2．1 周围阵列和面阵列封装t26418．2．2 芯片尺寸封装t26518．2．3 晶圆级封装t26518．2．4 埋置技术t26518．2．5 更高集成度的封装t26718．3 晶圆级凸点和再布线技术t26918．3．1 工艺技术t26918．3．2 晶圆级凸点设备t28018．3．3 材料t28718．4 案例分析t29218．4．1 仅含再布线的WLP(Biotronik、Micro System Engineering、Fraunhofer IZM)t29218．4．2 高密度多芯片模块封装像素探测器系统(ATLAS联盟)t29318．4．3 SAW的芯片尺寸封装t29418．4．4 图像传感器的晶圆级封装t29518．5 光电子器件和MEMS的封装t29618．6 参考文献t29718．7 扩展阅读t3009章 键合的基本原理t30119．1 引言t30119．1．1 发展历史与现状t30119．1．2 不同类型的引线键合工艺t30119．2 引线键合设备t30319．2．1 引线键合机的子系统t30319．2．2 引线键合机系统的性能t30519．3 引线键合过程t30719．3．1 形成自由空气球的过程t30719．3．2 键合工艺t30819．3．3 第二键合工艺t31019．3．4 焊环工艺t31119．4 结论和展望t31319．5 参考文献t313第20章 互连的可靠性t31520．1 引言t31520．1．1 基础概念t31520．1．2 要求和标准t31520．2 电迁移t31620．3 应力迁移t31820．4 介质击穿t31920．5 结论t32020．6 参考文献t32120．7 扩展阅读t324第21章 自动测试设备t32521．1 自动测试设备简介t32521．2 ATE历史t32721．2．1 ATE分类t33021．3 数字测试仪t33021．3．1 数字测试t33021．3．2 功能、结构和基于缺陷的测试t33121．3．3 高速数字测试t33221．3．4 确定性与非确定性行为t33221．3．5 数字测试的基本设置t33321．3．6 基于协议的测试t33321．4 线性测试仪t33321．4．1 线性器件测试t33321．4．2 线性器件测试仪t33321．4．3 线性器件测试的基本设置t33421．5 混合信号测试仪t33421．5．1 混合信号器件的基本模块t33421．6 存储器测试仪t33521．6．1 存储器测试t33521．6．2 存储器测试的基本设置t33621．7 闪存测试仪t33621．7．1 闪存测试t33621．7．2 闪存测试的基本设置(典型测试)t33721．7．3 典型的生产测试流程t33721．7．4 闪存测试面对的问题t33721．7．5 闪存的发展趋势t33821．8 RF测试仪t33821．8．1 RF器件测试t33821．8．2 RF的构建模块t33821．8．3 系统级测试t33921．9 SoC测试仪t33921．9．1 SoC器件t33921．9．2 SoC测试t34021．9．3 SoC测试结构t34121．10 老化测试仪t34121．11 设计诊断设备t34221．12 ATE市场规模t34221．13 ATE的结构t34321．13．1 数字测试仪的结构t34421．13．2 线性器件测试仪的结构t34621．13．3 混合信号测试仪的结构t34621．13．4 存储器测试仪的结构t34821．14 闪存测试仪的结构t34921．15 RF测试仪的结构t35021．16 SoC测试仪的结构t35021．17 DFT测试方法t35121．18 基于云的DFT测试仪的出现t35221．19 ATE规格t35321．20 ATE的数据格式t35421．21 制造商和ATE模型t35521．21．1 Teradyne公司t35521．21．2 Advantest公司t35621．21．3 Xcerra公司t35621．21．4 UniTest公司t35621．21．5 FEI公司t35721．21．6 Chroma ATE公司t35721．21．7 National Instruments公司t35721．21．8 SPEA公司t35721．21．9 Aehr Test Systems公司t35721．21．10 Micro Control公司t35821．22 未来ATE的发展方向t35821．22．1 测试成本t35821．22．2 替代的测试方法(Dfx/BIST/SLT)t35921．22．3 功率和热管理t36021．22．4 MEMS和传感器测试t36021．23 致谢t36021．24 扩展阅读t360第四部分 柔性技术、复合电子和大面积电子第22章 印刷电子器件：原理、材料、工艺及应用t36422．1 印刷电子器件简介t36422．2 印刷电子器件：原理及基础t36422．3 用于印刷电子器件的材料t36622．4 印刷电子器件的制造工艺t36722．4．1 丝网印刷t36722．4．2 凹版印刷t36722．4．3 喷墨印刷t36822．4．4 气溶胶喷墨印刷t36822．5 主要挑战和潜在解决方案t36922．6 应用案例t37022．6．1 互连t37022．6．2 有机发光二极管t37122．6．3 超高频射频识别t37222．7 结论t37322．8 参考文献t373第23章 柔性复合电子器件t37623．1 引言t37623．2 什么是柔性复合电子器件t37623．3 为什么需要柔性复合电子器件t37723．4 如何制造柔性复合电子器件t37823．5 结论和展望t38123．6 参考文献t381第24章 柔性电子器件t38324．1 柔性电子器件的应用t38324．1．1 柔性显示t38324．1．2 柔性太阳能电池t38324．1．3 柔性传感器t38324．1．4 柔性晶体管和CMOS电路t38324．2 柔性电路的关键材料t38424．2．1 基底材料t38424．2．2 有机半导体及介电材料t38524．2．3 二维材料t38624．2．4 柔性导电材料t38624．3 柔性电路制造技术t38724．4 结论和展望t38824．5 参考文献t38824．6 扩展阅读t390第25章 射频印刷电子：物联网和智能皮肤应用的通信、传感和能量收集t39125．1 引言t39125．2 印刷工艺和材料t39125．2．1 喷墨印刷t39125．2．2 3D打印t39225．3 印刷射频电路的应用t39225．3．1 天线t39325．3．2 传感平台t39425．3．3 能量收集系统t39825．4 结论t39925．5 参考文献t399第26章 纳米电子器件和功率电子器件的印刷制造t40126．1 引言t40126．2 纳米定向组装和转移t40126．3 在功率电子器件中的应用t40326．3．1 印刷高性能逻辑电路t40326．3．2 印刷功率电子器件的三维互连t40526．4 参考文献t405第27章 柔性电子中的三维互连t40927．1 引言t40927．2 纳米定向组装技术t40927．3 三维互连制造工艺t41027．4 材料特性t41227．5 电学特性t41227．6 工艺适用范围t41327．7 与其他技术的比较t41327．8 参考文献t414第28章 喷墨印刷触摸传感器材料t41628．1 引言t41628．2 材料和工艺优化t41728．3 加成工艺参数t42228．3．1 温度t42228．3．2 墨滴间距t42228．3．3 预处理t42328．3．4 黏度和波形编辑t42328．4 触摸屏显示器t42528．4．1 触摸传感器的布局t42528．4．2 触摸传感器印刷材料t42528．4．3 触摸传感器的印刷过程t42628．4．4 触摸传感器的电容性能t42628．5 结论t43028．6 致谢t43028．7 参考文献t43028．8 扩展阅读t431第29章 平板与柔性显示器技术t43229．1 引言t43229．2 显示器技术相关术语的定义t43229．3 显示器技术的基础与原理t43429．3．1 显示质量t43429．3．2 显示器的基本结构和特征t43529．3．3 各种显示器技术的比较t43929．4 显示器的制造工艺t44129．4．1 薄膜工艺t44129．4．2 厚膜工艺t44129．4．3 显示单元形成工艺t44129．4．4 老化和测试工艺t44129．5 未来趋势和结论t44229．5．1 技术趋势t44229．5．2 应用趋势t44329．5．3 结论t44329．6 扩展阅读t444第30章 光伏基础知识、制造、安装和运营t44530．1 引言t44530．1．1 太阳能的概念t44530．1．2 为何选择太阳能t44530．1．3 全球
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