抗辐射电子学：辐射效应及加固原理

图书标准信息

• 作者 赖祖武 编
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 1998-07
• 版次 1
• ISBN 9787118018660
• 定价 18.00元
• 装帧 平装
• 开本 其他
• 纸张 胶版纸
• 页数 363页
• 字数 306千字

【内容简介】

本书主要介绍抗辐射电子学内在的较完整的理论与实践相结合的体系，包括：对强辐射环境特性参数分析；电子材料辐射效应与损伤机理的物理学基础；各种有源半导体元器件与集成电路的辐射效应与加固技术；强电磁场对电子系统的损伤效应与加固方法；电子系统的总体加固设计与评价；辐射效应实验的模拟源和测试技术；半导体元器件和集成电路辐射效应的计算分析与预测。

【目录】

第一章  绪论

第二章  主要的强辐射环境

  2.1  空间辐射环境

    2.1.1  宇宙射线  

    2.1.2  太阳风  

    2.1.3  极光辐射  

    2.1.4  范·艾伦辐射带

  2.2  核爆炸的核辐射环境

  2.3  核电磁脉冲环境

    2.3.1  高空核电磁脉冲  

    2.3.2  低空及地面核爆炸电磁脉冲  

    2.3.3  地下核爆炸电磁脉冲  

  2.4  内电磁脉冲

  2.5  系统电磁脉冲

    2.5.1  绝缘体的康普顿充电效应  

    2.5.2  金属导体的丁辐射感生电流  

  2.6  高功率微波

  2.7  几种实验装置的辐射环境  

  参考文献

第三章  MOS场效应晶体管的辐射效应及加固技术

  3.1  概述

  3.2  MOS场效应晶体管（MOSFET）的主要参数

  3.3  电离辐射在SiO2中形成空间电荷的机制

    3.3.1  空穴迁移模型  

    3.3.2  SiO2中空间电荷的结构  

    3.3.3  SiO2中俘获的正空间电荷的激活能  

    3.3.4  俘获空穴的退火过程 

    3.3.5  钠离子的影响  

  3.4  电离辐射在Si/SiO2界面产生的界面态

    3.4.1  界面态特征

    3.4.2  MOS器件电离辐射产生界面态的过程

    3.4.3  影响界面态建立过程的因素  

    3.4.4  界面态建立的模型  

    3.4.5  MOSFET低温辐射后退火过程中形成界面态的研究

    3.4.6  电离辐射产生的界面态在禁带能级中的转移  

  3.5  MOSFET的电离辐射效应及加固技术

    3.5.1  MOSFET的电离辐射效应

    3.5.2  衬底材料的影响及加固选择  

    3.5.3  氧化的环境、温度和氧化后的退火对辐射效应的影响

    3.5.4  氧化层厚度的影响  

    3.5.5  其他影响因素  

    3.5.6  MOS器件抗电离辐射加固的原则

  参考文献

第四章  双极型、结型场效应、静电感应型晶体管的辐射效应及加固技术

  4.1  概述

  4.2  双极晶体管的辐射效应及加固技术

    4.2.1  辐射对晶体管电参数的影响  

    4.2.2  γ射线或X射线的瞬时辐射效应  

    4.2.3  双极型晶体管抗辐射加固技术  

  4.3  几种提高抗瞬时电离辐射能力的晶体管补偿电路

    4.3.1  射极电阻负反馈

    4.3.2  二极管分流

    4.3.3  二极管钳位

    4.3.4  负反馈分流作用

  4.4  结型场效应晶体管（JFET）的辐射效应和加固技术

    4.4.1  结型场效应晶体管的结构及其主要参数

    4.4.2  JFET的辐射效应

  4.5  静电感应晶体管（SIT）的中子辐射效应

    4.5.1  静电感应晶体管的辐射效应

    4.5.2  双极模式静电感应晶体管（BSIT）的中子辐射效应

   ……

第五章　集成电路的辐射效应及加固技术

第六章　强电磁场对电子系统的损伤效应及加固方法

第七章　电子系统的总体加固设计及评价

第八章　核辐射与电磁脉冲效应的测试方法

第九章　半导体器件和集成电路辐射效应的计算机模拟分析预测