半导体薄膜技术与物理（第三版）

图书标准信息

• 作者 叶志镇
• 出版社 浙江大学出版社
• 出版时间 2021-06
• 版次 1
• ISBN 9787308209489
• 定价 59.00元
• 装帧 其他
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 272页
• 字数 424千字

【内容简介】

:
本书全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础，全书共分十一章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸镀、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，第十一章介绍了溶液法技术及发光器件的制备。本书文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。本书具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。本书读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书。

【作者简介】

【目录】

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第1章真空技术

1.1真空的基本概念

1.1.1真空的定义

1.1.2真空度单位

1.1.3真空区域划分

1.2真空的获得

1.3真空度测量

1.3.1热传导真空计

1.3.2热阴极电离真空计

1.3.3冷阴极电离真空计

1.4真空度对薄膜工艺的影响

参考文献

第2章蒸发技术

2.1发展历史与简介

2.2蒸发的种类

2.2.1电阻热蒸发

2.2.2电子束蒸发

2.2.3高频感应蒸发

2.2.4激光束蒸发

2.2.5反应蒸发

2.3蒸发的应用实例

2.3.1Cu（In，Ga）Se2薄膜

2.3.2ITO薄膜

参考文献

第3章溅射技术

3.1溅射基本原理

3.2溅射主要参数

3.2.1溅射阈和溅射产额

3.2.2溅射粒子的能量和速度

3.2.3溅射速率和淀积速率

3.3溅射装置及工艺

3.3.1阴极溅射

3.3.2三极溅射和四极溅射

3.3.3射频溅射

3.3.4磁控溅射

3.3.5反应溅射

3.4离子成膜技术

3.4.1离子镀成膜

3.4.2离子束成膜

3.5溅射技术的应用

3.5.1溅射生长过程

3.5.2溅射生长ZnO薄膜的性能

参考文献

第4章化学气相沉积

4.1概述

4.2硅化学气相沉积

4.2.1CVD反应类型

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