• 半导体器件完全指南(原书第2版)
  • 半导体器件完全指南(原书第2版)
  • 半导体器件完全指南(原书第2版)
  • 半导体器件完全指南(原书第2版)
  • 半导体器件完全指南(原书第2版)
  • 半导体器件完全指南(原书第2版)
  • 半导体器件完全指南(原书第2版)
  • 半导体器件完全指南(原书第2版)
  • 半导体器件完全指南(原书第2版)
  • 半导体器件完全指南(原书第2版)
21年品牌 40万+商家 超1.5亿件商品

半导体器件完全指南(原书第2版)

书皮有折

131 九品

仅1件

河北石家庄
认证卖家担保交易快速发货售后保障

作者[美]伍国钰(Ng K.K) 著;李秋俊 注

出版社科学出版社

出版时间2009-07

版次1

装帧平装

上书时间2024-06-20

书友kw4011153的书摊

已实名 进店 收藏店铺

   商品详情   

品相描述:九品
图书标准信息
  • 作者 [美]伍国钰(Ng K.K) 著;李秋俊 注
  • 出版社 科学出版社
  • 出版时间 2009-07
  • 版次 1
  • ISBN 9787030246998
  • 定价 88.00元
  • 装帧 平装
  • 开本 32开
  • 纸张 胶版纸
  • 页数 713页
  • 正文语种 简体中文
【内容简介】
  本书全面介绍了从第一只电阻器出现至今的200多种半导体器件,并对每种器件的背景知识、结构、原理及应用做了完整的概述。器件类型不仅包括早期或已淘汰的器件,更包括新近的量子器件:不仅包括通用器件,还包括专用器件等。并且在附录中收录了一些最基本的器件物理知识。《半导体器件完全指南(原书第2版)》的编排可以让广大读者快速了解各类半导体器件,同时也可就某一类器件展开深入的学习与研究。《半导体器件完全指南(原书第2版)》具有如下特点:收录最全;反映最新器件研究水平;编排独特。
  《半导体器件完全指南(原书第2版)》是微电子学、电子科学与技术、材料学等专业的高校师生和从业工程师等在理论学习、科学研究以及实际工作中必备的教科书和参考书。
【作者简介】
  伍国珏,1975年获罗格斯大学电气工程专业学士学位,1979年获哥伦比亚大学电气工程专业博士学位:自1980年起,在位于新泽西州墨累山(MurrayH)的杰尔系统(最早属于AT&T的贝尔实验室,后因AT&T被拆分归属于朗讯科技,已于2007年被LslLogic兼并)担任技术主管:主要从事siMOS器件、SiGe异质结双极型晶体管、以及新近出现的化合物半导体高速高功率器件方面的研究:还担任了IEEEElectronDeviceLetterls的编辑以及IEEE出版社的联络员。
【目录】
再版前言
前言
引言
二极管Ⅰ:整流器
第1章p—n结二极管
1.1历史
1.2结构
1.3特性
1.4应用
1.5相关器件
1.5.1齐纳二极管
1.5.2阶跃恢复二极管
1.5.3异型异质结
1.5.4变容二极管

第2章p-i-n二极管
第3章肖特基势垒二极管
3.5.1莫特势垒
3.5.2金属.绝缘体.半导体隧道二极管
第4章平面掺杂势垒二极管
4.5.1双峰式二极管
4.5.2平面掺杂势垒场效应晶体管
第5章同型异质结
5.5.1缓变结构势垒

二极管Ⅱ:负阻N形
第6章隧道二极管
6.5.1反向二极管
第7章转移电子器件
第8章共振隧穿二极管
8.5.1共振隧穿场效应晶体管
第9章共振带间隧穿二极管
第10章单势垒隧道二极管
第11章单势垒带间隧穿二极管
第12章实空间转移二极管

二极管Ⅲ:负阻效应S形
第13章金属一绝缘体一半导体开关
13.5.1金属.绝缘体.半导体.金属开关
13.5.2金属.绝缘体.半导体.绝缘体.金属开关
第14章平面掺杂势垒开关
14.5.1多晶硅n-p开关
14.5.2双异质结构光电子开关
第15章无定形半导体阈值开关
15.5.1无定形半导体存储开关
第16章异质结构热电子二极管

二极管Ⅳ:负阻渡越时间
第17章碰撞电离雪崩渡越时阿二极管
17.5.1俘获等离子体雪崩触发渡越二极管
17.5.2双速雪崩渡越时间二极管
17.5.3混合隧道雪崩渡越时间二极管

第18章势垒注入渡越时间二极管
18.5.1双速渡越时间二极管
18.5.2隧道注入渡越时间二极管
18.5.3量子阱注入渡越时间二极管电阻和电容器件

第19章电阻器
19.5.1变阻器
19.5.2电势计
19.5.3n-i-n二极管

第20章金属一氧化物一半导体电容器
20.5.1金属.绝缘体.半导体电容器
20.5.2平板电容器

第21章电荷耦合器件
21.5.1埋沟电荷耦合器件
21.5.2蠕动电荷耦合器件
21.5.3成型蠕动式电荷耦合器件
21.5.4戽链器件

晶体管Ⅰ:场效应
第22章金属.氧化物一半导体场效应晶体管
22.5.1双扩散金属.氧化物.半导体晶体管
22,5.2横向扩散金属.氧化物.半导体晶体管
22.5.3六角形场效应晶体管
22.5.4v形槽(或纵向)金属、氧化物.半导体晶体管
22.5.5u形槽金属、氧化物、半导体晶体管
22.5.6薄膜晶体管
22.5.7金属、绝缘体、半导体场效应晶体管
22.5.8压敏场效应晶体管
第23章结型场效应晶体管
23.5.1V形槽场效应晶体管
第24章金属、半导体场效应晶体管
第25章调制掺杂场效应晶体管
25.5.1倒置异质结场效应晶体管
25.5.2平面掺杂异质结场效应晶体管
25.5.3单量子阱异质结场效应晶体管
25.5.4超晶格异质结场效应晶体管
25.5.5赝异质结场效应晶体管
25.5.6异质结绝缘栅场效应晶体管
25.5.7半导体.绝缘体.半导体场效应晶体管
25.5.8掺杂沟道异质结场效应晶体管

第26章可渗基区晶体管
第27章静电感应晶体管
第28章实空间转移晶体管
第29章平面掺杂场效应晶体管
第30章表面隧道晶体管
30.5.1肖特基隧道晶体管
第31章横向共振隧穿场效应晶体管
第32章斯塔克效应晶体管
第33章速度调制晶体管

晶体管Ⅱ:电势效应
非易失性存储器
晶闸管和功率器件
光电子器件Ⅰ:光源
光电子器件Ⅱ:光电探测器
光电子器件Ⅲ:双稳态光学器件
光电子器件Ⅳ:其他器件
传感器
索引
译后记
点击展开 点击收起

—  没有更多了  —

以下为对购买帮助不大的评价

此功能需要访问孔网APP才能使用
暂时不用
打开孔网APP