多弧离子镀沉积过程的计算机模拟

图书标准信息

• 作者 赵时璐 著
• 出版社 冶金工业出版社
• 出版时间 2013-04
• 版次 1
• ISBN 9787502462277
• 定价 26.00元
• 装帧 平装
• 开本 32开
• 纸张 胶版纸
• 页数 232页
• 字数 203千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

　　《多弧离子镀沉积过程的计算机模拟》系统介绍了多弧离子镀沉积过程的计算机模拟。全书共分13章，主要内容包括：绪论；真空镀膜技术的介绍；多弧离子镀沉积过程模拟的理论基础；多弧离子镀物理过程的分析；计算机模拟技术；数学模型的建立；程序的编制；模拟的结果；模拟结果的讨论与验证；6个模块的主要程序代码等。
　　《多弧离子镀沉积过程的计算机模拟》可供从事材料表面改性，特别是从事真空镀膜技术研究开发及实际生产应用的科技工作者阅读，也可供材料表面工程专业的本科生和研究生参考。

【目录】

1绪论
1.1引言
1.2研究意义
1.3研究内容及方法
1.3.1建立物理及数学模型
1.3.2实现模拟
1.3.3模拟结果及分析
1.4研究技术路线

2真空镀膜技术
2.1真空镀膜技术概述
2.2真空镀膜技术分类
2.2.1真空蒸发镀技术
2.2.2真空溅射镀技术
2.2.3真空离子镀技术
2.2.4束流沉积技术
2.2.5化学气相沉积技术
2.3多弧离子镀技术概述
2.3.1离子镀技术发展
2.3.2多弧离子镀技术特点
2.3.3多弧离子镀技术原理

3多弧离子镀沉积过程的理论基础
3.1真空物理基础
3.1.1真空度和真空区域划分
3.1.2气体分子运动论
3.2等离子体物理基础
3.2.1低温等离子体物理概述
3.2.2弧光放电特性
3.2.3带电粒子与表面的作用
3.3薄膜生长
3.3.1薄膜生长过程概述
3.3.2吸附与凝结过程

4多弧离子镀物理过程及成分离析效应
4.1多弧离子镀物理过程
4.1.1粒子蒸发过程
4.1.2粒子运动过程
4.1.3粒子吸附过程
4.2主要工艺参数
4.2.1基体负偏压
4.2.2气体分压
4.2.3弧电流强度
4.2.4本底真空度
4.2.5试样温度
4.2.6试样转动速率
4.2.7沉积时间
4.2.8磁场
4.3离化率和成分离析效应
4.3.1阴极电弧产物与离化现象
4.3.2离化率
4.3.3成分离析效应

5计算机模拟技术
5.1计算机模拟技术概述
5.1.1计算机模拟技术特点
5.1.2材料加工工艺的计算机模拟技术
5.2多弧离子镀计算机模拟技术的研究现状及发展趋势
5.2.1利用多弧离子镀技术来制备涂层的研究历程
5.2.2模拟技术的研究历程及发展趋势

6数学模型的建立
6.1电场强度计算
6.1.1杆的贡献
6.1.2上、下底的贡献
6.1.3筒壁的贡献
6.2电场强度公式转化
6.3带电粒子受力分析及其速度和位移计算
6.4模拟带电粒子运动轨迹

7程序的编制
7.1模拟内容
7.2软件介绍
7.3程序语言介绍
7.3.1面向对象的程序设计
7.3.2VisualC语言介绍
7.3.3程序设计基本步骤
7.4系统框架图
7.5系统流程图
7.6算法流程图

8粒子蒸发过程模拟
8.1粒子蒸发宏观过程
8.1.1单一元素靶材
8.1.2二元合金靶材
8.1.3多元合金靶材
8.2粒子蒸发微观过程
8.2.1单一元素靶材
8.2.2二元合金靶材
8.2.3多元合金靶材

9偏压电场分布情况模拟
9.1偏压电场分布曲线
9.2一个粒子在偏压电场内的运动

10粒子运动过程模拟
10.1单一元素靶材
10.2二元合金靶材
10.3多元合金靶材

11粒子吸附过程模拟
11.1单一元素靶材
11.2二元合金靶材
11.3多元合金靶材

12模拟结果的讨论与验证
12.1偏压电场及其分布情况
12.2偏压对涂层均匀性的影响
12.3成分离析效应分析
12.3.1成分离析效应的影响因素
12.3.2成分离析效应的效果
12.3.3成分离析效应小结
12.3.4成分离析效应的模拟结果与实验验证

13主要程序代码
13.1蒸发宏观过程模块
13.2蒸发微观过程模块
13.3偏压电场分布曲线模块
13.4偏压电场内运动模块
13.5粒子运动模块
13.6粒子附着模块
附录
附录1真空镀膜设备通用技术条件
附录2真空技术术语
参考文献