移动互联网芯片技术体系研究

图书标准信息

• 作者 陈新华 著
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2020-12
• 版次 1
• ISBN 9787121388996
• 定价 79.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 页数 200页
• 字数 240千字

【内容简介】

近年来，集成电路技术急速发展，特别是移动互联网芯片技术，知识迭代不断加快，新技术不断涌现。本书在比较全面、系统地介绍移动互联网芯片产业概况、主要终端芯片、主要技术体系的基础上，详细阐述了MEMS芯片设计的方法和移动互联网芯片先进封装可靠性检测研究的相关内容。本书可供广大移动互联网芯片技术领域的工程师、研发人员、技术管理人员和科研人员阅读参考，也可以作为相关专业高年级本科生和研究生的参考书。

【作者简介】

陈新华，北京建筑大学机电学院教师，北京交通大学机电学院博士，CFMB技术委员会专家。长期从事载运工具运用工程方向的教学和科学研究，主持了教育部产学合作协同育人项目、北京市优秀人才培养资助青年骨干个人项目、住建部科技计划项目，并作为骨干成员参与国家\"973”计划子课题、国家\"863”计划课题和核高基重大专项等课题，发表在《Materials》《Progress in Natural Science: Materials International》等SCI和EI期刊发表论文十余篇，申请及授权发明专利5项，相关成果获得中共北京市教委北京高校青年教师社会调研优秀成果资助项目一等奖、中国科学技术协会\"科普贡献者”荣誉证书等奖项。

【目录】

目  录 
第1章  绪论001
1．1  芯片产业概况001
1．2  影响芯片产业走向的关键因素002
1．2．1  生态体系构建003
1．2．2  芯片技术研发004
1．2．3  工艺制程004
1．2．4  用户与伙伴005
1．2．5  政策扶持005
1．3  我国移动互联网芯片发展的机遇与挑战005
1．3．1  后来居上的创新机遇005
1．3．2  未来升级的挑战和短板007
第2章  移动互联网主要终端芯片011
2．1  基带处理器012
2．1．1  基带芯片012
2．1．2  射频芯片014
2．2  应用处理器014
2．2．1  CPU015
2．2．2  GPU015
2．2．3  AI芯片016
2．2．4  电源管理芯片017
2．3  存储芯片017
2．4  MEMS芯片020
第3章  移动互联网芯片主要技术体系022
3．1  芯片设计022
3．1．1  IP核/Chiplet与SoC设计025
3．1．2  指令集027
3．1．3  微架构032
3．1．4  EDA工具037
3．2  芯片制造的制程、设备与材料038
3．2．1  先进制程工艺038
3．2．2  设备和相关材料041
3．3  芯片封装与测试042
3．3．1  SIP技术043
3．3．2  多芯片fcCSP封装046
3．3．3  3D封装047
3．3．4  扇出式封装049
本章参考文献052
第4章  MEMS微波功率传感器芯片设计与模拟研究054
4．1  微波功率传感器及其应用054
4．2  国内外发展现状055
4．3  微波功率传感器的设计059
4．3．1  微波功率传感器的原理与理论059
4．3．2  微波功率传感器的基本单元与性能065
4．3．3  微波功率传感器的结构与材料068
4．3．4  微波功率传感器的制造工艺071
4．4  仿真软件简介075
4．5  微波功率传感器的仿真077
4．6  本章小结085
本章参考文献085
第5章  移动互联网芯片先进封装可靠性检测研究087
5．1  发展现状089
5．1．1  国内现状089
5．1．2  国外现状090
5．2  试验样本及参照标准介绍092
5．2．1  TSV技术类型092
5．2．2  TSV芯片结构092
5．2．3  TSV芯片制造工艺094
5．3  可靠性试验概述095
5．3．1  可靠性定义095
5．3．2  目的096
5．3．3  分类096
5．4  可靠性试验标准介绍096
5．4．1  JESD22-A113E096
5．4．2  JESD22-A104E097
5．4．3  JESD22-A118E097
5．4．4  JESD22-A102E098
5．4．5  IPC/JEDECJ-STD-020．1098
5．4．6  GJB 548BD2005098
5．4．7  GJB 7400D2011099
5．5  可靠性试验方法099
5．5．1  试验仪器099
5．5．2  试验内容及参数确定100
5．6  表征方法107
5．6．1  形状分析激光显微镜107
5．6．2  X射线（X-Ray）检测仪分析108
5．6．3  超声波扫描电子显微镜（C-SAM）分析109
5．6．4  场发射扫描电子显微镜（SEM）分析110
5．6．5  X射线能谱仪（EDS）分析111
5．6．6  聚焦离子束（FIB）技术112
5．7  试验数据及图像分析112
5．7．1  形状分析激光显微镜分析结果112
5．7．2  初始芯片A、B113
5．7．3  PC试验后芯片C、D120
5．7．4  TC试验后芯片E、F129
5．7．5  UHAST试验后芯片G、H138
5．7．6  PCT试验后芯片I、J147
5．8  X-Ray检测仪分析结果156
5．9  C-SAM分析结果158
5．10  SEM与EDS分析结果159
5．11  本章小结184
本章参考文献186