半导体集成电路制造手册

图书标准信息

• 作者 [美]耿怀玉 著；赵树武 译
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2006-12
• 版次 1
• ISBN 9787121032813
• 定价 168.00元
• 装帧 精装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 732页
• 字数 1200千字

【内容简介】

　　本书是一本综合性很强的参考书，由60名国际专家编写，并由同等水平的顾问组审校。内容涵盖相关技术的基础知识和现实中的实际应用，以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。涉及制造工艺和辅助设施——从原材料的准备到封装和测试，从基础知识到最新技术。针对最优化设计和最佳制造工艺，提供了以最低成本制造最佳质量芯片方面的必要信息。书中介绍了有关半导体晶圆工艺、MEMS、纳米技术和平面显示器的最新信息，以及最先进的生产和自动化技术。包括良品率管理、材料自动运送系统、晶圆厂和洁净室的设计和运营管理、气体去除和废物处理管理等。如此之广的覆盖面使得本书成为半导体领域内综合性最强的单卷参考书。

【目录】

第一部分半导体基础介绍及基本原材料
第1章半导体芯片制造综述
1.1概述
1.2半导体芯片
1.3摩尔定律
1.4芯片的设计
1.5芯片生产的环境
1.6芯片的生产
参考文献
第2章集成电路设计
2.1概述
2.2集成电路的类型
2.3p-n结
2.4晶体管
2.5集成电路设计
2.6集成电路设计的未来走向及问题
参考文献
第3章半导体制造的硅衬底
3.1概述
3.2硅衬底材料的关键特性
3.3硅晶圆制造基础
3.4硅衬底材料
3.5硅衬底制造中的关键问题和挑战
3.6结论
参考文献
第4章铜和低κ介质及其可靠性
4.1概述
4.2铜互连技术
4.3低κ介质技术
4.4铜/低κ介质的可靠性
参考文献
第5章硅化物形成基础
5.1概述
5.2硅上工艺基础
5.3未来趋势和纳米级硅化物的形成
5.4结论
参考文献
第6章等离子工艺控制
6.1概述
6.2等离子体的产生和工艺控制的基本原理
6.3工艺控制和量测
6.4干法刻蚀的特性
6.5未来趋势和结论
参考文献
第7章真空技术
7.1真空技术概述
7.2测量低气压压力的方法
7.3产生真空的方法
7.4真空系统的组成部件
7.5泄漏探测
7.6真空系统设计
7.7未来趋势和结论
补充读物
信息资源
第8章光刻掩膜版
8.1概述
8.2光刻掩膜版基础
8.3光刻掩膜版生产设备
8.4运转、经济、安全及维护的考虑
8.5未来趋势与结论
参考文献
第二部分晶圆处理
第9章光刻
9.1光刻工艺
9.2光学光刻成像
9.3光刻胶化学
9.4线宽控制
9.5光刻的局限性
补充读物
第10章离子注入和快速热退火
10.1概述
10.2离子注入系统的组成部分
10.3后站结构
10.4关键工艺和制造问题
10.5离子注入的资源
参考文献
第11章湿法刻蚀
11.1概述
11.2含HF的化学刻蚀剂
11.3金属刻蚀
11.4湿法刻蚀在混合半导体中的应用
11.5湿法刻蚀的设备
11.6环境、健康和安全问题
参考文献
第12章等离子刻蚀
12.1概述
12.2硅衬底IC器件制造中的等离子刻蚀
12.3硅衬底MEMS器件制造中的等离子刻蚀
12.4III-V族混合半导体中的等离子刻蚀
12.5等离子刻蚀的终点探测
12.6结论
致谢
参考文献
第13章物理气相淀积
13.1物理气相淀积概述
13.2PVD工艺的基本原理
13.3真空蒸发
13.4蒸发设备
13.5蒸发淀积的层及其性质
13.6溅射
13.7溅射设备
13.8溅射淀积的层
13.9原子层淀积:薄膜淀积技术的新远景
13.10结论与展望
参考文献
第14章化学气相淀积
14.1概述
14.2原理
14.3CVD系统的组成
14.4预淀积与清洗
14.5排除故障
14.6未来趋势
参考文献
第15章外延生长

15.1概述
15.2用于先进CMOS技术的硅外延
15.3制造
15.4安全和环境健康
15.5外延的未来发展趋势
15.6结论
参考文献
补充读物
第16章ECD基础
16.1概述
16.2基本的ECD技术（电镀工作原理）
16.3铜大马士革ECD工艺的优点
16.4铜ECD的生产线集成
16.5铜ECD工艺的其他考虑因素
16.6未来趋势
16.7结论
参考文献
第17章化学机械研磨
17.1CMP概述
17.2常见的CMP工艺应用
17.3CMP的工艺控制
17.4后CMP晶圆清洗
17.5常见的CMP平台与设备
17.6CMP工艺废弃物管理
17.7未来发展趋势与结论
参考文献
信息资源
第18章湿法清洗
18.1湿法清洗概述与回顾
18.2典型半导体制造:湿法清洗工艺
18.3湿法清洗设备技术
18.4未来趋势与结论
参考文献
第三部分后段制造
第19章目检、测量和测试
19.1测试设备概述
19.2测试设备基础和制造自动化系统
19.3如何准备、计划、规范、选择供应商和购买测试设备
19.4操作、安全、校准、维护中的考虑因素
19.5未来趋势和结论
致谢作者
补充读物
信息资源
第20章背面研磨、应力消除和划片
20.1概述
20.2背面研磨技术
20.3晶圆背面研磨机
20.4划片
20.5划片机
20.6生产设备要求
20.7晶圆减薄
20.8全合一系统
20.9未来技术趋势
补充读物
第21章封装
21.1概述
21.2封装的演变
21.3凸晶及焊盘重布技术
21.4实例研究
21.5光电子和MEMS封装
参考文献
补充读物
第四部分纳米技术、MEMS和FPD
第22章纳米技术和纳米制造
22.1什么是纳米技术
22.2纳米技术和生化技术
22.3纳米制造:途径和挑战
22.4纳米制造——不仅仅是工程和工艺
致谢
参考文献
第23章微机电系统基础
23.1概述
23.2MEMS的技术基础
23.3微机电系统制造原理
23.4微机电系统的应用
23.5未来的趋势
23.6结论
参考文献
其他信息
第24章平板显示技术和生产
24.1概述
24.2定义
24.3平板显示的基础和原理
24.4平板显示的生产工艺
24.5未来趋势与结论
补充读物
第五部分气体和化学品
第25章特种气体和CDA系统
25.1概述
25.2半导体生产工艺的要求
25.3法规的要求和其他通常要在设计中考虑的问题
25.4特殊气体的分配和输送
25.5执行
25.6特殊气体系统的未来趋势
25.7洁净干燥空气
25.8结论
致谢
参考文献
补充读物
第26章废气处理系统
26.1概述
26.2基本原理
26.3主要组成部分
26.4重要考虑因素
26.5未来趋势
参考文献
第27章PFC的去除
27.1高氟碳化合物
27.2减少PFC排放的策略
27.3PFC去除理论
27.4催化法去除
参考文献
第28章化学品和研磨液操作系统
28.1概述
28.2化学品和研磨液操作系统中的要素和重要条件
28.3设备
28.4高纯化学品的混合
28.5系统的纯度
28.6CMP研磨液系统
28.7结论
参考文献
第29章操控高纯液体化学品和研磨液的部件
29.1概述
29.2流体操控部件的材料
29.3金属杂质、总可氧化碳量和颗粒污染物
29.4工业检测标准和协议
29.5操控流体的部件
29.6流体测量设备
29.7工艺控制的应用
29.8结论
补充读物
第30章超纯水的基本原理
30.1概述
30.2UPW系统的单元操作
30.3初始给水
30.4预处理
30.5初级处理
30.6最终处理、抛光和配送
30.7未来趋势
参考文献第六部分气体和化学品
第31章良品率管理
31.1概述
31.2良品率管理定义及其重要性
31.3良品率管理基本要素及良品率管理系统的执行
31.4优化良品率管理系统所要考虑的问题
31.5未来趋势与结论
补充读物
第32章自动物料搬运系统
32.1概述
32.2AMHS的主要组成部分
32.3AMHS的设计
32.4运营中的考量
32.5未来趋势
第33章关键尺寸测量方法和扫描电镜
33.1概述
33.2关键尺寸测量基本概念
33.3扫描电镜的基本概念
33.4扫描电镜规格和选择流程
33.5未来趋势与结论
参考文献
第34章六西格玛
34.1什么是六西格玛
34.2六西格玛的基本强项
34.3主要的DMAIC阶段
34.4六西格玛设计（DFSS）
34.5应用实例
34.6未来趋势与结论
补充读物
第35章高级制程控制
35.1技术概况
35.2高级制程控制的基本知识
35.3应用
35.4应用所需要考虑的事项
35.5未来趋势与结论
参考文献
第36章半导体生产厂区环境、健康和安全方面需要考虑的事项
36.1概述
36.2半导体制造过程中的EHS危害
36.3适用于半导体制造者的EHS法规
36.4遵守法规之外的期望
36.5半导体工业EHS的未来走向
参考文献
信息资源
第37章芯片制造厂的计划、设计和施工
37.1概述
37.2计划
37.3设计
37.4施工
37.5结论
致谢
第38章洁净室的设计和建造
38.1概述
38.2洁净室标准、分类和认证
38.3典型洁净室
38.4气流分布与模式
38.5换气
38.6洁净室的组成
38.7空调系统的要求
38.8工艺污染控制
38.9振动和噪声控制
38.10磁性和电磁通量
38.11空气和表面静电电荷
38.12生命安全
38.13流体动力学计算机模拟
38.14洁净室经济性
38.15实践中的问题及解决方案（举例）
补充读物
信息资源
第39章微振动和噪声设计
39.1概述
39.2测量方法和标准
39.3振动和噪声源
39.4地基和结构设计
39.5机械/电动/工艺设计中的振动和噪声控制
39.6声学设计
39.7机器厂务连接
39.8厂务振动检测的目的与时机
39.9振动和噪声环境的老化
39.10未来方向和特例
致谢
参考文献
第40章洁净室环境中静电放电的控制
40.1半导体洁净室中的静电电荷
40.2静电在洁净室中的危害
40.3静电电荷的产生
40.4绝缘体和导体
40.5洁净室内的静电管理
40.6空气离子化对静电电荷的控制
40.7静电测量
40.8空气离子发生器的应用
40.9结论
参考文献
第41章气体分子污染
41.1化学污染的介绍及气体分子污染的定义
41.2气体分子污染的分级
41.3AMC控制的考虑
41.4AMC控制的执行
41.5气相化学过滤器
41.6干式涤气过滤器介质
41.7化学过滤系统的设计
41.8AMC监控
41.9AMC控制的应用区域
41.10AMC控制的规范和标准
41.11选择一种AMC控制系统
41.12最后的考虑
41.13结论
参考文献
信息来源
第42章半导体制造业中微粒的监测
42.1概述
42.2微粒检测仪的操作原理
42.3详细说明一个微粒检测仪
42.4关于在气体应用中的特殊考虑
42.5关于在液体应用中的特殊考虑
42.6污染控制的层次
42.7空气传播中分子污染
42.8结论
参考文献
第43章废水中和系统
43.1概述
43.2水和pH值
43.3应用评价
43.4标准pH值调节系统的结构
43.5系统优化
43.6控制系统
43.7用于pH值调节的化学药品
43.8pH值调节在化学机械刨光（磨光）、降低金属和降低氟化物含量中的应用
补充读物
附录