微电子制造科学原理与工程技术(第二版)(英文版)

图书标准信息

• 作者 谢金明 著；谭博等改 编
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2003-04
• 版次 1
• ISBN 9787505386266
• 定价 56.00元
• 装帧 平装
• 开本 其他
• 纸张 胶版纸
• 页数 603页
• 字数 1千字

【内容简介】

本书系统地介绍了微电子制造科学原理与工程技术覆盖了集成电路制造所涉及的怕有基本单选工艺，包括光刻、等离子体和反应离子刻蚀、离子注入扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等对每一种单项工艺，不仅工艺技术加快速热处理、 下一代光刻、分子束外延和金属有机物化学气相淀积等。在此基础上本书讨论了如何将这些单项工艺集成为各种常见的集成电路工艺技术，如CMOS技术、双极型技术和砷化镓技术，还介绍了微电子制造的新领域即微机械电子系统及其工艺技术。本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生相应课程的教科书或参考书，也可供与集成电路制造工艺技术有关的专业技术人员学习参考。

【作者简介】

Stephen A.Campbell：明尼苏达大学电子与计算机工程系教授兼明尼苏达大学微技术实验室主任。无论是在工业界还是在大学实验室，他在半导体器件制造领域都有着广泛的经验。他的研究领域主要包括快速热化学气相淀积、高性能栅介质、磁MEMS和纳米结构等。

【目录】

第1篇 综述与题材

第1章 微电子制造引论

第2章 半导体衬底

第2篇 单项工艺1：热处理和离子注入

第3章 诉散

第4章 热氧化

第5章 离子注入

第6章 快速热处理

第3篇 单元工艺2：图形转移

第7章 光学光刻

第8章 光刻胶

第9章 非光学光刻技术

第10章 真空科学和等离子体

第11章 刻蚀

第4篇 单项工艺3：薄膜

第12章 物理演积：蒸发和溅射

第13章 化学气相淀积

第14章 外延生长

第5篇 工艺集成

第15章 器件隔离、接触和金属化

第16章 CMOS技术

第17章 GaAs工艺技术

第18章 硅双极型工艺技术

第19章 微机电系统

第20章 集成电路制造

附录1  缩写与通用符号

附录2  部分半导体材料性质

附录3  物理常数

附录4  单位转换因子

附录5  误差函数的一些性质

附录6  F数

附录7  SUPREM指令