半导体科学与技术丛书：透明氧化物半导体

图书标准信息

• 作者 马洪磊、马瑾 著
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2014-10
• 版次 1
• ISBN 9787030416643
• 定价 148.00元
• 装帧 精装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 374页
• 正文语种 简体中文
• 丛书 半导体科学与技术丛书

【内容简介】

　　《半导体科学与技术丛书：透明氧化物半导体》重点阐述了已经得到广泛应用或具有重要应用前景的8种氧化物半导体的制备技术、晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质和气敏性质，既包含了作者近30年的研究成果，又反映了国内外透明氧化物半导体重要研究成果，既包含了早期透明氧化物半导体成熟理论，又反映了当前国际上透明氧化物半导体的较新成果，重点突出，内容系统、全面、新颖，具有重要的科学意义和应用价值。

【目录】

前言

绪论

第1章 氧化物薄膜的制备技术

1．1 真空蒸发技术

1．1．1 金属和化合物蒸发

1．1．2 蒸发源的加热装置

1．2 MBE技术

1．3 溅射技术

1．3．1 双极直流反应溅射

1．3．2 偏压溅射

1．3．3 射频溅射

1．3．4 磁控溅射

1．3．5 离子束溅射

1．4 离子镀技术

1．5 CVD技术

1．5．1 APCVD和LPCVD技术

1．5．2 PECVD技术

1．5．3 MOCVD技术

1．6 溶液镀膜技术

1．6．1 喷涂高温分解

1．6．2 浸涂技术

1．6．3 化学溶解生长

1．6．4 sol-gel技术

1．7 阳极氧化技术

1．7．1 阳极氧化技术

1．7．2 等离子体阳极氧化技术

参考文献

第2章 氧化物半导体基础

2．1 金属氧化物晶体结构

2．1．1 MO型金属氧化物的典型晶体结构

2．1．2 MO2型金属氧化物晶体的典型晶体结构

2．1．3 M2O3型金属氧化物的典型晶体结构

2．2 金属氧化物的缺陷

2．2．1 金属氧化物晶体缺陷类型

2．2．2 金属氧化物晶体点缺陷理论基础

2．3 金属氧化物半导体的电学性质

2．3．1 金属氧化物半导体的电子结构

2．3．2 金属氧化物半导体的载流子浓度

2．3．3 金属氧化物半导体载流子输运散射机制

2．4 氧化物半导体的磁学性质

2．4．1 稀磁氧化物半导体的掺杂元素

2．4．2 氧化物半导体的铁磁性起源

2．5 透明氧化物半导体的光学性质

2．5．1 透明氧化物半导体的光学常数

2．5．2 Burstein—Moss移动

2．5．3 透明氧化物半导体薄膜的PL特性

2．6 金属氧化物半导体的气敏特性

参考文献

第3章 ZnO薄膜

3．1 ZnO薄膜的晶体结构

3．1．1 ZnO的晶体结构

3．1．2 ZnO薄膜的XRD谱

3．1．3 ZnO薄膜的Raman谱

3．1．4 ZnO薄膜的RHEED图案

3．1．5 ZnO薄膜的HRTEM图像

3．2 ZnO的电子结构

3．3 ZnO的本征点缺陷

3．4 ZnO薄膜的电学性质

3．4．1 本征ZnO的弱n型导电

3．4．2 ZnO的掺杂

3．4．3 ZnO薄膜载流子散射机制

3．5 ZnO薄膜的磁学性质和压电性质

3．5．1 ZnO基稀磁半导体

3．5．2 ZnO薄膜的压电性质

3．6 ZnO薄膜的光学性质

3．6．1 ZnO薄膜的光透射谱

3．6．2 ZnO薄膜的PL特性

3．6．3 ZnO薄膜的激子受激发射特性

参考文献

第4章 SnO2薄膜

4．1 SnO2薄膜的晶体结构

4．1．1 SnO2的晶体结构

4．1．2 SnO2薄膜的XRD谱

4．1．3 SnO2薄膜的Raman谱

4．1．4 SnO2薄膜的TEM和HRTEM图像

4．1．5 SnO2薄膜的XPS谱

4．1．6 SnO2薄膜的RBS谱

4．2 金红石Sn02的电子结构

4．3 SnO2薄膜的电学性质

4．3．1 金红石SnO2的本征缺陷

4．3．2 金红石SnO2薄膜的掺杂

4．3．3 金红石SnO2薄膜载流子散射机制

4．3．4 铌铁矿SnO2薄膜的电学性质

4．4 SnO2薄膜的磁学性质

4．5 SnO2薄膜的光学特性

4．5．1 SnO2薄膜的光透射谱

4．5．2 SnO2薄膜的PL特性

4．6 金红石SnO2薄膜的气敏特性

参考文献

第5章 TiO2薄膜

5．1 TiO2薄膜的晶体结构

5．1．1 TiO2的晶体结构

5．1．2 TiO2薄膜的XRD谱

5．1．3 TiO2薄膜的Raman谱

5．1．4 TiO2薄膜的XPS谱

5．1．5 TiO2的RBS谱

5．2 TiO2的电子结构

5．3 TiO2的本征点缺陷

5．4 TiO2薄膜的电学性质

5．5 TiO2薄膜的磁学性质

5．6 TiO2薄膜的光学性质

5．6．1 TiO2薄膜的光透射谱

5．6．2 TiO2薄膜的PL特性

5．6．3 TiO2薄膜的光学常数

5．7 TiO2薄膜的光催化特性

参考文献

第6章 In2O3薄膜

6．1 In2O3薄膜的晶体结构

6．1．1 In2O3薄膜的晶体结构

6．1．2 In2O3薄膜的XRD谱

6．1．3 In2O3薄膜的Raman谱

6．1．4 In2O3薄膜的HRTEM图像

6．1．5 In2O3薄膜的XPS谱

6．1．6 In2O3薄膜的RBS谱

6．2 In2O3的电子结构

6．3 IIn2O3薄膜的电学性质

6．3．1 In2O3的本征点缺陷

6．3．2 In2O3薄膜的电导特性

6．3．3 In2O3薄膜载流子散射机制

6．4 In2O3薄膜的磁学性质

6．5 In2O3薄膜的光学性质

6．5．1 In2O3薄膜的光透射谱

6．5．2 In2O3薄膜的PL特性

6．5．3 In2O3薄膜的光学常数

6．6 In2O3薄膜的气敏特性

参考文献

第7章 Ga2O3薄膜

7．1 Ga2O3薄膜的晶体结构

7．1．1 Ga2O3的晶体结构

7．1．2 Ga2O3薄膜的XRD谱

7．1．3 β-Ga2O3的薄膜HRTEM图像

7．1．4 β-Ga2O3薄膜的Raman谱

7．1．5 β-Ga2O3的XPS谱

7．1．6 Ga2O3薄膜的RBS谱

7．2 Ga2O3的电子结构

7．3 Ga2O3薄膜的电学性质

7．3．1 Ga2O3的点缺陷

7．3．2 Ga2O3薄膜的电学性质

7．4 Ga2O3薄膜的光学性质

7．4．1 Ga2O3薄膜的光透射谱

7．4．2 GGa2O3薄膜的PL特性

7．4．3 Ga2O3的薄膜CL特性

7．4．4 Ga2O3薄膜的光学常数

7．5 β-Ga2O3薄膜的气敏特性

参考文献

第8章 MgZnO薄膜

8．1 MgZnO薄膜的晶体结构

8．1．1 MgZnO薄膜的晶体结构

8．1．2 MgZnO薄膜的XRD谱

8．1．3 MgZnO薄膜的Raman谱

8．1．4 MgZnO薄膜的AFM图像

8．1．5 MgZnO薄膜的TEM和HRTEM图像

8．1．6 MgZnO的XPS谱

8．1．7 MgZnO薄膜的RBS谱

8．2 MgZnO的电子结构

8．3 MgznO薄膜的电学和磁学性质

8．3．1 MgZnO薄膜的电学性质

8．3．2 MgZnO薄膜的磁学性质

8．4 MgZnO的光学性质

8．4．1 MgZnO薄膜的光透射谱

8．4．2 MgZnO薄膜的PL特性

8．4．3 MgZnO薄膜的长波光学声子性质

8．4．4 MgZnO薄膜的光学常数

参考文献

第9章 GaIno和InGazno薄膜

9．1 引言

9．2 GaInO薄膜

9．2．1 GaInO薄膜的晶体结构

9．2．2 GaInO薄膜的电学性质

9．2．3 GaInO薄膜的光学性质

9．3 InGaZnO薄膜

9．3．1 InGaZnO薄膜的晶体结构

9．3．2 InGaZnO薄膜的电学性质

9．3．3 InGaZnO薄膜的光学性质

参考文献

第10章 透明氧化物电子学

10．1 引言

10．2 透明氧化物薄膜晶体管

10．2．1 C—IGZO—TFT

10．2．2 a—IGZO—TFT

10．2．3 ZnO—一TFT

10．3 紫外发光二极管和激光二极管

10．3．1 UV—LED

10．3．2 UV—LD

10．4 透明UV探测器

参考文献

索引

《半导体科学与技术丛书》已出版书目

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