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  • 绝缘体上硅(SOI)技术 制造及应用 9787118116366
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绝缘体上硅(SOI)技术 制造及应用 9787118116366

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作者(法)奥列格·库侬楚克(Oleg Kononchuk) 等

出版社国防工业出版社

ISBN9787118116366

出版时间2018-09

装帧精装

开本其他

定价128元

货号1201788101

上书时间2024-05-11

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品相描述：全新
商品描述
目录
  
部分绝缘体上硅材料及制造


章绝缘体上硅晶圆片材料及制造技术


1.1引言


1.2SOI的晶圆片制造技术概述


1.3SOI量产制造技术


1.4SOI晶圆片结构及表征


1.5晶圆片直接键合：湿表面清洗技术


1.6直接键合机理的表征


1.7Si和SiO2直接键合的其他表面制备工艺


1.8利用离子注入、键合及剥离量产SOI衬底的智能剥离技术


1.9更复杂的SOI结构制造


1.10异质结构的制造


1.11结论


1.12致谢


1.13参考文献


第2章先进的绝缘体上硅材料及晶体管电学性质的表征


2.1引言


2.2常用的表征技术


2.3利用赝金属氧化物半导体场效应晶体管技术表征SOI晶圆片


2.4赝-MOSFET技术的发展


2.5FDMOSFET的常用表征方法


2.6先进的FDMOSFET表征方法


2.7超薄SOIMOSFET的表征


2.8多栅MOSFET的表征


2.9纳米线FET的表征


2.10结论


2.11致谢


2.12参考文献


第3章短沟FDSOIMOSFET特性的建模


3.1引言


3.2SOIMOSFET建模的发展


3.3SOIMOSFET的二维紧凑电容模型


3.4SOIMOSFET的二维解析模型


3.5双栅及其他类型SOIMOSFET结构的建模


3.6参考文献


第4章部分耗尽绝缘体上硅技术：电路解决方案


4.1引言


4.2PDSOI技术与器件


4.3电路解决方案：数字电路


4.4电路解决方案：静态随机存储器电路


4.5SRAM容限：PDSOI的例子


4.6结论


4.7参考文献


第5章平面全耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体技术


5.1引言


5.2平面FDSOI技术


5.3FDSOI的阈值调节：沟道掺杂、栅堆叠工程和接地平面


5.4FDSOICMOS器件对衬底的要求：BOX和沟道的厚度


5.5FDSOI的应变选项


5.6背偏置对特性的影响


5.7结论


5.8致谢


5.9参考文献


第6章绝缘体上硅无结晶体管


6.1引言


6.2器件物理


6.3无结晶体管的模型


6.4同三栅场效应晶体管的性能比较


6.5超越经典的SOI纳米线结构


6.6结论


6.7致谢


6.8参考文献


第7章SOIFinFET


7.1引言


7.2SOIFinFET的性能


7.3SOIFinFlET衬底的优化


7.4FinFET的工艺及统计波动性


7.5结论


7.6参考文献


第8章利用SOI技术制造CMOS的参数波动性


8.1引言


8.2平面FDSOI器件的统计参数波动


8.3可靠性的统计问题


8.4SOIFinFET


8.5结论


8.6参考文献


第9章SOICMOS集成电路的ESD保护


9.1引言


9.2SOI器件的ESD表征：SOI晶体管


9.3SOI器件中的ESD表征：SOI二极管


9.4SOI器件的ESD表征：FinFET及Fin二极管


9.5SOI器件的ESD表征：FDSOI器件


9.6SOI器件中ESD网络的优化


9.7结论


9.8参考文献


第二部分SOI器件及应用


0章射频及模拟应用的SOIMOSFET


10.1引言


10.2目前的射频器件性能


10.3MOSFET性能的限制因素


10.4肖特基势垒MOSFET


10.5超薄体超薄埋氧化层MOSFET


10.6多栅MOSFEI、的射频特性：FinFET


10.7SOI技术中的高电阻率硅衬底


10.8结论


10.9致谢


10.10参考文献


1章超低功耗应用的SOICMOS电路


11.1引言


11.2CMOS电路功耗的最小化


11.3降低Vdd改善CMOS电路能量效率的问题


11.4利用减小波动及适应性偏压控制发展SOI器件


11.5参数波动的建模


11.6超低电压工作的器件设计


11.7FDSOI器件参数波动性的评估


11.8FDSOI器件可靠性的评估


11.9FDSOI器件的电路设计


11.10结论


11.11致谢


11.12参考文献


2章改善性能的3DS01集成电路


12.1引言


12.2利用Cu-Cu键合的3DIC：工艺流程


12.3利用Cu-Cu键合实现3D集成：面对面的硅层堆叠


12.4利用Cu-Cu键合实现3D集成：背面对正面的硅层堆叠


12.5利用氧化硅键合的3D集成：MIT林肯实验室的表面向下堆叠技术


12.6利用氧化硅键合的3D集成：IBM的“面朝上”堆叠技术


12.7利用氧化硅键合实现3D集成：3D后续工艺


12.8先进的键合技术：Cu-Cu键合


12.9先进键合技术：介质键合


12.10结论


12.11致谢


12.12参考文献


3章光子集成电路的SOI技术


13.1引言


13.2绝缘体上硅光子学


13.3SOI光学模块


13.4器件容差与补偿技术


13.5用于硅光子器件的先进堆叠结构


13.6硅光子器件的应用


13.7结论


13.8参考文献


4章用于MEMS和NEMS传感器的SOI技术


14.1引言


14.2SOIMEMS／NEMS器件结构和工作原理


14.3SOIMEMS／NEMS设计


14.4SOIMEMS／NEMS工艺技术


14.5SOIMEMS／NEMS制备


14.6结论


14.7参考文献


内容摘要
  
本书分为两个部分；靠前部分包括SOI材料及制造，第二部分包括SOI器件及应用。本书的前几章介绍SOI晶片的制造技术，优选SOI材料的电学特性，以及短沟道SOI半导体晶体管的建模。涉及部分耗尽及全耗尽二种SOI技术。第6章和第7章关注的是无结及氧化物上鳍（fin）型场效应晶体管。还介绍了CMOS器件变化趋势和静电放电中的一些关键技术。第二部分涵盖很近的和已成熟的技术。它们包括射频应用的SOI晶体管，超低功耗应用的SOICMOS电路，以及利用SOI的三维集成来提高器件性能的方法.


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