硅基高K氧化物锶硅界面缓冲层的研究
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作者杜文汉著
出版社江苏大学出版社
ISBN9787568410304
出版时间2018-12
装帧平装
开本其他
定价35元
货号9546450
上书时间2025-01-07
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目录
章 绪论
1.1 背景简介
1.1.1 Sr/Si体系研究的兴起
1.1.2 硅基氧化物晶态外延生长研究近况
1.1.3 Sr/Si表面的研究近况
1.1.4 SrTiO3/Si(100)和Sr/Si体系研究存在的问题
1.2 研究内容
1.3 主要实验方法和仪器
1.3.1 PLD实验方法
1.3.2 STM简介
1.3.3 仪器系统
第2章 Sr/Si(100)再构表面的制备
2.1 引言
2.2 Sr/Si(100)的获得
2.2.1 Si(100)衬底再构表面的获得
2.2.2 SrO/Si(100)的制备
2.2.3 SrO/Si(100)结构表征方法
2.3 Sr/Si(100)表面SrO晶态的形成
2.4 Sr/Si(100)高温退火情况
2.5 高温SrO/Si(100)表面随时问的变化
2.6 结论
第3章 Sr/Si(100)-2×3表面的几何结构及初始氧化研究
3.1 引言
3.2 实验及理论计算方法
3.2.1 实验方法
3.2.2 理论计算
3.3 Sr/Si(100)-2×3表面的电子和几何结构
3.3.1 Sr/Si(100)-2×3表面STM特征
3.3.2 I-V和dI/dV特性
3.3.3 Sr/Si(100)-2×3表面的几何结构与电子之间的相互关联
3.3.4 Sr/Si(100)-2×3电子态变温结果
3.3.5 Sr/Si(100)-2×6及2×3的极低偏压图像
3.4 Sr/Si(100)-2×3表面的初始氧化及其结构
3.4.1 Sr/Si(100)-2×3表面氧化及还原过程
3.4.2 氧的初始吸附和氧化位
3.5 Sr/Si(100)-2×3干净表面的原始缺陷及其电子态
3.6 结论
第4章 Sr/Si(100)-2ב1’再构表面及原子的动态移动
4.1 引言
4.2 Sr/Si(100)-2ב1’表面的获得
4.3 实验主要结果及讨论
4.3.1 Sr/Si(100)-2ב1’表面的结构
4.3.2 Sr/Si(100)-2ב1’表面室温下原子的迁移现象
4.4 结论
第5章 Sr/Si(111)-3×2表面结构及原子迁移
5.1 引言
5.2 Sr/Si(111)-3×2表面的获得
5.2.1 衬底Si(111)-7×7
5.2.2 Sr/Si(111)-3×2表面的获得
5.3 Sr/Si(111)-3×2表面形貌及原子链的整体迁移
5.3.1 Sr/Si(111)-3×2表面的典型形貌
5.3.2 Sr/Si(111)-3×2表面的电子结构
5.3.3 Sr/Si(111)-3×2表面的结构模型
5.3.4 Sr原子链的移动现象及机制
5.4 结论
第6章 TiSi2/Si(100)纳米岛的STM研究
6.1 引言
6.2 实验过程与结果分析
6.2.1 实验过程
6.2.2 结果分析
6.3 纳米岛产生的原因
6.4 结论
第7章 总结及展望
7.1 主要结论
7.1.13 种表面再构的分析比较
7.1.2 几种新现象的发现与解释
7.2 展望
参考文献
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