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作者卢卯旺
出版社中国原子能出版传媒有限公司
ISBN9787522107479
出版时间2021-03
装帧平装
开本16开
定价62元
货号10994465
上书时间2024-12-31
第1章 绪 论
作为本书开篇章,本章首先介绍本书涉及的研究对象——磁受限半导体异质结构(magnetically confined semiconductor’heterostructure,MCSI-I),包括其概念、制备和典型的结构。然后,简要介绍了研究MCSt_I电子输运的理论和方法,主要介绍了我们团队改进的转移矩阵方法(Improved transfer。matrix method,ITMM),以及Landauer—Bnttiker超微结构电导理论(LBT公式)。这些先导知识作为铺垫,为理解和学习后续各章节的内容奠定必要的基础。
§1.1 磁受限半导体异质结构(McSH)
对于纳米结构,现在在学术界中仍然众说纷纭。但是,无论怎么定义纳米结构的概念,其中有两点是至关重要的口]:其一是临界尺寸,即当体系的尺寸减小到纳米量级的某一尺度时,微结构的性能发生突变;其二是同一种纳米结构不同的性能以及同一种性能的不同纳米结构发生突变的临界尺寸是不同的。原国家纳米材料与纳米结构首席科学家张立德先生,给出了一个较为统一的纳米结构定义口]:所谓纳米结构是指以纳米尺度(1~100 nm)的物质单元为基础,按一定规律构筑或营造一种新的体系,其包括一维的(1D)、二维的(2D)和三维的(3D)体系,而其中的物质单元包括纳米微粒、稳定的团簇或人造超原子、纳米管、纳米丝以及纳米尺度的孑L洞等。
随着材料生长技术的不断进步,各种形状规则、结构精细的低维半导体纳米结构在实验中得到制备,在学术界与工程实践中被不断地报道。本章介绍一类重要的低维半导体纳米结构,我们称之为磁受限半导体纳米结构(magnetically confined semiconductor·nanostructure,MCSN)[3]。这类低维半导体纳米结构,可视为半导体材料与磁性材料的混杂,通常构筑在半导体异质结上。在一个M(2SN中,磁性材料产生纳米范围内不均匀的磁场,局域地限制半导体异质结界面内二维电子气(t’WO—dimensional electlrOn gas,2【)EG)的运动。由于低维度、小尺寸和量子磁受限,MCSN具有丰富的电……
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