绝缘体上硅(SOI)技术:制造及应用:manufacture and applications
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作者(法)Oleg Kononchuk，(法)Bich-Yen Nguyen等著
出版社国防工业出版社
ISBN9787118116366
出版时间2017-03
装帧精装
开本其他
定价128元
货号9386188
上书时间2024-12-22
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目录
部分绝缘体上硅材料及制造
章绝缘体上硅晶圆片材料及制造技术
1.1引言
1.2SOI的晶圆片制造技术概述
1.3SOI量产制造技术
1.4SOI晶圆片结构及表征
1.5晶圆片直接键合：湿表面清洗技术
1.6直接键合机理的表征
1.7Si和SiO2直接键合的其他表面制备工艺
1.8利用离子注入、键合及剥离量产SOI衬底的智能剥离技术
1.9更复杂的SOI结构制造
1.10异质结构的制造
1.11结论
1.12致谢
1.13参考文献
第2章先进的绝缘体上硅材料及晶体管电学性质的表征
2.1引言
2.2常用的表征技术
2.3利用赝金属氧化物半导体场效应晶体管技术表征SOI晶圆片
2.4赝-MOSFET技术的发展
2.5FDMOSFET的常用表征方法
2.6先进的FDMOSFET表征方法
2.7超薄SOIMOSFET的表征
2.8多栅MOSFET的表征
2.9纳米线FET的表征
2.10结论
2.11致谢
2.12参考文献
第3章短沟FDSOIMOSFET特性的建模
3.1引言
3.2SOIMOSFET建模的发展
3.3SOIMOSFET的二维紧凑电容模型
3.4SOIMOSFET的二维解析模型
3.5双栅及其他类型SOIMOSFET结构的建模
3.6参考文献
第4章部分耗尽绝缘体上硅技术：电路解决方案
4.1引言
4.2PDSOI技术与器件
4.3电路解决方案：数字电路
4.4电路解决方案：静态随机存储器电路
4.5SRAM容限：PDSOI的例子
4.6结论
4.7参考文献
第5章平面全耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体技术
5.1引言
5.2平面FDSOI技术
5.3FDSOI的阈值调节：沟道掺杂、栅堆叠工程和接地平面
5.4FDSOICMOS器件对衬底的要求：BOX和沟道的厚度
5.5FDSOI的应变选项
5.6背偏置对特性的影响
5.7结论
5.8致谢
5.9参考文献
第6章绝缘体上硅无结晶体管
6.1引言
6.2器件物理
6.3无结晶体管的模型
6.4同三栅场效应晶体管的性能比较
6.5超越经典的SOI纳米线结构
6.6结论
6.7致谢
6.8参考文献
第7章SOIFinFET
7.1引言
7.2SOIFinFET的性能
7.3SOIFinFlET衬底的优化
7.4FinFET的工艺及统计波动性
7.5结论
7.6参考文献
第8章利用SOI技术制造CMOS的参数波动性
8.1引言
8.2平面FDSOI器件的统计参数波动
8.3可靠性的统计问题
8.4SOIFinFET
8.5结论
8.6参考文献
第9章SOICMOS集成电路的ESD保护
9.1引言
9.2SOI器件的ESD表征：SOI晶体管
9.3SOI器件中的ESD表征：SOI二极管
9.4SOI器件的ESD表征：FinFET及Fin二极管
9.5SOI器件的ESD表征：FDSOI器件
9.6SOI器件中ESD网络的优化
9.7结论
9.8参考文献
第二部分SOI器件及应用
0章射频及模拟应用的SOIMOSFET
10.1引言
10.2目前的射频器件性能
10.3MOSFET性能的限制因素
10.4肖特基势垒MOSFET
10.5超薄体超薄埋氧化层MOSFET
10.6多栅MOSFEI、的射频特性：FinFET
10.7SOI技术中的高电阻率硅衬底
10.8结论
10.9致谢
10.10参考文献
1章超低功耗应用的SOICMOS电路
11.1引言
11.2CMOS电路功耗的最小化
11.3降低Vdd改善CMOS电路能量效率的问题
11.4利用减小波动及适应性偏压控制发展SOI器件
11.5参数波动的建模
11.6超低电压工作的器件设计
11.7FDSOI器件参数波动性的评估
11.8FDSOI器件可靠性的评估
11.9FDSOI器件的电路设计
11.10结论
11.11致谢
11.12参考文献
2章改善性能的3DS01集成电路
12.1引言
12.2利用Cu-Cu键合的3DIC：工艺流程
12.3利用Cu-Cu键合实现3D集成：面对面的硅层堆叠
12.4利用Cu-Cu键合实现3D集成：背面对正面的硅层堆叠
12.5利用氧化硅键合的3D集成：MIT林肯实验室的表面向下堆叠技术
12.6利用氧化硅键合的3D集成：IBM的“面朝上”堆叠技术
12.7利用氧化硅键合实现3D集成：3D后续工艺
12.8先进的键合技术：Cu-Cu键合
12.9先进键合技术：介质键合
12.10结论
12.11致谢
12.12参考文献
3章光子集成电路的SOI技术
13.1引言
13.2绝缘体上硅光子学
13.3SOI光学模块
13.4器件容差与补偿技术
13.5用于硅光子器件的先进堆叠结构
13.6硅光子器件的应用
13.7结论
13.8参考文献
4章用于MEMS和NEMS传感器的SOI技术
14.1引言
14.2SOIMEMS／NEMS器件结构和工作原理
14.3SOIMEMS／NEMS设计
14.4SOIMEMS／NEMS工艺技术
14.5SOIMEMS／NEMS制备
14.6结论
14.7参考文献
精彩内容
《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的目的是对SOI CMOS新技术的进展进行全面介绍。全书分为两部分：*部分介绍SOI晶圆片的制造工艺、表征及SOI器件物理；第二部分介绍相关的各种应用。全书既涉及部分耗尽SOI这样已成熟的技术，也包括全耗尽平面SOI技术、FinFET、射频、光电子、MEMS以及超低功耗应用这样一些新发展的技术。晶体管级和电路级解决方案也均有涉及。我们将这《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的解决方案限定在32~14nm技术节点的范围，并将应用限定在技术成熟到足以实现批量生产的范围。
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