太阳电池光吸收层铜基薄膜的制备技术研究
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作者王延来著
出版社江苏大学出版社
ISBN9787568411004
出版时间2019-04
装帧平装
开本其他
定价46元
货号9527452
上书时间2024-12-21
商品详情
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目录
章概论001
1.1太阳能电池的基本原理003
1.1.1p-n结及其光生伏特效应003
1.1.2太阳能电池的输出特性参数004
1.2太阳能电池的发展历史及分类006
1.3铜基薄膜太阳能电池的结构、原理及发展009
1.3.1铜基薄膜太阳能电池的结构、原理009
1.3.2铜基薄膜太阳能电池的发展010
1.4CIS、CIGS薄膜材料的特性及制备技术012
1.4.1CIS薄膜材料的晶体结构012
1.4.2CIS薄膜材料的光电特性014
1.4.3CIS、CIGS薄膜材料的制备技术014
1.5CuInS2薄膜的特性与制备技术020
1.6Cu2ZnSnS4薄膜的特性与制备技术021
第2章CuIn(Ca)Se4薄膜的涂覆法制备技术023
……
内容摘要
本书主要介绍了铜基薄膜的低成本制备技术，包括CuInSe2薄膜的电沉积制备技术，Cu(In，Ga)Se2、
CuInS2、Cu2ZnSnS4以及Ti掺杂CuGaS2中间带薄膜材料的涂覆制备技术，还介绍了CuInS2薄膜的固态源硫化法制备技术。书中包含了国内外学者及著者个人的研究工作，对从事铜基薄膜电池器件研制、生产和使用的专业人员有一定的参考价值。
精彩内容
能源危机及环境污染日益严重，开发清洁的绿色能源现已成为人类面临的重大课题。太阳能取之不尽，用之不竭，是可再生的绿色能源之一。太阳能发电是国际的具发展潜力的新能源产业，各国都在全力发展太阳能光伏技术，将太阳能光电开发和利用作为一项可持续发展能源的重要战略。中国太阳能资源很丰富，政府对光伏产业发展高度重视，但太阳能电池仍无法实现大规模的民用，其根本原因是光电转化效率低和太阳能电池成本过高。
铜基薄膜太阳能电池是以铜基化合物作为光吸收层的薄膜电池，包括CuInSe2、CuInS2、Cu（ln，Ga）Se2、Cu2ZnSnS4及铜基中间带薄膜电池等，铜基薄膜材料为直接带隙半导体材料，光吸收系数高达10（5）cm-1，只需要1-2μm厚的薄膜就可以吸收大部分太阳光，适合作为薄膜电池的光吸收层。铜基薄膜电池性能稳定，抗辐射能力强，光电转化效率可达20%以上。率的铜基薄膜电池是采用真空技术制备的，制备成本较高，因此限制了它的广泛应用，所以研究和开发铜基薄膜的低成本制备技术是亟待解决的重要问题。
《太阳电池光吸收层铜基薄膜的制备技术研究》主要介绍了铜基薄膜的低成本制备技术，包括CuInSe2薄膜的电沉积制备技术，Cu（In，Ga）Se2、CuInS2、Cu2ZnSnS4以及Ti掺杂CuGaS2中间带薄膜材料的涂覆制备技术，还介绍了CriInS2薄膜的固态源硫化法制备技术。书中包含了国内外学者及著者个人的研究工作，对从事铜基薄膜电池器件研制、生产和使用的专业人员有一定的参考价值。
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