几种三元铟基金属硫化物半导体光催化剂的制备及应用
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作者张伟，张丽娜，苏适著
出版社冶金工业出版社
ISBN9787502497606
出版时间2024-03
装帧平装
开本其他
定价78元
货号15565619
上书时间2024-11-18
商品详情
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目录
第1章 光催化技术介绍1.1光催化基本原理1.2光催化剂的改性方法1.3三元金属硫化物半导体光催化剂的制备技术1.4三元金属硫化物半导体光催化剂的应用进展第2章 楔形ZnIn2S4薄膜的制备及光电化学性能2.1引言2.2实验试剂和仪器设备2.3楔形ZnIn2S4薄膜的制备及表征2.4 ZnIn2S4薄膜的光电化学性能研究2.5本章小结第3章TiO2ZnIn2S4复合薄膜的制备及光电化学性能3.1引言3.2实验过程3.3 TiO2ZnIn2S4薄膜的制备及表征3.4 TiO2ZnIn2S4薄膜的光电化学性能研究3.5本章小结第4章CaIn2S4薄膜的制备及光电化学性能4.1引言4.2实验过程4.3 CaIn2S4薄膜的制备及表征4.4 CaIn2S4薄膜的光电化学性能研究4.5本章小结第5章TiO2CaIn2S4复合薄膜的制备及光电化学性能5.1引言5.2实验过程5.3 TiO2CaIn2S4薄膜的制备及表征5.4 TiO2CaIn2S4薄膜的光电化学性能研究5.5本章小结第6章TiO2CaIn2S4复合光催化剂的制备及光电化学性能6.1引言6.2实验过程6.3 TiO2CaIn2S4复合光催化剂的制备及表征6.4 TiO2CaIn2S4复合光催化剂的催化性能研究6.5本章小结第7章CdIn2S4薄膜的制备及光电化学性能7.1引言7.2实验过程7.3 CdIn2S4薄膜的制备及表征7.4 CdIn2S4薄膜的光电化学性能研究7.5本章小结
内容摘要
本书介绍了现阶段三元铟基金属硫化物半导体光催化剂的发展现状，三种重要的半导体薄膜和复合结构的制备方法，及其光（电）催化性能。第1章介绍了三元铟基金属硫化物半导体的制备及光催化应用研究进展；第2章介绍了立方相ZnIn2S4薄膜的制备及光电性能；第3章介绍了TiO2ZnIn2S4复合结构薄膜的制备及其光电特性；第4章介绍了CaIn2S4薄膜的制备及其光电化学性能；第5章介绍了TiO2和CaIn2S4复合结构薄膜的制备及其光电化学性能；第6章介绍了TiO2和CaIn2S4复合光催化剂的制备及催化性能；第7章介绍了片状CdIn2S4薄膜的制备及其光电化学性能。本书内容涉及基于三种铟基金属硫化物光催化剂的制备工艺、表征手段及光电催化特性，可供从事光电催化领域人员参考阅读。
精彩内容
本书介绍了现阶段三元铟基金属硫化物半导体光催化剂的发展现状，三种重要的半导体薄膜和复合结构的制备方法，及其光（电）催化性能。第1章介绍了三元铟基金属硫化物半导体的制备及光催化应用研究进展；第2章介绍了立方相ZnIn2S4薄膜的制备及光电性能；第3章介绍了TiO2ZnIn2S4复合结构薄膜的制备及其光电特性；第4章介绍了CaIn2S4薄膜的制备及其光电化学性能；第5章介绍了TiO2和CaIn2S4复合结构薄膜的制备及其光电化学性能；第6章介绍了TiO2和CaIn2S4复合光催化剂的制备及催化性能；第7章介绍了片状CdIn2S4薄膜的制备及其光电化学性能。本书内容涉及基于三种铟基金属硫化物光催化剂的制备工艺、表征手段及光电催化特性，可供从事光电催化领域人员参考阅读。
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