目录
章 绪论
1.1 几种典型的二维电子气体系
1.1.1 半导体异质结量子阱
1.1.2 单层石墨片――石墨烯
1.1.3 三维拓扑绝缘体表面
1.2 二维电子气体系的物理性质
1.3 二维电子气的应用背景
1.4 本书选题与主要研究内容
第二章 介观输运理论中的转移矩阵方法
2.1 介观输运理论
2.2 转移矩阵
2.3 Landauer-Bnttiker公式
第三章 半导体异质结二维电子气
3.1 研究背景
3.2 磁垒调节下自旋相关电导与磁阻
3.2.1 模型描述与公式推导
3.2.2 结果与讨论
3.3 本章小结
第四章 石墨烯及其纳米条带
4.1 研究背景
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本书先介绍了二维材料的发展和转移矩阵研究方法,进而分别对半导体异质结、石墨烯和拓扑绝缘体表面这三种典型二维电子气体系在铁磁近邻作用下的自旋相关输运问题进行了较系统的研究和阐述,根据分析体系的能带结构、电导和磁阻效应等得到了系列有意义的结果,对于人们理解二维电子气体系的输运机理提供了有益的参考,并为纳米电子器件的设计提供理论指导。在自旋电子学理论及未来的技术应用方面均有重要意义。
精彩内容
王海艳著的《铁磁近邻作用下二维电子气体系的自旋相关输运研究》采用转移矩阵方法,分别对半导体异质结、石墨烯和拓扑绝缘体表面几种典型二维电子气体系在铁磁近邻作用下的自旋相关输运问题进行了较系统的研究,旨在为纳米电子器件和自旋量子器件的设计提供物理基础。
媒体评论
本书首先介绍了二维材料的发展和转移矩阵研究方法,进而分别对半导体异质结、石墨烯和拓扑绝缘体表面这三种典型二维电子气体系在铁磁近邻作用下的自旋相关输运问题进行了较系统的研究和阐述,根据分析体系的能带结构、电导和磁阻效应等得到了一系列有意义的结果,对于人们理解二维电子气体系的输运机理提供了有益的参考,并为纳米电子器件的设计提供理论指导。在自旋电子学理论及未来的技术应用方面均有重要意义。
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