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晶体生长手册:第1册:晶体生长及缺陷形成概论

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广东广州

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作者(美)Govindhan Dhanaraj等主编

出版社哈尔滨工业大学出版社

ISBN9787560333861

出版时间2012-11

四部分类子部>艺术>书画

装帧平装

开本16开

定价48元

货号7906327

上书时间2024-07-15

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商品详情

品相描述：全新

商品描述: 导语摘要
《晶体生长手册(第1册晶体生长及缺陷形成概论影印版)》由德哈纳拉所著，介绍基础理论：生长和表征技术综述，表面成核工艺，溶液生长晶体的形态，生长过程中成核的层错，缺陷形成的形态。
施普林格的手册，一贯全面阐述基础理论，提供可靠的研究方法和关键知识皮及大量的参考文献，介绍最新的应用实例，前瞻学科的发展方向。手册作者多为世界首席专家或知名学者。手册具有极大的实用性，其表格、图标、索引等更增加了它的使用价值。

目录
缩略语

Part A晶体生长基础及缺陷形成

1.晶体生长技术和表征：综述

  1.1发展历史

  1.2晶体生长理论

  1.3晶体生长技术

  1.4晶体缺陷及表征

  参考文献

2.表面成核

  2.1晶体环境相平衡

  2.2晶核形成及工作机理

  2.3成核率

  2.4饱和晶核密度

  2.5在同质外延中的第二层成核

  2.6异质外延中的聚集机理

  2.7表面活性剂对成核的影响

  2.8结论与展望

  参考文献

3.溶液中的晶体生长形态

  3.1相平衡

  3.2晶体的生长相理论

  3.3影响晶体特性的因素

  3.4表面结构

  3.5晶体缺陷

  3.6成核动力学一一过饱和

  3.7溶剂

  3.8杂质

  3.9其他因素

  3.10晶体特性变化过程

  3.11小结

  3.A附录

  参考文献

4.晶体生长过程中缺陷的生长及演变

  4.1综述

  4.2包晶

  4.3条纹和生长区

  4.4位错

  4.5孪晶

  4.6溶液中快速生长完整晶体

  参考文献

5.没有约束条件下的单晶生长

  5.1背景

  5.2光滑和粗糙的接触面：生长机理和形态学

  5.3表面微形貌

  5.4多面体材料晶体的生长形貌

  5.5内部形态

  5.6完整单晶

  参考文献

6.熔体生长晶体期间缺陷的形成

  6.1综述

  6.2点缺陷

  6.3位错

  6.4第二相粒子

  6.5面缺陷

  6.6孪晶

  6.7总结

  参考文献

内容摘要
版权页:

插图:

4.4.2 Sources of Growth Dislocations
For topological reasons dislocation lines cannot start orend in the interior of a perfect crystal. They either formclosed loops, or they start from external and internal surfaces (e.g., grain boundaries), or from other defects witha break of the crystal lattice. In crystal growth, such defects may arise from all kinds of inclusions (e.g., foreignparticles, liquid inclusions, bubbles, solute precipitates).When inclusions are overgrown and closed by growthlayers, lattice closure errors may occur. These errors arethe origin of growth dislocations which are connectedto the growth front and propagate with it during furthergrowth.
It is a very common observation that inclusions arethe source of growth dislocations. Examples are shownin Figs. 4.3, 4.5, 4.10, etc. The appearance of dislocations behind an inclusion (viewed in the directionof growth) is correlated with its size: small inclusionsemit only a few dislocations or are often dislocationfree. Large inclusions (> 50μm) usually emit bundlesof dislocations. In some cases, however, large inclusions(several millimeters in diameter) of mother solutionswithout dislocation generation have been observed (e.g.,in the capping zone of KDP [4.84, 85]).
The generation of growth dislocations by foreignparticle inclusions has been experimentally studied byNeuroth [4.86] in crystals growing in aqueous solution (potassium alum) and in supercooled melt (benzophenone (C6H5)2CO, Tm = 48 ~C; salol C13H1003,Tm=42℃).

精彩内容
多年以来，有很多探索研究已经成功地描述了晶体生长的生长工艺和科学，有许多文章、专著、会议文集和手册对这一领域的前沿成果做了综合评述。这些出版物反映了人们对体材料晶体和薄膜晶体的兴趣日益增长，这是由于它们的电子、光学、机械、微结构以及不同的科学和技术应用引起的。实际上，大部分半导体和光器件的现代成果，如果没有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶体的发展则是不可能的。这些文章致力于生长机制的基本理解、缺陷形成、生长工艺和生长系统的设计，因此数量是庞大的。

本手册针对目前备受关注的体材料晶体和薄膜晶体的生长技术水平进行阐述。我们的目的是使读者了解经常使用的生长工艺、材料生产和缺陷产生的基本知识。为完成这一任务，我们精选了50多位很好科学家、学者和工程师，他们的合作者来自于22个不同国家。这些作者根据他们的专业所长，编写了关于晶体生长和缺陷形成共计52章内容：从熔体、溶液到气相体材料生长；外延生长；生长工艺和缺陷的模型；缺陷特性的技术以及一些现代的特别课题。

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晶体生长手册:第1册:晶体生长及缺陷形成概论

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