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微纳加工科学原理

380 九品

仅1件

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作者唐天同、王兆宏 著

出版社电子工业出版社

出版时间2010-06

版次1

装帧精装

上书时间2022-06-25

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品相描述:九品
有少许划线笔记
图书标准信息
  • 作者 唐天同、王兆宏 著
  • 出版社 电子工业出版社
  • 出版时间 2010-06
  • 版次 1
  • ISBN 9787121110184
  • 定价 89.00元
  • 装帧 精装
  • 开本 16开
  • 纸张 胶版纸
  • 页数 525页
  • 字数 810千字
  • 正文语种 简体中文
  • 丛书 信息科学与工程系列专著
【内容简介】
《微纳加工科学原理》基于作者长期从事微纳加工技术、带电粒子光学和光电子学等方面的科研和教学工作积累,系统、全面地论述现代微米与纳米微细加工的科学原理。主要内容包括:光子、电子、离子和等离子体及其作用,常用的衬底与薄膜材料,微细图形技术,薄膜淀积、蚀刻、外延生长、氧化、扩散和离子注入的过程和方法,以及微细结构的光学、电子显微、声学、扫描探针显微等微观分析和表征手段。《微纳加工科学原理》深入浅出,物理意义明确,取材较新,比较全面地概括了国内外近10年来微纳加工领域所取得的新成果和新进展,便于读者从宽广的视角来理解本学科前沿的各种科学技术问题,进行创新性研究和开发工作。
《微纳加工科学原理》可供电子科学与技术、微电子技术、光电子技术、精密机械加工、微电子集成工艺、半导体与集成电路工艺设备、光电子集成工艺设备、微机械及微光-电-机械加工、微流体技术、微传感器件与技术等领域科研人员参考使用,也可用做高等学校相关学科的教学参考书。
【作者简介】
唐天同,1938年生,西安交通大学教授、物理电子学科首位博士生导师,光电子与物理电子工程研究所所长。国家自然科学奖评审专家,陕西省师德标兵。1961年毕业于清华大学无线电系.于1980-1982年、1994-1995年分别在英国剑桥大学和美国马里兰大学做访问学者。获教育部高校自然科学一等奖2项,电子工业部、国家教委和陕西省科技进步二等奖各1项。发表学术论文200余篇,出版专著和教材8部。所指导的博士生论文获全国优秀博士学位论文奖2篇、提名奖2篇。
王兆宏,1976年生,西安交通大学副教授.硕士生导师,工学博士。发表学术论文20余篇,出版著作2部,其中与唐天同教授合作出版的《集成光学》获陕西省高等院校优秀教材二等奖、西安交通大学优秀教材特等奖。主持国家自然科学基金项目1项,合作完成国家科学技术学术著作出版基金、西安交大研究生创新教育系列教材出版基金项目各1项,获国家公派访问学者出国留学基金项目1项。
【目录】
第1章绪论(1)
1.1微纳加工技术的意义(1)
1.2微电子和光电子工程与微纳加工技术的关系(2)
1.3平面工艺(5)
1.4本书内容(6)
1.5微细结构的其他应用领域(9)
1.6未来纳米结构和纳米加工(13)
参考文献(14)

第2章光子、电子、离子和等离子体(16)
2.1光波与光子(16)
2.1.1微纳加工技术中的光源(18)
2.1.2几何光学的聚焦成像概念(22)
2.1.3光的衍射和聚焦成像分辨率的衍射限制(26)
2.1.4光学成像的波动理论(30)
2.2极紫外射线与X射线(35)
2.2.1极紫外射线与X射线的产生(36)
2.2.2极紫外线与X射线的控制(45)
2.3自由电子与电子束(49)
2.3.1电子发射(49)
2.3.2电子光学和电子束系统(52)
2.3.3电子枪(65)
2.4气体放电与等离子体(68)
2.4.1气体的电击穿(68)
2.4.2气体放电(69)
2.4.3等离子体(73)
2.4.4等离子体的电学性质(76)
2.4.5等离子体的化学作用(80)
2.5离子与离子源(82)
2.5.1概述(82)
2.5.2表面(热)电离离子源(82)
2.5.3场离子源(83)
2.5.4等离子体离子源(86)
2.6光子、电子及离子与物质的作用(91)
2.6.1光子的作用(92)
2.6.2X射线与极紫外线光子的作用(99)
2.6.3电子的作用(101)
2.6.4离子相互作用(108)
2.7真空物理与技术概要(113)
2.7.1真空与低压气体的分子运动及气体流动(113)
2.7.2真空室内的吸气与放气过程(116)
2.7.3获得低压与真空的抽气技术(118)
2.7.4低压强与真空度的测量技术(131)
参考文献(138)

第3章微电子与光电子集成技术中常用的衬底与薄膜材料(141)
3.1晶体结构与性质(142)
3.1.1晶体的几何结构(142)
3.1.2晶体的电学性质(146)
3.1.3晶体的光学性质(155)
3.2半导体材料(159)
3.2.1元素半导体(159)
3.2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(165)
3.2.3Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体(172)
3.2.4Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体(176)
3.3介电材料(179)
3.3.1电介质材料(179)
3.3.2无源光电子材料(181)
3.4玻璃和聚合物(189)
3.4.1基本概念和术语(189)
3.4.2玻璃(190)
3.4.3聚合物(197)
3.5特殊微细结构及其有关材料(198)
3.5.1半导体超晶格结构(198)
3.5.2量子阱、量子线和量子点(201)
3.5.3碳纳米管及其薄膜(203)
3.5.4光子与声子晶体(206)
参考文献(207)

第4章微细图形技术(210)
4.1前言(210)
4.2光学光刻(212)
4.2.1接触式和接近式曝光光刻(212)
4.2.2投射式光刻(214)
4.2.3先进光学光刻技术和其他改进分辨率的方法(224)
4.3抗蚀胶(239)
4.3.1抗蚀胶曝光与显影的原理及类型(239)
4.3.2(曝光)对比度曲线(243)
4.3.3涂敷和显影工艺(244)
4.3.4抗蚀胶的化学放大和对比度增强技术(245)
4.4X射线光刻技术(246)
4.4.1概述(246)
4.4.2接近式X射线光刻系统及X射线光刻掩模板(247)
4.4.3投射式X射线光刻(250)
4.5极紫外线光刻(252)
4.6电子束光刻系统(254)
4.6.1概述(254)
4.6.2扫描电子束曝光系统(255)
4.6.3投射式电子束曝光光刻系统(266)
4.6.4电子束光刻的抗蚀胶(269)
4.7离子束光刻系统(270)
4.8纳米压印技术(273)
4.9LIGA制造技术(274)
参考文献(276)

第5章蚀刻技术(280)
5.1引言(280)
5.2湿法(化学)蚀刻(282)
5.3等离子体溅射蚀刻(287)
5.4离子束蚀刻和离子铣(292)
5.5基于化学作用的等离子体蚀刻(294)
5.6光刻-蚀刻后的去胶(302)
5.7激光蚀刻(304)
参考文献(310)

第6章淀积(312)
6.1蒸发淀积(312)
6.1.1蒸发、升华和凝结(312)
6.1.2真空蒸发淀积及蒸发淀积装置(315)
6.1.3多组分薄膜的淀积(318)
6.2溅射淀积(319)
6.2.1阴极溅射(319)
6.2.2溅射淀积过程和淀积速率(319)
6.2.3溅射淀积设备(321)
6.2.4离子束溅射淀积(324)
6.2.5离子束直接淀积(326)
6.2.6离子镀(327)
6.2.7反应(离子束)溅射淀积(328)
6.2.8剥离法(329)
6.3化学气相淀积(330)
6.3.1概述(330)
6.3.2化学气相淀积的原理(330)
6.3.3化学气相淀积装置(332)
6.4等离子体、光和电子束增强化学气相淀积(333)
6.4.1等离子体增强化学气相淀积(333)
6.4.2光(增强)化学气相淀积(335)
6.4.3电子束感应化学气相淀积(335)
6.5其他薄膜成膜技术(336)
6.5.1电化学淀积(336)
6.5.2脉冲激光淀积法(337)
6.5.3溶胶?凝胶法(339)
6.5.4自组装法(352)
6.6薄膜厚度的测量方法(359)
6.6.1薄膜厚度的光学测量方法(359)
6.6.2薄膜厚度的电学测量方法(363)
6.6.3薄膜厚度的机械测量方法(364)
参考文献(367)

第7章外延生长(369)
7.1概述(369)
7.1.1外延生长(369)
7.1.2外延生长的过程(371)
7.1.3外延生长层的结构形式(376)
7.1.4液相外延生长(379)
7.2分子束外延(380)
7.2.1概述(380)
7.2.2分子束外延生长的薄膜(381)
7.2.3分子束外延设备(383)
7.2.4离化团粒束外延生长(389)
7.3金属有机化合物气相外延生长(391)
7.3.1概述(391)
7.3.2选择式金属有机化合物气相外延晶体生长技术(393)
7.4激光化学气相外延生长(396)
参考文献(397)

第8章微纳加工中的特殊工艺过程(399)
8.1氧化(399)
8.1.1概述(399)
8.1.2硅的热氧化过程及氧化层的性质(400)
8.1.3热氧化设备(404)
8.1.4等离子体氧化(405)
8.2扩散(406)
8.2.1概述(406)
8.2.2扩散方程(407)
8.2.3固相扩散的物理模型(408)
8.2.4扩散方程的解析解(409)
8.2.5场增强扩散(411)
8.2.6扩散设备(412)
8.2.7杂质的密度和分布的分析(413)
8.2.8离子交换与质子交换(416)
8.3离子注入掺杂(418)
8.3.1概述(418)
8.3.2离子注入设备(419)
8.3.3离子注入过程(421)
8.3.4离子注入的沟道效应(424)
8.3.5离子注入的辐射损伤(426)
8.3.6退火(428)
8.3.7激光束与电子束退火(429)
8.4化学机械研磨平坦化技术(430)
参考文献(433)

第9章微细结构的微分析和表征(434)
9.1光学及激光方法(434)
9.1.1光学显微镜(434)
9.1.2激光扫描共焦显微镜(436)
9.1.3基于干涉计量的激光测量仪器(438)
9.1.4激光扫描故障检测系统(440)
9.2电子显微镜和微分析方法(443)
9.2.1概述(443)
9.2.2透射电子显微镜(444)
9.2.3扫描电子显微镜(463)
9.2.4表面电子束点阵结构分析方法(479)
9.3声学方法(482)
9.3.1概述(482)
9.3.2扫描声学显微镜(482)
9.3.3扫描电子声学显微镜(483)
9.4扫描探针显微镜(484)
9.4.1扫描隧道显微镜(485)
9.4.2原子力显微镜(494)
9.4.3扫描近场光学显微镜(498)
9.4.4扫描弹道电子发射显微镜(501)

参考文献(504)
附录(506)
附录A缩略语表(506)
附录B部分专业术语中英文对照表(508)
附录C基本物理常数(510)
附录D几种常用单位的换算(510)
附录E主要符号表(511)
附录F金属元素的蒸气压和蒸发速率(512)
附录G化合物的蒸气压、熔点和蒸气成分(515)
附录H32种点群的平衡态性质矩阵(521)
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