宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能

图书标准信息

• 作者 陶绪堂
• 出版社 西安电子科技大学出版社
• 出版时间 2022-09
• 版次 1
• ISBN 9787560664446
• 定价 128.00元
• 装帧 精装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 328页
• 字数 344千字

【内容简介】

氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。
  本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高校教师、研究生、高年级本科生的参考书或工具书，也可供其他对宽禁带半导体材料氧化镓感兴趣的人员参考。

【目录】

章氧化镓简介

1.1引言

1.2氧化镓品体的基本质

1.2.1结构质

1.2.2光学质

1.2.3电学质

1.2.4热学质

1.3结与展望

参文献

第2章氧化镓体块单晶生长

2.1氧化镓单晶提拉生长

2.1.1提拉简介

2.1.2提拉生长氧化物晶体

2.1.3提拉氧化镓单晶生长探索及进展

2.1.4提拉晶体生长中的螺旋生长现象

2.2氧化镓单晶导模生长

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