纳米晶体管：器件物理学，建模和仿真

图书标准信息

• 作者 [美]伦德斯特姆（Lundstrom M.） 著
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2007-01
• 版次 1
• ISBN 9787030182425
• 定价 35.00元
• 装帧 平装
• 开本 其他
• 纸张 胶版纸
• 页数 217页
• 字数 357千字
• 丛书 微纳技术著作丛书（影印版）

【内容简介】

近几十年来，晶体管的尺度发展一直是推动电子学的动力，各种分子尺度的器件已经出现，甚至有取代硅晶体管的趋势。《纳米晶体管：器件物理学，建模和仿真》详细介绍了纳米晶体管的理论、建模与仿真，内容包括弹道纳米晶体管的弹道传输和量子效应，MOSFET的散射理论等。为了详细说明纳米晶体管，《纳米晶体管：器件物理学，建模和仿真》还提供了已被详尽数值仿真所证实的物理图片及半解析模型。
《纳米晶体管：器件物理学，建模和仿真》可供从事纳米电子器件领域的电子工程师、物理学者和化学家参考。

【目录】

Preface
1）BasicConcepts
1.1Introduction
1.2Distributionfunctions
1.33D，2D，and1DCarriers
1.4Densityofstates
1.5Carrierdensities
1.6Directedmoments
1.7Ballistictransport：semiclassical
1.8Ballistictransport：quantum
1.9TheNEGFformalism
1.10Scattering
1.11Conventionaltransporttheory
1.12Resistanceofaballisticconductor
1.13Coulombblockade
1.14Summary
2）Devices，CircuitsandSystems
2.1Introduction
2.2TheMOSFET
2.31DMOSElectrostatics
2.42DMOSElectrostatics
2.5MOSFETCurrent-VoltageCharacteristics
2.6Thebipolartransistor
2.7CMOSTechnology
2.8Ultimatelimits
2.9Summary
3）TheBallisticNanotransistors
3.1Introduction
3.2PhysicalviewofthenanoscaleMOSFETs
3.3NatoristheoryoftheballisticMOSFET
3.4Nondegenerate，degenerate，andgeneralcarrierstatistics
3.4.1TheballisticMOSFET（nondegenerateconditions）
3.4.2TheballisticMOSFET（TL=0，degenerateconditions）
3.4.3TheballisticMOSFET（generalconditions）
3.5BeyondtheNatorimodel
3.5.1Roleofthequantumcapacitance
3.5.2Twodimensionalelectrostatics
3.6Discussion
3.7Summary
4）ScatteringTheoryoftheMOSFET
4.1Introduction
4.2MOSFETphysicsinthepresenceofscattering
4.3Thescatteringmodel
4.4Thetransmissioncoefficientunderlowdrainbias
4.5Thetransmissioncoefficientunderhighdrainbias
4.6Discussion
4.7Summary
5）NanowireField-EffectTransistors
5.1Introduction
5.2SiliconnanowireMOSFETs
5.2.1EvaluationoftheI-Vcharacteristics
5.2.2TheI-Vcharacteristicsfornondegeneratecarrierstatistics
5.2.3TheI-Vcharacteristicsfordegeneratecarrierstatistics
5.2.4Numericalresults
5.3Carbonnanotubes
5.4Bandstructureofcarbonnanotubes
5.4.1Bandstructureofgraphene
5.4.2Physicalstructureofnanotubes
5.4.3Bandstructureofnanotubes
5.4.4BandstructureneartheFermipoints
5.5CarbonnanotubeFETs
5.6CarbonnanotubeMOSFETs
5.7SchottkybarriercarbonnanotubeFETs
5.8Discussion
5.9Summary
6）TransistorsattheMolecularScale
6.1Introduction
6.2Electronicconductioninmolecules
6.3Generalmodelforballisticnanotransistors
6.4MOSFETswith0D，1D，and2Dchannels
6.5Moleculartransistors?
6.6Singleelectroncharging
6.7Singleelectrontransistors
6.8Summary
INDEX