PDN设计之电源完整性:高速数字产品的鲁棒和高效设计
全新正版未拆封
¥
98.21
4.9折
¥
199
全新
库存2件
作者拉里·史密斯(Larry Smith)、埃里克·博加廷(Eric、Boga 著
出版社机械工业出版社
出版时间2019-08
版次1
装帧平装
上书时间2024-10-29
商品详情
- 品相描述:全新
图书标准信息
-
作者
拉里·史密斯(Larry Smith)、埃里克·博加廷(Eric、Boga 著
-
出版社
机械工业出版社
-
出版时间
2019-08
-
版次
1
-
ISBN
9787111630005
-
定价
199.00元
-
装帧
平装
-
开本
16
-
纸张
胶版纸
-
页数
435页
- 【内容简介】
-
本书阐明信号如何与互连交互、串联和并联RLC电路的阻抗相关的属性,如何从物理设计特征预测回路电感和降低电容器组合的峰值阻抗,还直击常见问题的根源,利用分析工具,有效地探索设计空间和优化权衡。
- 【作者简介】
-
拉里?d.史密斯(larryd.smith),曾在ibm公司从事电源和模拟电路设计、信号完整领域的工作,在2011年加入高通公司,任电源完整设计工程师。他拥有众多专利并发表了很多期刊和会议文章。
- 【目录】
-
译者序前言致谢章电源分配网络工程11电源分配网络的定义及关心它的原因12pdn工程13pdn的鲁棒设计14建立pdn阻抗曲线15结参文献第2章pdn阻抗设计基本21关心阻抗的原因22频域中的阻抗23阻抗的计算或24实际电路元件与理想电路元件25串联rlc电路26并联rlc电路27串联和并联rlc电路的谐振特28rlc电路和真实电容器的例子29从芯片或电路板的角度观察pdn210瞬态响应211主题:阻抗矩阵212结参文献第3章低阻抗测量31关注低阻抗测量的原因32基于v/i阻抗定义的测量33基于信号反的阻抗测量34用vna测量阻抗35示例:测量dip中两条引线的阻抗36示例:测量小导线回路的阻抗37低频下vna阻抗测量的局限38四点开尔文电阻测量技术39双端低阻抗测量技术310示例:测量直径为1in的铜环阻抗311夹具伪像说明312示例:测量通孔的电感313示例:印制板上的 mlcc电容器314主题:测量片上电容315结参文献第4章电感和pdn设计41留意pdn设计中电感的原因42简单回顾电容,初步了解电感43电感的定义、磁场和电感的基本原则44电感的阻抗45电感的准静态近似 46磁场密度47磁场中的电感和能量48麦克斯韦方程和回路电感49及外部电感和趋肤深度410回路电感、部分电感、自电感和互电感411均匀圆形导体412圆形回路中电感的近似413紧密结合的宽导体的回路电感414均匀传输线回路电感的近似415回路电感的简单经验则416主题:利用3d场求解器计算s参数并选取回路电感417结参文献第5章实用多层陶瓷片状电容器的集成51使用电容器的原因52实际电容器的等效电路模型53并联多个相同的电容器54两个不同电容器间的并联谐振频率55prf处的峰值阻抗56设计一个贴片电容57电容器温度与电压稳定58多大的电容是足够的59一阶和二阶模型中实际电容器的esr510从规格表中估算电容器的esr511受控esr电容器512电容器的安装电感513使用供应商提供s参数的电容器型号514如何分析供应商提供的s参数模型515主题:更高带宽的电容模型516结参文献第6章面和电容器的特61面的关键作用62面的低频特:行板电容63面的低频特:边缘场电容 64面的低频特:功率坑中的边缘场电容65长窄腔回路电感66宽腔中的扩散电感67从3d场求解器中获得扩散电感68集电路中串联和并联的自谐振频率69探讨串联lc谐振的特610扩散电感和源的接触位置611两个接触点之间的扩散电感612电容器和腔的相互作用613扩散电感的作用:电容位置在何时重要614饱和扩散电感615空腔模态共振和传输线特616传输线和模态共振的输入阻抗617模态共振和衰减618空腔二维模型619主题:使用传输阻抗探测扩散电感620结参文献第7章信号返回面改变时,信号完整的探讨71信号完整和面72涉及峰值阻抗问题的原因73通过较低阻抗和较高阻尼来降低腔体噪声74使用短路通孔遏制腔体谐振75使用多个隔直电容抑制腔体谐振76为抑制腔体谐振,估计隔直电容器的数量77为承受回路电流,需要确定隔直电容器的数量78使用未达很好数量的隔直电容器的腔体阻抗79扩散电感和电容器的安装电感710使用阻尼来遏制由一些电容器产生的并联谐振峰711腔体损耗和阻抗峰的降低712使用多个容量的电容器来遏制阻抗峰713使用受控esr电容器来减小峰值阻抗高度714处理回路面为重要的设计的结715主题:使用传输线电路对面建模716结参文献第8章pdn生态学81元件集中在一起:pdn生态学和频域82高频端:芯片去耦电容83封装pdn84bandini山85估计典型的bandini 山频率86bandini山的固有阻尼87具有多个通孔对接触的电源地面88从芯片通过封装看pcb腔体89空腔的作用:小印制板、大印制板和“电源旋涡”810低频端:vrm和它的大容量电容器811大容量电容器:多大的电容值足够812优化大容量电容器和vrm813建立pdn生态学系统:vrm、大容量电容器、腔体、封装和片上电容器814峰值阻抗的基本815在具有一般特的印制板上使用单数值的mlcc电容器816优化单个mlcc电容器的数值817在印制板上使用3个不同数值的mlcc电容器818优化3个电容器的数值819选择电容值和小电容器数目的频域目标阻抗820使用fdtim选择电容器的值821当片上电容是大的和封装引线电感小的时候822使用受控esr电容器是一种替换的去耦策略823封装上的去耦电容器824主题:同一供电电路上多个芯片的影响825结参文献第9章瞬时电流和pdn电压噪声91瞬时电流如此重要的原因92坦阻抗曲线、瞬时电流
点击展开
点击收起
— 没有更多了 —
以下为对购买帮助不大的评价