国外信息科学与技术优秀图书系列：集成电路中的现代半导体器件（英文版）

图书标准信息

• 作者 [美]胡正明（Chenming Calvin Hu） 著
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2012-02
• 版次 1
• ISBN 9787030326652
• 定价 68.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 351页
• 字数 450千字
• 正文语种 英语

【内容简介】

《国外信息科学与技术优秀图书系列：集成电路中的现代半导体器件（英文版）》主要介绍与集成电路相关的几种主流半导体器件的基本原理，包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管（BJT），同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。本书作者是美国加州伯克利大学的终身教授、美国工程院院士、中国科学院外籍院士，多年从事半导体器件与集成电路领域的前沿性研究工作。本书内容简明扼要、重点突出，深度掌握适宜，讲解深入浅出，理论联系实际。《国外信息科学与技术优秀图书系列：集成电路中的现代半导体器件（英文版）》可作为微电子及相关专业本科生教材，也可以作为微电子及相关领域工程技术人员的参考书。

【作者简介】

胡正明（ChenmingCalvinHu），IEEEFellow、美国工程院院士、中国科学院外籍院士，多年从事半导体器件与集成电路领域的前沿性研究工作，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。2001年至2004年在全球规模最大的专业集成电路制造服务公司——台积电担任CTO，1997年因在元件可靠性方面的贡献而获得IEEE电子元件奖（JackMortonAward），2002年因发展了第一个国际标准的晶体管电路仿真模型而获得IEEE固态电路奖，2009年因在器件物理和尺寸方面的杰出贡献而获得西泽润一奖（Jun-ichiNishizawaMedal），发表论文800余篇，拥有美国专利100余项，由他指导发表的博士论文60余篇。同时，还获得了美国加帅0大学伯克利分校教育方面的最高奖项——伯克利杰出教育奖。

【目录】

Preface
1ElectronsandHolesinSemiconductors
1.1SiliconCrystalStructure
1.2BondModelofElectronsandHoles
1.3EnergyBandModel
1.4Semiconductors,Insulators,andConductors
1.5ElectronsandHoles
1.6DensityofStates
1.7ThermalEquilibriumandtheFermiFunction
1.8ElectronandHoleConcentrations
1.9GeneralTheoryofnandp
1.10CarrierConcentrationsatExtremelyHighandLowTemperatures
1.11ChapterSummary
PROBLEMS
REFERENCES
GENERALREFERENCES

2MotionandRecombinationofElectronsandHoles
2.1ThermalMotion
2.2Drift
2.3DiffusionCurrent
2.4RelationBetweentheEnergyDiagramandV,%
2.5EinsteinRelationshipBetweenDandu
2.6Electron-HoleRecombination
2.7ThermalGeneration
2.8Quasi-EquilibriumandQuasi-FermiLevels
2.9ChapterSummary
PROBLEMS
REFERENCES
GENERALREFERENCES

3DeviceFabricationTechnology
3.1IntroductiontoDeviceFabrication
3.2OxidationofSilicon
3.3Lithography
3.4PatternTransfer-Etching
3.5Doping
3.6DopantDiffusion
3.7Thin-FilmDeposition
3.8Interconnect-TheBack-EndProcess
3.9Testing,Assembly,andQualification
3.10ChapterSummary-ADeviceFabricationExample
PROBLEMS
REFERENCES
GENERALREFERENCES

4PNandMetal-SemiconductorJunctions
Part1PNJunction
4.1BuildingBlocksofthePNJunctionTheory
4.2*Depletion-LayerModel
4.3Reverse-BiasedPNJunction
4.4Capacitance-VoltageCharacteristics
4.5JunctionBreakdown
4.6CarrierInjectionUnderForwardBias--Quasi-EquilibriumBoundaryCondition
4.7CurrentContinuityEquation
4.8ExcessCarriersinForward-BiasedPNJunction
4.9PNDiodeIVCharacteristics
4.10ChargeStorage
4.11Small-SignalModeloftheDiode
Part2ApplicationtoOptoelectronicDevices
4.12SolarCells
4.13Light-EmittingDiodesandSolid-StateLighting
……
5MOSCapacitor
6MOSTransistor
7MOSFETsinICs-Scaling,Leakage,andOtherTopics
8BipolarTransistor