半导体锗材料与器件\[比]C.克莱著屠海令译

正版新书新华官方库房直发可开电子发票

50.4 7.2折 70 全新

库存3件

江苏南京

认证卖家担保交易快速发货售后保障

作者(比)C.克莱 E.西蒙

出版社冶金工业出版社

ISBN9787502451752

出版时间2010-05

版次1

装帧平装

开本16开

纸张胶版纸

字数467千字

定价70元

货号SC:9787502451752

上书时间2024-11-20

已实名已认证进店收藏店铺

商品描述: 内容简介:
    锗是研发晶体管技术的基础性半导体材料，近年来，由于其在微纳电子学领域的潜在优势，半导体锗材料又重新受到人们的关注。
    本书是全面深入探讨这一技术领域的首部著作，其内容涵盖了半导体锗技术研究的近期新进展，阐述了锗材料科学、器件物理和加工工艺的基本原理。作者系来自科学界及工业界从事该领域前沿研究的靠前知名专家。
    本书还介绍了锗在光电子学、探测器以及太阳能电池领域的工业应用。它对从事半导体器件与材料物理研究的科技人员、高等院校材料专业的师生以及工业和研究领域的工程师们而言，是一部必不可少的参考书，无论是专家还是初学者都将从本书中受益。

目录:
0  导论
  0.1  引言
  0.2  历史沿革和重大事件
  0.3  锗用作新型超大规模集成电路(ULSI)衬底：机遇与挑战
  0.4  本书梗概
  参考文献
1  锗材料
  1.1  引言
  1.2  体锗片的制备
    1.2.1  锗原材料：供应及生产流程
    1.2.2  锗晶体生长
    1.2.3  锗片制造
  1.3  GOI衬底
    1.3.1  背面研磨SOI
    1.3.2  以薄层转移技术制备GOI衬底
  1.4  结j沦
  参考文献
2  锗中长入缺陷
  2.1  引言
  2.2  锗中本征点缺陷
    2.2.1
...