集成电路制造大生产工艺技术9787308233491

吴汉明, 吴汉明, 中国工程院院士, 微电子技术(集成电路制造)专家, 浙江大学微纳电子学院院长。长期工作在我国集成电路芯片产业, 主持、参加了包括国家重大专项在内的0.13微米至14纳米七代芯片大生产工艺技术研发, 攻克了刻蚀等一系列关键工艺难点。

第一篇集成电路器件与制造基础

第1章MOSFET器件工作原理

1.1 MOSFET器件的结构

1.2 MOSFET器件中的电流

1.3短沟道 MOSFET器件

第2章MOSFET器件中的尺寸微缩效应

2.1等电场微缩

2.2一般化比例微缩

2.3集成电路产业中的器件微缩情况

2.4非微缩成分

第3章MOSFET器件设计

3.1阈值电压设计

3.2电场强度设计

3.3工作电压设计

第4章微缩的工艺挑战与突破

4.1微缩的技术基础

4.2浅沟槽隔离技术

4.3栅氧与栅工程

4.4源漏工程

4.5应力工程

4.6金属硅化物技术

4.7接触孔技术

4.8金属互连

……

第二篇集成电路基本工艺

第三篇集成电路制造支撑技术

第四篇工艺集成技术

第五篇集成电路芯片制造实例

第六篇制造设计一体化

缩略语英汉对照表

第一篇集成电路器件与制造基础

金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor,MOSFET)是现代超大规模集成电路最基本的元器件之一。集成电路的制造围绕着如何实现更高的MOSFET器件性能展开，基于给定的MOSFET器件性质进行集成电路的设计。MOSFET器件利用半导体材料在不同电位下导电类型的转变,实现器件状态“0"和“1"之间的转变,产生由布尔代数描述的逻辑,，成为当前集成电路的基础。MOSFET器件自发明以来不断向着尺寸更小、工作电压更低的方向发展,这一趋势也成为电路性能提升的主要推动力。本篇内容将探讨究竟是何种原理使得尺寸、电压微缩成为MOSFET器件发展的主要趋势，以及器件尺寸微缩过程中需考虑何种结构、材料和电压因素。针对集成电路“性能、功耗、面积"需求,分析如何在工作电压、功耗、电流驱动能力等诸多相互关联的参数间寻找合理、可行的解决方案，进而阐明MOSFET器件的关键电学参数设计规则，,明晰器件物理结构和电学性质设计的极限。

……

本书尝试沿着主流大生产芯片制造工艺流程, 从芯片制造工程的视角, 贯穿芯片制造工艺的一连串核心环节, 展示给读者一个从基础理论到工程实践的有效学习途径。教材围绕微纳米级芯片的制造工艺过程, 从光刻、刻蚀、注入、热处理、薄膜制备逐个介绍后, 再将各工艺模块有机的集成起来, 还讨论了大生产工艺中良率提升和可靠性等产业关心的共性问题。