Eu3+掺杂稀土发光材料的纳米与高阻效应研究9787560377469
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作者尚春宇著
出版社哈尔滨工业大学出版社
ISBN9787560377469
出版时间2021-08
装帧平装
开本16开
定价58元
货号11328324
上书时间2024-12-20
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目录
第1章 绪论
1.1 稀土发光材料概述
1.2 稀土元素基本知识
1.2.1 稀土元素原子的电子层结构
1.2.2 稀土元素离子的价态特点
1.2.3 稀土元素离子的能级与跃迁
1.3 晶体势场对稀土离子发光的重要作用
1.4 稀土发光材料的激发方式
1.5 Eu3+掺杂发光材料的电荷迁移激发
1.5.1 电荷迁移激发的一般性原理
1.5.2 Eu3+掺杂发光材料的电荷迁移激发
1.6 Eu3+掺杂发光材料的光发射特性
1.7 稀土发光材料的纳米效应
1.7.1 发光效率的变化
1.7.2 光谱的红移或蓝移
1.7.3 荧光寿命和猝灭浓度的变化
1.8 稀土发光材料的高阻效应
第2章 Re203：Eu3+(Re=Y，La)纳米材料的制备与表征方法
2.1 表征方法
2.1.1 X射线衍射分析
2.1.2 场发射扫描电子显微镜分析
2.1.3 荧光光谱分析
2.2 Re203：Eu3+(Re=Y，La)纳米粉体的低温燃烧法合成
2.2.1 Y203：Eu3+纳米粉体的合成实验
2.2.2 La203：Eu3+纳米粉体的合成实验
2.3 La203：Eu3+纳米粉体的Si02包覆
2.3.1 包覆实验的逐步改进
2.3.2 包覆效果的接触角测试
2.4 本章小结
第3章 阴极射线发光适用Y203：Eu3+荧光材料的制备与形貌改进
3.1 Y203：Eu3+荧光材料Pechini型的溶胶一凝胶方法制
3.2 Y203：Eu3+荧光材料的烧结过程分析
3.3 微米级Y203：Eu3+粉体的形貌改进
3.4 本章小结
第4章 荧光材料样品的导电性改进
4.1 实验材料样品的制备
4.2 相关实验
第5章 电荷迁移激发下Eu3+掺杂纳米发光材料发光中心的猝灭机理
5.1 Eu3+掺杂纳米发光材料发光中心的零声子电荷迁移能
5.1.1 品格结构随纳米尺寸的下降而变化
5.1.2 禁带宽度及零声子电荷迁移能下降
5.2 Eu3+掺杂纳米发光材料发光中心CTS坐标偏差
5.2.1 导致CTS坐标偏差增加的结构因素
5.2.2 导致CTS坐标偏差增加的尺寸因素
5.3 EuH掺杂纳米材料发光中心CTS偏移的光谱例证
5.3.1 发光中心电荷迁移态CTS向Eu3+的5D态的跃迁
5.3.2 利用光谱实验证明发光中心CTS偏移的可行性
5.3.3 证明Eu3+掺杂纳米材料发光中心CTS偏移的光谱实验
5.4 CT激发下Eu3+掺杂纳米发光材料发光效率的下降
5.4.1 电荷迁移态CTS的移动对发光中心非辐射弛豫概率的影响
5.4.2 零声子电荷迁移能及位形坐标偏差影响发光效率的文献佐证
5.5 相应参数以及参数变化的实验测定
5.5.1 发光效率的外表面效应
5.5.2 结合实验数据的参数计算
5.6 提高Eu3+掺杂纳米发光材料发光效率的可行方法
5.7 本章小结
第6章 电荷迁移激发下La203：Eu3+纳米材料发光效率的改善
6.1 La203：Eu3+发光材料及其电荷迁移激发
6.2 La203：Eu3+纳米材料发光效率的下降
6.3 La203：Eu3+纳米材料发光效率的改善
6.3.1 表面包覆方法的采用
6.3.2 La203：Eu3+纳米材料表面包覆的实验表征
6.4 Si02包覆的La203：Eu3+纳米材料发光效率光谱实验检测
6.4.1 光谱实验中发光效率的可比性
6.4.2 光谱强度比较实验
6.5 不同样品材料相关参数的实验测定
6.6 Eu计掺杂纳米发光材料发光效率表面效应的定量衡量
6.6.1 依照光效的变化对Eu3+掺杂纳米发光材料的区域划分
6.6.2 等效猝灭层厚度的测算
6.6.3 等效猝灭层厚度在表面包覆后的下降
6.7 本章小结
第7章 Y203：Eu3+纳米发光材料电荷迁移激发光谱的红移机理研究
7.1 一维周期性势场的晶格形变势
7.1.1 Kronig-Penney模型
7.1.2 晶体的相对体积形变导致禁带宽度及特定能级的变化
7.2 禁带宽度收缩及零声子电荷迁移能的变化
7.3 CT激发对发光中心跃迁的影响
7.4 Y203：Eu3+纳米材料发光中心电荷迁移能的变化
7.5 两种重要表面效应的微观机制
7.6 本章小结
第8章 低压阴极射线发光中荧光材料的高阻效应(未计入电子束穿透深度)
8.1 激发功率的饱和行为
8.2 e-h对产生率的饱和行为
8.3 e-h对产生区域宽度及e-h对浓度产生率的变化
8.4 e-h对激发发光中心概率下降的变化
8.5 激发态发光中心辐射跃迁概率的变化
8.6 低压阴极射线发光中荧光材料的高阻效应
8.7 本章小结
第9章 低压阴极射线发光中荧光材料的高阻效应(计入电子束穿透深度)
9.1 低压阴极射线发光中荧光层内的相关物理机制
9.2 荧光材料导电性对电子束平均穿透深度及激发功率的影响
9.3 荧光材料导电性对低压阴极射线发光性能的影响
9.4 本章小结
第10章 改善荧光材料导电性抑制低压阴极射线发光的饱和行为
10.1 在荧光材料内引入导电成分对低压阴极射线发光性的影响
10.2 在荧光材料内引入传统导电成分的初步尝试
10.3 本章小结
第11章 以氧化铟/铜纳米线合作导电成分改善荧光材料导电-陛
11.1 以合作导电成分改善荧光材料导电性
……
精彩内容
本书以YO:Eu3+和La2O3:Eu3+纳米发光材料作为研究范例,基于理论分析与实验,深入探讨电荷迁移( Charge Transfer,CT)激发下Eu3掺杂纳米发光材料发光中心的猝灭机理:基于发光中心猝灭机理的探讨,实现了Eu3+掺杂纳米材料发光效率的改善。本书研究了Eu3+掺杂纳米发光材料CT激发光谱的红移机理,探讨了CT能随材料纳米尺寸而变化的两种因素,揭示了CT激发光谱红移与发光效率下降这两种微观机制之间的内在联系。此外,深入探讨了低压阴极射线发光的饱和行为机理,以及荧光材料的高阻性与荧光亮度饱和特性的密切关联。凭借合适的导电成分在典型荧光材料中构建导电网络,实现了荧光材料导电性的改善。
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