光刻胶材料评测技术:从酚醛树脂光刻胶到最新的EUV光刻胶:ノボラックレジストから最新EUVレジストまで9787122438003

第1章 光刻技术概述 001 

参考文献 007 

第2章 光刻胶的涂覆 008 

2.1 光刻胶涂覆装置 008 

2.1.1 丝网印刷涂覆法 008 

2.1.2 旋涂法 008 

2.1.3 滚涂法 010 

2.1.4 膜压法 010 

2.1.5 浸涂法 010 

2.1.6 喷涂法 012 

2.2 旋涂工艺 013 

2.2.1 旋涂工艺流程 013 

2.2.2 旋涂工艺影响因素 015 

2.3 HMDS处理 021 

2.3.1 HMDS处理原理 021 

2.3.2 HMDS处理效果 021 

2.4 预烘烤 024 

2.5 膜厚评测 026 

2.5.1 用高低差测量膜厚（数微米～500μm） 026 

2.5.2 光谱反射仪测量膜厚（50nm～300μm） 026 

2.5.3 椭圆偏光计（椭偏计）测量膜厚（1nm～2μm） 028 

参考文献 029 

第3章 曝光技术 030 

3.1 曝光设备概述 030 

3.1.1 接触式对准曝光 030 

3.1.2 近距离对准曝光 031 

3.1.3 镜面投影曝光 031 

3.1.4 缩小的投影曝光系统—步进曝光机 033 

3.2 曝光原理 035 

3.2.1 近距离曝光的光学原理 035 

3.2.2 步进曝光机的光学原理 037 

3.2.3 获得高分辨率的方法 039 

3.3 光刻胶的感光原理和ABC参数 041 

参考文献 044 

第4章 曝光后烘烤（PEB）和显影技术 045 

4.1 曝光后烘烤概述 045 

4.2 PEB中感光剂的热分解 047 

4.3 PEB法测定感光剂扩散长度 048 

4.3.1 通过测量显影速度计算感光剂的扩散长度 049 

4.3.2 结果及分析 053 

4.3.3 小结 059 

4.4 表面难溶性参数的计算及评测 059 

4.4.1 引言 059 

4.4.2 显影速度测量装置的高精度化 059 

4.4.3 表面难溶性参数的计算 061 

4.4.4 表面难溶性参数的测量 062 

4.4.5 小结 064 

4.5 显影技术 064 

4.5.1 浸渍显影 064 

4.5.2 喷雾显影 065 

4.5.3 旋覆浸润显影 065 

4.5.4 缓供液旋覆浸润显影 067 

参考文献 069 

第5章 g线和i线光刻胶（酚醛树脂光刻胶）评测技术 071 

5.1 酚醛树脂光刻胶概述 071 

5.1.1 简介 071 

5.1.2 高分辨率要求 072 

5.2 利用光刻模拟对酚醛树脂光刻胶进行评测 077 

5.2.1 简介 077 

5.2.2 光刻模拟技术 078 

5.2.3 参数的实测和模拟 082 

5.2.4 小结 094 

5.3 利用模拟进行工艺优化 095 

5.3.1 简介 095 

5.3.2 实验与结果 095 

5.3.3 模拟研究 097 

5.3.4 分析与讨论 100 

5.3.5 小结 101 

参考文献 101 

第6章 KrF和ArF光刻胶评测技术 103 

6.1 KrF光刻胶 103 

6.2 化学增幅型光刻胶的脱保护反应 106 

6.2.1 实验装置 107 

6.2.2 传统模型的问题以及对Spence模型的探讨 108 

6.2.3 实验与结果 110 

6.2.4 新脱保护反应模型的提出和对脱保护反应的分析 113 

6.2.5 小结 117 

6.3 曝光过程光刻胶的脱气 117 

6.3.1 利用QCM观察曝光过程光刻胶质量变化 118 

6.3.2 利用GC-MS分析曝光过程光刻胶的脱气 119 

6.3.3 利用FT-IR观察曝光过程的脱保护反应 121 

6.3.4 实验与结果 121 

6.3.5 小结 127 

6.4 ArF光刻胶 127 

6.5 PAG的产酸反应 131 

6.5.1 实验装置 132 

6.5.2 实验与结果 133 

6.5.3 分析与讨论 135 

6.5.4 小结 138 

6.6 ArF光刻胶曝光过程的脱气 138 

6.6.1 脱气收集设备和方法 139 

6.6.2 实验与结果 140 

6.6.3 分析与讨论 145 

6.6.4 小结 146 

6.7 光刻胶在显影过程中的溶胀 146 

6.7.1 实验仪器 147 

6.7.2 减少热冲击 148 

6.7.3 实验与结果 149 

6.7.4 可重复性 151 

6.7.5 TBAH显影剂的溶胀行为 152 

6.7.6 小结 154 

6.8 通过香豆素添加法分析PAG的产酸反应 154 

6.8.1 实验过程 155 

6.8.2 结果和讨论 158 

6.8.3 小结 162 

参考文献 162 

第7章 ArF浸没式光刻胶和双重图形化（DP）工艺评测技术 166 

7.1 ArF浸没式曝光技术 166 

7.2 浸没式曝光过程的评测—水渗入光刻胶膜与感光度变化 169 

7.2.1 浸没式曝光反应分析设备 170 

7.2.2 浸没式曝光的光刻胶材料评测 172 

7.2.3 实验与结果 173 

7.2.4 小结 179 

7.3 浸没式曝光过程的评价—对溶出的评测 179 

7.3.1 WEXA-2系统和采样方法 179 

7.3.2 分析方法 182 

7.3.3 分析系统可靠性验证 186 

7.3.4 实验与结果 188 

7.3.5 小结 190 

7.4 浸没式DP曝光技术 191 

7.4.1 LLE方法 192 

7.4.2 双重图形工艺的评测 194 

7.4.3 小结 195 

参考文献 195 

第8章 EUV光刻胶评测技术 197 

8.1 EUV曝光技术 197 

8.2 利用光刻模拟软件评估EUV光刻胶 200