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半导体锗材料与器件\[比]C.克莱著 屠海令译
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作者(比)C.克莱 E.西蒙
出版社冶金工业出版社
ISBN9787502451752
出版时间2010-05
装帧平装
开本16开
定价70元
货号11559359
上书时间2024-10-01
商品详情
- 品相描述：全新
- 商品描述
-
目录
0 导论
0.1 引言
0.2 历史沿革和重大事件
0.3 锗用作新型超大规模集成电路(ULSI)衬底：机遇与挑战
0.4 本书梗概
参考文献
1 锗材料
1.1 引言
1.2 体锗片的制备
1.2.1 锗原材料：供应及生产流程
1.2.2 锗晶体生长
1.2.3 锗片制造
1.3 GOI衬底
1.3.1 背面研磨SOI
1.3.2 以薄层转移技术制备GOI衬底
1.4 结j沦
参考文献
2 锗中长入缺陷
2.1 引言
2.2 锗中本征点缺陷
2.2.1 本征点缺陷特性的模拟
2.2.2 有关空位特性的实验数据
2.2.3 Voronkov模型对锗的应用
2.3 非本征点缺陷
2.3.1 掺杂剂
2.3.2 中性点缺陷
2.3.3 碳
2.3.4 氢
2.3.5 氧
2.3.6 氮
2.3.7 硅
2.4 直拉生长过程中位错的形成
2.4.1 热模拟
2.4.2 机械应力的发生
2.4.3 锗的力学性质
2.4.4 拉晶过程中的位错成核和增殖
2.4.5 锗中位错的电学影响
2.5 点缺陷团
2.5.1 空位团的实验观察
2.5.2 空位团形成的模型和模拟
2.6 结论
参考文献
3 锗中掺杂剂的扩散和溶解度
3.1 引言
3.2 半导体中的扩散
3.2.1 扩散机制
3.2.2 自扩散
3.3 锗中的本征点缺陷
3.3.1 淬火
3.3.2 辐照
3.4 在锗和硅中的自扩散和Ⅳ族原子扩散
3.4.1 放射性示踪实验
3.4.2 锗中同位素作用和Ⅳ族元素的扩散
3.4.3 掺杂和压力的影响
3.4.4 锗在硅中的扩散
3.5 锗中杂质的溶解度
3.6 锗中Ⅲ、Ⅴ族掺杂剂的扩散
3.6.1 Ⅲ族受主的扩散
……
4 锗中氧
5 锗中金属
6 锗中缺陷从头计算的建模
7 锗中辐射缺陷及行为
8 锗器件的电学性能
9 器件模拟
10 纳米尺度锗MOS栅介质和MOS结
11 先进的锗MOS器件
12 锗的其他应用
13 发展趋势与展望
附录
内容摘要
锗是研发晶体管技术的基础性半导体材料，近年来，由于其在微纳电子学领域的潜在优势，半导体锗材料又重新受到人们的关注。
本书是全面深入探讨这一技术领域的首部著作，其内容涵盖了半导体锗技术研究的近期新进展，阐述了锗材料科学、器件物理和加工工艺的基本原理。作者系来自科学界及工业界从事该领域前沿研究的靠前知名专家。
本书还介绍了锗在光电子学、探测器以及太阳能电池领域的工业应用。它对从事半导体器件与材料物理研究的科技人员、高等院校材料专业的师生以及工业和研究领域的工程师们而言，是一部必不可少的参考书，无论是专家还是初学者都将从本书中受益。
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