国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）

图书标准信息

• 作者 [美]B.Jayant Baliga 著
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2012-06
• 版次 1
• ISBN 9787030343406
• 定价 150.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 1065页
• 正文语种 英语
• 原版书名 Fundamentals of Power Semiconductor Device

【内容简介】

　　《国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》作者B.JayantBaliga是功率半导体器件领域的著名专家，IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
　　《国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。

【作者简介】

作者：（美国）巴利伽（B.Jayant Baliga）

【目录】

Preface
Chapter1Introduction
1.1IdealandTypicalPowerSwitchingWaveforms
1.2IdealandTypicalPowerDeviceCharacteristics
1.3UnipolarPowerDevices
1.4BipolarPowerDevices
1.5MOS-BipolarPowerDevices
1.6IdealDriftRegionforUnipolarPowerDevices
1.7Charge-CoupledStructures:IdealSpecificOn-Resistance
1.8Summary
Problems
References

Chapter2MaterialPropertiesandTransportPhysics
2.1FundamentalProperties
2.1.1IntrinsicCarrierConcentration
2.1.2BandgapNarrowing
2.1.3Built-inPotential
2.1.4Zero-BiasDepletionWidth
2.1.5ImpactIonizationCoefficients
2.1.6CarrierMobility
2.2Resistivity
2.2.1IntrinsicResistivity
2.2.2ExtrinsicResistivity
2.2.3NeutronTransmutationDoping
2.3RecombinationLifetime

Chapter3BreakdownVoltage
Chapter4SchottkyRectifiers
Chapter5P-i-NRectifiers
Chapter6PowerMosfets
Chapter7BipolarJunctionTransistors
Chapter8Thyristors
Chapter9InsulatedGateBipolarTransistors
Chapter10Synopsis
Index