集成电路制造工艺

图书标准信息

• 作者 蒲大雁 主编；刘新；彭勇
• 出版社 机械工业出版社
• 出版时间 2015-05
• 版次 1
• ISBN 9787111498629
• 定价 29.90元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸

【内容简介】

　　本书所涉及的内容，包括了集成电路制造中所需要掌握的基本理论知识，内容比较齐全，注重对操作技能的描述，包括工艺流程操作过程，设备及操作方法。

  本书以项目为导向，任务驱动的宗旨安排教材内容，按照生产一个双极型晶体管的工艺流程，分别介绍了氧化工艺、扩散工艺、光刻工艺、刻蚀工艺和金属化等主要工艺。同时，介绍了目前主流的VLSI制造工艺中的关键工艺，如CVD工艺、离子注入工艺等。

  本书主要面向高职高专微电子技术专业学生，同时也可以作为集成电路制造企业工艺工程师和技师的参考书，还可以作为集成电路制造企业教育培训和资格认证的教材。

【目录】

第1章 半导体产业概况

1.1 半导体产业的发展历程

1.2 电路集成

1.3 半导体产业发展趋势

1.4 半导体制造产业及职业

复习题

第2章 硅衬底的制备

2.1 半导体材料

2.2 硅材料的制备

2.3 硅衬底的制备

复习题

第3章 集成电路制造工艺概况

3.1 双极型晶体管制造工艺概况

3.2 MOS场效应晶体管工艺概况

3.3 CMOS集成电路工艺概况

复习题

第4章 集成电路制造中的污染控制

4.1 集成电路制造中的玷污

4.2 玷污的源与控制

4.3 清洗工艺

4.4 清洗工艺生产实训

复习题

第5章 外延工艺

5.1 外延

5.2 外延设备

5.3 气相外延

5.4 分子束外延

5.5 低压选择外延

5.6 外延工艺生产实训

复习题

第6章 氧化工艺

6.1 二氧化硅膜的结构、性质与应用

6.2 热氧化生长二氧化硅薄膜

6.3 二氧化硅膜的质量检测

6.4 氧化设备

6.5 氧化工艺生产实训

复习题

第7章 化学气相淀积

7.1 薄膜

7.2 化学气相淀积的原理

7.3 化学气相淀积系统

7.4 二氧化硅薄膜淀积

7.4 氮化硅薄膜淀积

7.5 多晶硅薄膜淀积

7.6 金属薄膜的淀积

7.7 化学气相淀积生产实训

复习题

第8章 隔离技术

8.1 PN结隔离

8.2 介质隔离

8.3 PN结-介质隔离

8.4 MOS与CMOS中的隔离技术

复习题

第9章 光刻工艺

9.1 光刻概念

9.2 光刻的工艺流程

9.3 光刻设备

9.4 光刻工艺生产实训

复习题

第10章 刻蚀工艺

10.1 刻蚀

10.2 湿法刻蚀工艺

10.3 干法刻蚀工艺

10.4 刻蚀质量检测

10.5 刻蚀工艺生产实训

复习题

第11章 掺杂工艺

11.1 掺杂

11.2 扩散

11.3 离子注入

11.4 扩散工艺生产实训

第12章 金属化

12.1 金属化概念

12.2 金属淀积

12.3 金属化工艺流程

12.4 金属化工艺生产实训

复习题

第13章 平坦化工艺

13.1 平坦化的概念

13.2 传统平坦化技术

13.3 化学机械平坦化

13.4 CMP设备组成

13.5 CMP清洗

复习题

第14章 晶圆测试

14.1 晶圆测试

14.2 晶圆测试设备

14.3 晶圆测试流程

复习题

附录 晶体管生产工艺实训

参考文献