植根厚土 笃行致远——郑厚植院士文集

图书标准信息

• 作者 中国科学院半导体研究所
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2022-06
• 版次 1
• ISBN 9787030717481
• 定价 580.00元
• 装帧 精装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 639页
• 字数 1,300.000千字

【内容简介】

《植根厚土 笃行致远：郑厚植院士文集》梳理和总结中国科学院院士、物理学家郑厚植先生近60年从事物理学领域科研活动的历程。主要包括郑厚植院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研评述、学术咨询、自传等内容。郑厚植院士是我国著名的物理学家，在理论及应用方面对半导体低维量子结构中的新效应进行了系统的研究，并取得多项重要成果，对推动我国半导体物理科学领域的学术繁荣、学科发展、技术创新、产业振兴以及人才培养做出了重要贡献。

【目录】

目录

序

第一部分　自述

自述　3

第二部分　论著选编

Magnetoconductance studies on InP surfaces　13

Electron subbands on InP　19

Electron subbands on InP　23

Observation of size effect in the quantum Hall regime　41

Distribution of the quantized Hall potential in GaAs AlxGa1-xAs heterostructures　49

Size effect in the quantum Hall regime　56

Gate controlled transport in narrow GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures　61

Influences of particle hole Hartree interaction on magnetoresistances in disordered two dimensional hole systems　70

Influences of a parallel magnetic field on localization of disordered twodimensional electrons in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures　86

Nonresonant magnetotunneling in asymmetric GaAs/AlAs doublebarrier structures　93

Γ-X-Γ magneto tunneling oscillations in GaAs/AlAs double barrier structures　100

Tunneling escape time of electrons from a quantum well with Γ-X mixing effect　107

Density of states of the twodimensional electron gas studied by magnetocapacitances of biased double barrier structures　114

Studies on tunneling escape time of electrons from a quantum well in multilayered heterostructures　129

Direct observation for the reduction of exciton binding energy induced by perpendicular electric field　136

Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells　143

The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix　150

Suppression of sequential tunneling current by a perpendicular magnetic field in a three barrier， two well heterostructure　157

Electron transport through a double quantum dot structure with intradot and interdot Coulomb interactions　163

Magnetoexciton polaritons in planar semiconductor microcavities　172

Electrical manifestation of the quantum confined Stark effect by quantum capacitance response in an optically excited quantum well　180

Capacitance voltage characteristic as a trace of the exciton evolvement from spatially direct to indirect in quantum wells　188

ivInfluence of transverse interdot coupling on transport properties of an Aharonov Bohm structure composed by two dots and two reservoirs　195

Ultrafast geometric manipulation of electron spin and detection of the geometric phase via Faraday rotation spectroscopy　206

Evaluation of holonomic quantum computation:adiabatic versus nonadiabatic　214

Mode splitting in photoluminescence spectra of a quantum dot embedded microcavity　222

Conditions for the local manipulation of tripartite Gaussian states　229

Laterally confined modes in wet etched， metal coated， quantum dot inserted pillar microcavities　237

Noiseless method for checking the Peres separability criterion by local operations and classical communication　244

A convenient way of determining the ferromagnetic transition temperature of metallic (Ga，Mn)As　253

A new type of photoelectric response in a double barrier structure with a wide quantum well　262

Spin polarized injection into a p-type GaAs layer from a Co2MnAl injector　267

Measurement of the transmission magnetic circular dichroism of Ga1-x MnxAs epilayers using a built in p-i-n photodiode　275

Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature　284

GaAs/P型AlxGa1-xAs 异质结界面二维空穴的量子输运特性　295

Photonstorage in optical memory cells based on a semiconductor quantum dot quantum well hybrid structure　304

Conditions for the local manipulation of all bipartite Gaussian states　312

静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究　320

Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wettinglayer fluctuation　325

Electric field control of deterministic current induced magnetization switching in a hybrid ferromagnetic/ferroelectric structure　336

Tuning a binary ferromagnet into a multistate synapse with spin orbit torque induced plasticity　346

超导/低维电子气耦合体系研究　361

半导体微腔中的重要物理现象　385

第三部分　科研评述

郑厚植与低维半导体物理　421

第四部分　学术咨询

创新三思　435

21世纪的纳米技术　439

我国半导体超晶格科学的进展　442

学习《论科学技术》培养青年科技人才　448

迎接挑战，重视量子结构、量子器件及其集成技术的基础研究　450

整数、分数量子霍尔效应简介　453

中国科技如何应对WTO　470

人工物性剪裁——半导体超晶格物理、材料及新器件结构的探索　472

微电子、光电子与微系统子领域技术趋势与展望　475

具有变革性的光电子、光子器件技术发展路线图　479

半导体物理　485

关于影响我国发展的重大科技问题的思考　494

关于太阳能作为可再生能源的经济评价　499

太阳能发电作为可再生能源的主要科学技术问题　503

关于发展我国新固态光源（SSL）的建议　513

第五部分　信件往来

给常州市怀德苑小学四（1）班同学们的一封信　523

给常州市怀德苑小学三（5）班同学们的一封信　524

给学生的一封回信　525

一段遥远的回忆——祝贺我的母校上海市曹杨第二中学建校60周年　526

第六部分　行政管理

中国科学院半导体研究所《知识创新工程》试点方案概要　529

半导体超晶格国家重点实验室的建立和发展　532

关于国家“十五”科技计划体系研究的一点看法　536

关于研究所发展战略的若干思考——高技术创新与资本运营　538

光辉的业绩，永恒的师表　541

深化改革、继往开来——纪念中国科学院半导体研究所建所40周年　543

中国科学院半导体研究所改革进程的若干情况　547

所长任期述职报告（1994—1998年）　566

所长述职报告（1999—2002年）　580

携手前进、迎接挑战——祝贺清华大学微电子学研究所成立20周年　618

在第十四届全国半导体物理学术会议暨半导体物理学术讨论会开幕式上的讲话　620

在中国科学院半导体研究所领导换届大会上的讲话622

继往开来，重视和加强低维量子结构的物理研究——祝贺黄昆院士80华诞　624

一代宗师德厚流光——纪念黄昆先生诞辰100周年　625

荣誉表彰　631

授权专利　632

培养学生名单　635