国外电子与通信教材系列：半导体物理与器件（第3版）

图书标准信息

• 作者 [美]尼曼 著；赵毅强 译
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2010-07
• 版次 1
• ISBN 9787121111808
• 定价 59.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 524页
• 字数 870千字
• 正文语种 简体中文
• 丛书 国外电子与通信教材系列

【内容简介】

《半导体物理与器件（第3版）》是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理以及半导体器件物理等内容，共分为三部分，十五章。第一部分是基础物理，包括固体晶格结构、量子力学和固体物理；第二部分是半导体材料物理，主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象；第三部分是半导体器件物理，主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述了光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。全书内容丰富、概念清楚、讲解深入浅出、理论分析透彻。另外，全书各章难点之后均列有例题、自测题，每章末均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末列有习题和参考文献，书后附有部分习题的答案；此外，部分章末引入了计算机仿真题。
《半导体物理与器件（第3版）》可作为高等院校微电子技术专业本科生及相关专业研究生的教材或参考书，也可作为相关领域工程技术资料。

【作者简介】

DonaldA.eamen美国新墨西哥大学电气与计算机工程系教授，在该系执教长达25年。他自新墨西哥大学获释博士学位后，成为Hanscom空军基地固态科学实验室的一名电子工程师。1976年，他成为新墨西哥大学电气与计算机工程序系的一名教师，专门从事半导体物理与器件课程和电路课程的教学工作。1980年，Neamen教授获得了新墨西哥大学的杰出教师奖。1983年和1985年，他被评为工程学院的杰出教师。1990年以及1994年至2001年。他被电气与计算机工程系的毕业生评为优秀教师。1994年，他获得了工程学院的优秀教学奖。

【目录】

绪论半导体和集成电路
历史
集成电路（IC）
制造
参考文献
第1章固体晶格结构
1.1半导体材料
1.2固体类型
1.3空间晶格
1.4原子价键
*1.5固体中的缺陷和杂质
*1.6半导体材料的生长
1.7小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第2章量子力学初步
2.1量子力学的基本原理
2.2薛定谔波动方程
2.3薛定谔波动方程的应用
*2.4原子波动理论的延伸
2.5小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第3章固体量子理论初步
3.1允带与禁带
3.2固体中电的传导
3.3三维扩展
3.4状态密度函数
3.5统计力学
3.6小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第4章平衡半导体
4.1半导体中的载流子
4.2掺杂原子与能级
4.3非本征半导体
4.4施主和受主的统计学分布
4.5电中性状态
4.6费米能级的位置
4.7小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第5章载流子输运现象
5.1载流子的漂移运动
5.2载流子扩散
5.3杂质梯度分布
*5.4霍尔效应
5.5小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第6章半导体中的非平衡过剩载流子
6.1载流子的产生与复合
6.2过剩载流子的性质
6.3双极输运
6.4准费米能级
*6.5过剩载流子的寿命
*6.6表面效应
6.7小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第7章pn结
7.1pn结的基本结构
7.2零偏
7.3反偏
*7.4非均匀掺杂pn结
7.5小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第8章pn结二极管
8.1pn结电流
8.2pn结的小信号模型
8.3产生复合电流
8.4结击穿
*8.5电荷存储与二极管瞬态
*8.6隧道二极管
8.7小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第9章金属半导体和半导体异质结
9.1肖特基势垒二极管
9.2金属半导体的欧姆接触
9.3异质结
9.4小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第10章双极晶体管
10.1双极晶体管的工作原理
10.2少子的分布
10.3低频共基极电流增益
10.4非理想效应
10.5等效电路模型
10.6频率上限
10.7大信号开关
*10.8其他的双极晶体管结构
10.9小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第11章金属氧化物半导体场效应晶体管基础
11.1双端MOS结构
11.2电容电压特性
11.3MOSFET基本工作原理
11.4频率限制特性
*11.5CMOS技术
11.6小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第12章金属氧化物半导体场效应晶体管：概念的深入
12.1非理想效应
12.2MOSFET按比例缩小理论
12.3阈值电压的修正
12.4附加电学特性
*12.5辐射和热电子效应
12.6小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第13章结型场效应晶体管
13.1JFET概念
13.2器件的特性
*13.3非理想因素
*13.4等效电路和频率限制
*13.5高电子迁移率晶体管
13.6小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第14章光器件
14.1光学吸收
14.2太阳能电池
14.3光电探测器
14.4光致发光和电致发光
14.5光电二极管
14.6激光二极管
14.7小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第15章半导体功率器件
15.1功率双极晶体管
15.2功率MOSFET
15.3散热片和结温
15.4半导体闸流管
15.5小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
附录A部分参数符号列表
附录B单位制、单位换算和通用常数
附录C元素周期表
附录D误差函数
附录E薛定谔波动方程的推导
附录F能量单位——电子伏特
附录G部分习题参考答案
索引