绝缘体上硅(SOI)技术 制造及应用
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作者(法)奥列格·库侬楚克(Oleg Kononchuk) 等
出版社国防工业出版社
ISBN9787118116366
出版时间2018-09
版次1
装帧精装
开本16开
纸张胶版纸
页数385页
字数473千字
定价128元
货号SC:9787118116366
上书时间2024-05-07
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内容简介:
本书分为两个部分；第一部分包括SOI材料及制造，第二部分包括SOI器件及应用。本书的前几章介绍SOI晶片的制造技术，优选SOI材料的电学特性，以及短沟道SOI半导体晶体管的建模。涉及部分耗尽及全耗尽二种SOI技术。第6章和第7章关注的是无结及氧化物上鳍（fin）型场效应晶体管。还介绍了CMOS器件变化趋势和静电放电中的一些关键技术。第二部分涵盖最近的和已成熟的技术。它们包括射频应用的SOI晶体管，超低功耗应用的SOICMOS电路，以及利用SOI的三维集成来提高器件性能的方法.
目录:
第一部分绝缘体上硅材料及制造
第1章绝缘体上硅晶圆片材料及制造技术
1.1引言
1.2SOI的晶圆片制造技术概述
1.3SOI量产制造技术
1.4SOI晶圆片结构及表征
1.5晶圆片直接键合：湿表面清洗技术
1.6直接键合机理的表征
1.7Si和SiO2直接键合的其他表面制备工艺
1.8利用离子注入、键合及剥离量产SOI衬底的智能剥离技术
1.9更复杂的SOI结构制造
1.10异质结构的制造
1.11结论
1.12致谢
1.13参考文献
第2章优选的绝缘体上硅材料及晶体管电学性质的表征
2.1引言
2.2常用的表征技术
2.3利用赝金属氧化物半导体场效应晶体管技术表征SOI晶圆片
2.4赝-MOSFET技术的发展
2.5FDMOSFET的常用表征方法
2.6优选的FDMOSFET表征方法
2.7超薄SOIMOSFET的表征
2.8多栅MOSFET的表征
2.9纳米线FET的表征
2.10结论
2.11致谢
2.12参考文献
第3章短
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