A5-3/晶体管原理（第2版） 9787118107715

图书标准信息

• 作者 郭澎、张福海、刘永 著
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 2016-04
• 版次 2
• ISBN 9787118107715
• 定价 58.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 366页
• 字数 473千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

　　《晶体管原理（第2版）》主要讲述双极型晶体管和场效应晶体管的基本工作原理及其频率特性、功率特性、开关特性，并描述这些特性的相关参数。讲述了新型半导体器件包括新发明的石墨烯场效应晶体管和常温单电子晶体管的结构和特性。为适应计算机辅助设计仿真的需求，书中介绍了半导体器件特别是国产军品器件创建模型的方法。
　　《晶体管原理（第2版）》适合作为“微电子科学与工程”“集成电路设计与集成系统”等专业的本科教材，也适用于“光电子（信息）工程”等相关专业的研究生教材，以及从事微电子、光电子（信息）专业相关工作的科研与工程技术人员阅读参考。

【作者简介】

 第1章半导体物理与工艺概要 

1.1晶体结构和能带结构 

1.1.1理想晶体的结构 

1.1.2理想晶体的能带结构 

1.1.3晶格振动和杂质原子对半导体性质的影响 

1.2半导体中的载流子 

1.2.1平衡载流子的统计 

1.2.2半导体中的非平衡载流子 

1.3载流子的运动 

1.3.1漂移运动 

1.3.2扩散运动 

1.4半导体中的基本控制方程组 

1.4.1电流密度方程 

1.4.2连续性方程 

1.5PN结的电学特性 

1.5.1PN缮直流伏安特性 

1.5.2势垒电容和扩散电容 

1.5.3击穿特性 

1.6基本器件工艺 

1.6.1衬底制备和外延生长 

1.6.2氧化和光刻 

1.6.3扩散与离子注入 

习题 

参考文献 

第2章晶体管的直流特性 

2.1晶体管的基本结构及其杂质分布 

2.1.1基本结构 

2.1.2晶体管工艺与杂质分布 

2.1.3均匀基区晶体管和缓变基区晶体管 

2.2晶体管的放大机理 

2.2.1晶体管的电流传输作用 

2.2.2晶体管端电流的组成 

2.2.3描述晶体管电流传输作用和放大性能的参数 

2.2.4晶体管的放大能力 

2.3晶体管的直流伏安特性 

2.3.1均匀基区晶体管的伏安特性 

2.3.2缓变基区晶体管有源放大区的伏安特性 

2.4直流电流增益 

2.4.1理想晶体管的直流增益 

2.4.2影响直流增益的一些因素 

2.5反向电流和击穿电压 

2.5.1反向电流 

2.5.2击穿电压 

2.5.3穿通电压 

2.6基极电阻 

2.6.1梳状晶体管 

2.6.2圆形晶体管 

2.7特性曲线 

2.7.1输入特性曲线 

2.7.2输出特性曲线 

2.7.3晶体管的直流小信号h参数 

2.8晶体管模型 

2.8.1埃伯斯一莫尔模型 

2.8.2晶体管各工作区的模型 

习题 

参考文献 

第3章晶体管的频率特性 

3.1基本概念 

3.1.1晶体管的交流小信号电流增益 

3.1.2描述晶体管频率特性的参数 

3.2电流增益的频率变化关系——截止频率和特征频率 

3.2.1交流小信号电流的传输过程 

3.2.2共基极电流增益和α截止频率 

3.2.3共射极电流增益、β截止频率和特征频率 

3.3高频功率增益和最高振荡频率 

3.3.1晶体管的功率增益 

3.3.2晶体管的高频功率增益 

3.4双极型晶体管的噪声特性 

3.4.1晶体管的噪声和噪声系数 

3.4.2晶体管的噪声来源 

3.4.3晶体管的噪声频谱特性 

习题 

参考文献 

第4章双极型晶体管的功率特性 

4.1基区大注入效应对电流放大系数的影响 

4.1.1大注入下基区少数载流子分布 

4.1.2基区电导调制效应 

4.1.3基区大注入对电流放大系数的影响 

4.1.4大注入对基区渡越时间的影响 

4.2基区扩散效应 

4.2.1注入电流对集电结空间电荷区电场分布的影响 

4.2.2基区扩展效应 

4.3发射极电流集边效应 

4.3.1发射极电流的分布 

4.3.2发射极有效条宽 

4.3.3发射极有效长度 

4.4发射极单位周长电流容量 

4.4.1集电极最大允许工作电流ICM 

4.4.2线电流密度 

4.5晶体管最大耗散功率PCM 

4.5.1耗散功率和最高结温 

4.5.2热阻 

4.5.3晶体管的最大耗散功率 

4.6二次击穿和安全工作区 

4.6.1二次击穿现象 

4.6.2二次击穿机理及改进措施 

4.6.3安全工作区 

习题 

参考文献 

第5章开关特性 

5.1晶体管的开关作用 

5.1.1晶体管开关作用的定性分析 

5.1.2截止区和饱和区的电荷分布 

5.2晶体管的开关过程和开关时间 

5.2.1几个开关时间的定义 

5.2.2电荷控制理论 

5.2.3延迟过程和延迟时间 

5.2.4上升过程与上升时间 

5.2.5电荷储存效应与储存时间 

5.2.6下降过程与下降时间 

5.2.7提高开关速度的措施 

5.3开关管正向压降和饱和压降 

5.3.1正向压降 

5.3.2饱和压降 

习题 

参考文献 

第6章结型场效应晶体管 

6.1结型场效应晶体管（JFET）的基本工作原理 

6.1.1JFET的基本结构 

6.1.2JFET的基本工作原理 

6.1.3JFET的输出特性和转移特性 

6.1.4肖特基栅场效应晶体管（MESFET） 

6.1.5器件的类型和代表符号 

6.2JFET的直流参数和低频小信号交流参数 

6.2.1JFET的直流电流—电压特性 

6.2.2JFET的直流参数 

6.2.3JFET交流小信号参数 

6.2.4沟道杂质任意分布时器件的伏安特性 

6.2.5高场迁移率的影响 

6.3结型场效应晶体管的频率特性 

6.3.1交流小信号等效电路 

6.3.2JFET的频率参数 

6.4结型场效应晶体管结构举例 

6.4.1MESFET 

6.4.2JFET 

6.4.3V形槽JFET 

习题 

参考文献 

…… 

第7章MOS场效应晶体管 

第8章石墨烯场效应晶体管 

第9章新型半导体器件的仿真模型  

【目录】

第1章 半导体物理与工艺概要
1．1 晶体结构和能带结构
1．1．1 理想晶体的结构
1．1．2 理想晶体的能带结构
1．1．3 晶格振动和杂质原子对半导体性质的影响
1．2 半导体中的载流子
1．2．1 平衡载流子的统计
1．2．2 半导体中的非平衡载流子
1．3 载流子的运动
1．3．1 漂移运动
1．3．2 扩散运动
1．4 半导体中的基本控制方程组
1．4．1 电流密度方程
1．4．2 连续性方程
1．5 PN结的电学特性
1．5．1 PN结直流伏安特性
1．5．2 势垒电容和扩散电容
1．5．3 击穿特性
1．6 基本器件工艺
1．6．1 衬底制备和外延生长
1．6．2 氧化和光刻
1．6．3 扩散与离子注入
习题
参考文献

第2章 晶体管的直流特性
2．1 晶体管的基本结构及其杂质分布
2．1．1 基本结构
2．1．2 晶体管工艺与杂质分布
2．1．3 均匀基区晶体管和缓变基区晶体管
2．2 晶体管的放大机理
2．2．1 晶体管的电流传输作用
2．2．2 晶体管端电流的组成
2．2．3 描述晶体管电流传输作用和放大性能的参数
2．2．4 晶体管的放大能力
2．3 晶体管的直流伏安特性
2．3．1 均匀基区晶体管的伏安特性
2．3．2 缓变基区晶体管有源放大区的伏安特性
2．4 直流电流增益
2．4．1 理想晶体管的直流增益
2．4．2 影响直流增益的一些因素
2．5 反向电流和击穿电压
2．5．1 反向电流
2．5．2 击穿电压
2．5．3 穿通电压
2．6 基极电阻
2．6．1 梳状晶体管
2．6．2 圆形晶体管
2．7 特性曲线
2．7．1 输入特性曲线
2．7．2 输出特性曲线
2．7．3 晶体管的直流小信号参数
2．8 晶体管模型
2．8．1 埃伯斯一莫尔模型
2．8．2 晶体管各工作区的模型
习题
参考文献

第3章 晶体管的频率特性
3．1 基本概念

第4章 双极型晶体管的功率特性
第5章 开关特性
第6章 结型场效应晶体管
第7章 MOS场效应晶体管
第8章 石墨烯场效应晶体管
第9章 新型半导体器件的仿真模型