A2-2/研究生教育书系·电子科学与技术学科：化合物半导体器件 9787121086403

图书标准信息

• 作者 吕红亮 著
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2009-05
• 版次 1
• ISBN 9787121086403
• 定价 20.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 160页
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

　　本书介绍了化合物半导体物理的基础知识和原理。全书共8章，主要内容为：半导体器件物理的基础内容、化合物半导体材料及其基本电学特性；化合物半导体器件的种类及其特性，包括双极型器件、异质结器件、场效应器件、量子效应、热电子器件和光电子器件；宽禁带半导体材料与器件。
　　本书可作为高等学校微电子学，集成电路设计及相关专业研究生和本科高年级学生化合物半导体材料和器件课程的教材；也可作为从事化合物半导体材料或器件分析的科研和工程技术人员的参考。

【目录】

第1章绪论
1.1历史和动态
1.2内容安排和说明
参考文献

第2章化合物半导体材料与器件基础
2.1半导体材料的分类
2.1.1元素半导体
2.1.2化合物半导体
2.1.3半导体固溶体
2.2化合物半导体材料特性
2.2.1晶格结构
2.2.2晶体的化学键和极化
2.2.3能带结构
2.2.4施主和受主能级
2.2.5迁移率
2.3化合物半导体器件的发展方向
思考题
参考文献

第3章半导体异质结
3.1异质结及其能带图
3.1.1异质结的形成
3.1.2异质结的能带图
3.2异型异质结的电学特性
3.2.1突变异质结的伏安特性和注入特性
3.2.2界面态的影响
3.2.3异质结的超注入现象
3.3量子阱与二维电子气
3.3.1二维电子气的形成及能态
3.3.2二维电子气的态密度
3.4多量子阱与超晶格
思考题
参考文献

第4章异质结双极晶体管
4.1HBT的基本结构
4.1.1基本的HBT结构
4.1.2突变结和组分渐变异质结
4.2HBT的增益
4.2.1理想HBT的增益
4.2.2考虑界面复合后HBT的增益
4.2.3HBT增益与温度的关系
4.3HBT的频率特性
4.3.1最大振荡频率
4.3.2开关时间
4.3.3宽带隙集电区
4.4先进的HBT
4.4.1SiSiGeHBT
4.4.2ⅢⅤ族化合物基HBT
思考题
参考文献

第5章化合物半导体场效应晶体管
5.1金属半导体肖特基接触
5.1.1能带结构
5.1.2基本模型
5.2金属半导体场效应晶体管（MESFET）
5.2.1MESFET器件结构
5.2.2工作原理
5.2.3电流—电压特性
5.2.4负阻效应与高场畴
5.2.5高频特性
5.2.6噪声理论
5.2.7功率特性
5.3调制掺杂场效应晶体管
5.3.1调制掺杂结构
5.3.2基本原理
5.3.3电流—电压特性
思考题
参考文献

第6章量子器件与热电子器件
6.1隧道二极管
6.1.1穿透系数
6.1.2电流—电压特性
6.2共振隧道二极管（ResonantTunnelingDiode，RTD）
6.2.1谐振隧穿结构
6.2.2谐振隧道二极管电流—电压特性
6.3热电子器件
6.3.1热电子异质结双极晶体管
6.3.2实空间转移晶体管（realspacetransfertransistor）00
6.3.3隧穿热电子晶体管
思考题
参考文献

第7章半导体光电子器件
7.1半导体的光学性质
7.1.1光的本质
7.1.2辐射跃迁
7.1.3光的吸收
7.1.4光伏效应
7.2太阳能电池
7.2.1pn结光电池的电流—电压特性
7.2.2pn结光电池的等效电路
7.2.3转换效率
7.2.4砷化镓太阳能电池
7.2.5ⅡⅥ族化合物太阳能电池
7.2.6铜铟硒太阳能电池
7.3光电探测器件
7.3.1光敏电阻
7.3.2光电二极管
7.4发光二极管和半导体激光器
7.4.1可见光发光二极管
7.4.2红外发光二极管
7.4.3半导体激光器
思考题
参考文献

第8章宽带隙化合物半导体器件
8.1宽带隙半导体材料基本特性
8.2碳化硅器件及其应用
8.2.1碳化硅微波功率器件
8.2.2碳化硅功率器件
8.2.3碳化硅探测器件
8.3GaN器件及其应用
8.3.1GaN微波功率器件
8.3.2GaN基光电器件
8.3.3其他GaN基电子器件
8.4其他宽禁带半导体器件
8.4.1单光子器件
8.4.2宽禁带半导体纳米结构器件
8.4.3基于GaN的子带间跃迁光开关
8.4.4氮化物光催化剂
思考题
参考文献