二手正版半导体制造工艺基础内容一致印次封面*不同统一售价随?
9787811102925
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22.9
九品
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作者施敏
出版社安徽大学出版社
ISBN9787811102925
出版时间2007-04
装帧平装
货号734107941504
上书时间2023-08-20
商品详情
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温馨提示:亲!旧书库存变动比较快,有时难免会有断货的情况,为保证您的利益,拍前请务必联系卖家咨询库存情况!谢谢! 书名:半导体制造工艺基础 (内容一致 印次 封面 *不同 统一售价 随机发货)
ISBN:9787811102925 出版社:安徽大学出版社 作者:施敏
页数:284 出版日期:2007年04月 参考重量:0.570Kg
定价:32.00 元 货号: 371270
* 内容提要 * 施敏、梅开瑞所著的《半导体制造工艺基础》是关于介绍“半导体制造工艺基础”的教学用书,书中介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术,其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。本书适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专**高年*或硕士研究生一年*学生《集成电路制造》课程的教学。 * 图书目录 * 第1章 引言
1.1 半导体材料
1.2 半导体器件
1.3 半导体工艺技术
1.4 基本工艺步骤
1.5 总结
参考文献
第2章 晶体生长
2.1 从熔融硅中生长*晶硅
2.2 硅的区熔(float-zone)法*晶生长工艺
2.3 砷化镓晶体的生长技术
2.4 材料特性
2.5 总结
*题
参考文献
第3章 硅的氧化
3.1 热氧化过程
3.2 氧化过程中的杂质再分布
3.3 二氧化硅的掩模特性
3.4 氧化质量
3.5 氧化层厚度特性
3.6 氧化模拟
3.7 总结
参考文献
*题
第4章 光刻
4.1 光学光刻(Optical lithography)
4.2 新一代的曝光法
4.3 光刻模拟
4.4 总结
参考文献
*题
第5章 刻蚀
5.1 湿法化学刻蚀(wet chemical etching)
5.2 干法刻蚀
5.3 刻蚀仿真
5.4 总结
参考文献
*题
第6章 扩散
6.1 基本扩散工艺
6.2 非本征扩散
6.3 横向扩散
6.4 扩散模拟
参考文献
*题
第7章 离子注入
7.1 注入离子的范围
7.2 注入损伤和退火
7.3 注入相关工艺
7.4 离子注入模拟
7.5 *题
第8章 薄膜淀积
8.1 外延生长技术
8.2 外延层结构及缺陷
8.3 电介质淀积
8.4 多晶硅淀积
8.5 金属化
8.6 淀积模拟
8.7 总结
参考文献
*题
第9章 工艺集成
9.1 无源*元
9.2 双极型工艺
9.3 MOSFET技术
9.4 MESFET技术
9.5 MEMS技术
9.6 工艺模拟
9.7 总结
参考文献
*题
第10章 集成电路制造
10.1 电测试
10.2 封装
10.3 统计工艺控制
10.4 统计实验设计
10.5 成品率
10.6 计算机集成制造
10.7 总结
参考文献
*题
第11章 未来趋势和挑战
11.1 未来的挑战
11.2 片上系统
11.3 总结
参考文献
*题
附录
索引 '
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